Ge/Au,Ge/Ag双层膜和Ge-Au,Ge-Ag合金膜中非晶Ge的晶化

本文对Ge/An,Ge/Ag,双层膜和Ge-An,Ge-Ag合金膜的退火过程进行了透射电子显微镜观测,对Ge/多晶Au(或Ag)还进行了加热过程的原位观测。观测表明,多晶Au和单晶Au膜的存在使非晶Ge的晶化温度T_c的下降显著不同,可由晶界三叉点等处为非晶Ge的有利形核位置来解释,双层膜的缩聚区中由于局域优先晶化的影响,不仅T_c(=100℃)比非缩聚区中(T_c=150℃)低,而且形成直径为1—2μm的Ge大晶粒,而Ge/多晶Ag和Ge/单晶Ag膜的T_c均约为280℃,合金膜中金属含量较低时(C_Au<17at％,C_Ag<18at％),T_c高于相应的Ge/多晶Au(Ag)膜;金属含量较高时,T_c低于Ge/多晶Au(Ag)膜。这说明过饱和金属原子的存在使得非晶Ge的晶化势垒大大降低。 关键词：     

同步辐射X荧光分析中的逃逸峰的测量和计算

Si(Li)探测器引起的同步辐射X射线荧光(SR-XRF)谱中的逃逸峰,严重干扰利用XRF谱进行的定性和定量分析.对实验中的逃逸峰进行了鉴别.测定了14个样品的从K K_α到As K_α12个元素的标识谱的逃逸峰的强度和峰位.比较了逃逸峰与最近主峰能量差的实验值和标准值,一般误差小10%.用简化的X射线激发的Si K_α分布出射模型,计算元素逃逸峰强和其主峰强的比值,发现随原子序数增加,实验和理论比值都从约1%下降到0.1%左右.     

建议恢复"lattice"的并列译名"点阵、格子"

最近，中国物理学会第8届名词工作委员会在《物理》2005年3期228页发表文章，希望“大家都来关心物理学名词工作”，同时《物理》还发表王正行教授的文章，建议“测不准”与“不确定”二词并用，本文响应上述号召，提出恢复“lattice”的并列译名“点阵、格子”的建议，供这一届名词工作委员会参考。     

早期的北京大学物理系

为了纪念中国物理学会成立六十周年,现 将在历史上对我国物理学和物理学会的发展起 过重要作用的北京大学物理系早期(1902- 1937)的情况介绍如下. 一、京师大学堂时期 京师大学堂是北京大学前身,成立于1898 年,是维新运动的产物.初办时无自然科学学 科.1900年八国联军入侵,学校停办一年多. 1902年学校恢复,张百熙任管学大臣.张百熙 主张脚踏实地,一切从头做起.他提出哲不设 大学本科,先办预备科,为本科做准备.预备 科分政(文、法)艺(理、工、农、医)两科,学制 三年.另设速成科,以收急效.速成科分仕 学馆和师范馆,学制三至四年.师范馆下设 数…     

汽─液─固相法生长GaAs／InAs量子点

汽─液─固相法生长ＧａＡｓ／ＩｎＡｓ量子点１９９５年４月，日本《固体物理》第３０卷第３９９页发表的比留间健之等的文章介绍了汽－液－固相法生长的ＧａＡｓ／ＩｎＡｓ量子点及其光荧光蓝移现象。在以Ａｓ终止的ＧａＡｓ（１１１）面上真空蒸发约１ｎｍ的Ａｕ膜，加...     

MICROSTRUCTURE AND FRACTAL FORMATION OF ANNEALED Ge-Au FILM AND Ge-Au/Au BILAYER FILMS

The as-deposited and annealed Ge-Au film and Ge-Au/Au bilayer films have been observed by transmission electron microscopy. The bilayer with a composition of Ge-5at%Au film is amorphous, while the Ge-22at%Au film is polycrystalline. Higher concentration of Au raises the structural heterogeneity and instability. Fractals can be observed in the Ge-5at%Au/Au bilayer samples annealed at 60-100℃. The difference of the fractal patterns generated from Ge-Au/An and a-Ge/Au films call be attributed to the higher heterogeneity and instability in Ge-Au/An bilayers.     

现有光刻技术改进后可以制造线宽为0.13μm的集成电路

现有光刻技术改进后可以制造线宽为０．１３μｍ的集成电路１９９５年美国《固态技术》２月号和３月号连续发表文章，认为现有光刻技术经过改进，可以沿用到２００４年，用来制造线宽为０．１３ｕｍ的集成电路。随着集成电路的飞速发展，１９９５年光刻技术达到的最小线宽...     

Mott对凝聚态物理学的重大贡献--纪念Mott诞辰100年

Mott N F(NevillFrancis)爵士1905年9月30日生于英国Leeds.他的父亲和母亲曾一起在剑桥大学Cavendish实验室(物理系)J.J.Thomson研究组的实验室工作过,父母亲对他成为物理学家的影响远超过中学老师.他先在Bristol的Clifton学院学习;1924-1927年在剑桥大学StJohn's学院(成立于1511年)学数学和理论物理并发表散射理论方面的论文.1928年在Fowler(Dirac的老师、著名物理学家王竹溪1935-1938年留英时的导师)的安排下从剑桥到哥本哈根Bohr的研究所等著名研究单位作访问学者、继续钻研量子力学和原子碰撞理论.     

二维磁结构的扫描隧道显微术研究

文章介绍了近年来利用扫描隧道显微术（STM）对表面和薄膜磁结构的研究进展。二维或表面磁结构可以通过在非磁性单晶上外延磁性单原子层薄膜形成，也可以在清洁的磁性单晶表面形成。利用磁性的STM针尖可以观测到原子分辨的表面磁结构。这将增进人们从纳米尺度对磁性的理解，并推动磁电子学的发展。