首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   13篇
  免费   3篇
  国内免费   4篇
物理学   20篇
  2013年   2篇
  2012年   6篇
  2010年   1篇
  2009年   1篇
  2004年   2篇
  2003年   1篇
  2002年   2篇
  2001年   2篇
  1997年   1篇
  1995年   2篇
排序方式: 共有20条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
方志杰  莫曼  朱基珍  杨浩 《物理学报》2012,61(22):421-426
本文利用基于第一性原理的广义梯度近似方法分析研究透明导电氧化物CuScO2能带结构、态密度和杂质能级.计算结果表明,CuScO2的价带区主要由Cu的3d态和O的2p态构成,而导带区主要由Sc的3d态组成.在进行+U修正之后,随着U参量的增加,CuScO2的导带区发生分裂导致导带扩大,带隙也随之扩大,表明+U计算能较好地改进CuSc02带隙值;本文还比较分析了各种掺杂元素在CuSc02的杂质能级,发现Mg原子替位掺杂Sc能有效改善CuScO2的P型导电性能.  相似文献   
2.
方志杰  朱基珍  周江  莫曼 《中国物理 B》2012,21(8):87105-087105
Using the first-principles methods,we study the formation energetics properties of intrinsic defects,and the charge doping properties of extrinsic defects in transparent conducting oxides CuCrO2.Intrinsic defects,some typical acceptortype,and donor-type extrinsic defects in their relevant charge state are considered.By systematically calculating the formation energies and transition energy,the results of calculation show that,V Cu,O i,and O Cu are the relevant intrinsic defects in CuCrO2 ;among these intrinsic defects,V Cu is the most efficient acceptor in CuCrO2.It is found that all the donor-type extrinsic defects have difficulty in inducing n-conductivity in CuCrO2 because of their deep transition energy level.For all the acceptor-type extrinsic defects,substituting Mg for Cr is the most prominent doping acceptor with relative shallow transition energy levels in CuCrO2.Our calculation results are expected to be a guide for preparing promising n-type and p-type materials in CuCrO2.  相似文献   
3.
朱基珍  周丽娟  马维兴 《中国物理 C》2004,28(10):1070-1073
假设13N是单粒子的2p态的结构,用Glauber多重散射理论计算了1GeV的质子在13N上弹性散射的微分截面,研究了13N的类晕结构.与13C的情况不同,虽然目前还没有关于p-13N弹性散射微分截面的实验材料与我们的理论结果相比较,但是这个理论结果可以作为对未来的实验测量工作的一个指导,特别是对兰州近代物理研究所的晕核实验研究工作有参考和指导价值.参照先前我们对13C晕核结构的理论预言和进而的实验证实,本文的计算结果清楚地表明:13N可能存在着一个类晕的质子皮结构.因此,实验上测量p-13N弹性散射的微分截面就是当前需要马上进行的一个实验研究工作.  相似文献   
4.
本文利用基于第一性原理的广义梯度近似方法分析研究宽禁带半导体材料CuYO2能带结构、晶格常数和态密度。计算结果表明,CuYO2的价带区主要由Cu的3d态和O的2p态构成,而导带区主要由Y的3d态组成。在进行+U修正之后,随着U参量的增加,CuYO2的价带区和导带区发生分裂,导带区中Y的3d主峰向高能区移动导致导带扩大,带隙也随之扩大,当U取值为3eV时导带底由L点转变为Γ点,表明+U计算主要修正CuYO2导带从而能较好的改进理论带隙值。  相似文献   
5.
凸透镜焦距测量方法概述①朱基珍(广西工学院柳州530000)在几何光学实验中常用自准法、物距像距法(简称“u、v法”)和二次成像法等三种方法测量凸透镜的焦距。哪种方法较好,众说纷纭。三种方法各有特点,列表比较如下。自准法、“u、v法”、二次成像法比较...  相似文献   
6.
研究了能级高低未严格按主量子数n和辅量子数l的大小来排列的情况 ,介绍能级次序的两种简单的判断方法。  相似文献   
7.
在进行物理实验教学体系改革的基础上,研究基于校园网的开放式物理实验教学及管理模式,探索地方工科院校的物理实验教学改革模式并在实验教学中应用。  相似文献   
8.
本文利用基于第一性原理的广义梯度近似方法分析研究宽禁带半导体材料CuYO2能带结构、晶格常数和态密度.计算结果表明,CuYO2的价带区主要由Cu的3d态和O的2p态构成,而导带区主要由Y的3d态组成.在进行+U修正之后,随着U参量的增加,CuYO2的价带区和导带区发生分裂,导带区中Y的3d主峰向高能区移动导致导带扩大,带隙也随之扩大,当U取值为3 eV时导带底由L点转变为T点,表明+U计算主要修正CuY2导带从而能较好的改进理论带隙值.  相似文献   
9.
Using the first-principles methods,we study the formation energetics properties of intrinsic defects,and the charge doping properties of extrinsic defects in transparent conducting oxides CuCrO2.Intrinsic defects,some typical acceptortype,and donor-type extrinsic defects in their relevant charge state are considered.By systematically calculating the formation energies and transition energy,the results of calculation show that,V Cu,O i,and O Cu are the relevant intrinsic defects in CuCrO2 ;among these intrinsic defects,V Cu is the most efficient acceptor in CuCrO2.It is found that all the donor-type extrinsic defects have difficulty in inducing n-conductivity in CuCrO2 because of their deep transition energy level.For all the acceptor-type extrinsic defects,substituting Mg for Cr is the most prominent doping acceptor with relative shallow transition energy levels in CuCrO2.Our calculation results are expected to be a guide for preparing promising n-type and p-type materials in CuCrO2.  相似文献   
10.
指出现行高中物理课本中对“机械能守恒定律”的描述的不合理性并提出修改意见。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号