| 宽禁带半导体材料CuYO2的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 方志杰,莫曼,朱基珍,张秀彦.宽禁带半导体材料CuYO2的第一性原理研究[J].原子与分子物理学报,2012,29(6):1103-1109. |
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| 作者姓名： | 方志杰 莫曼 朱基珍 张秀彦 |
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| 作者单位： | 1. 广西工学院信息与计算科学系,柳州545006;广西大学广西理工科学实验中心,南宁530004
2. 广西工学院信息与计算科学系,柳州,545006 |
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| 摘 要： | 本文利用基于第一性原理的广义梯度近似方法分析研究宽禁带半导体材料CuYO2能带结构、晶格常数和态密度.计算结果表明,CuYO2的价带区主要由Cu的3d态和O的2p态构成,而导带区主要由Y的3d态组成.在进行+U修正之后,随着U参量的增加,CuYO2的价带区和导带区发生分裂,导带区中Y的3d主峰向高能区移动导致导带扩大,带隙也随之扩大,当U取值为3 eV时导带底由L点转变为T点,表明+U计算主要修正CuY2导带从而能较好的改进理论带隙值.
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| 关 键 词： | CuYO2 能带结构 电子结构 |
The first-principle study on wide-gap semiconductor material CuYO2 |
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| FANG Zhi-Jie
,
MO Man
,
ZHU Ji-Zhen
,
ZHANG Xiu-Yan.The first-principle study on wide-gap semiconductor material CuYO2[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2012,29(6):1103-1109. |
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| Authors: | FANG Zhi-Jie MO Man ZHU Ji-Zhen ZHANG Xiu-Yan |
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| Institution: | 1 (1.Department of Information and Computation of Science,Guangxi University of Technology,Liuzhou 545006,China; 2.Guangxi Experiment Centre of Science and Technology,Guangxi University,Nanning 530004,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CuYO2 band structure electronic structure |
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