?4模型真空态间的转换算符

本工作在正则量子化的基础上，对$\phi^4$模型的哈密顿量采取正规序来正规化真空零点能，然后微扰计算了至次领头阶的真空态修正。同时首次得到可以在$\phi^4$模型的两个真空态之间转换的算符，我们相信这个算符也是适当极限条件下产生$\phi^4$扭结(kink)的算符的形式。最后简要说明了真空能的应用。     

电弧等离子体激发温度的测量

电弧等离子体温度一般为4000℃～10000℃,测量这样高的温度,目前仍然是一项重要的科研课题.进行高温的测量方法很多,如分子带状光谱法、光谱线多普勒宽度法、光谱线相对强度法、散射法、声速法、巴脱尔斯方法等.我们在近代物理实验中开出此实验,其目的是让学生掌握一种测量高温的方法,同时在实验过程中得到科学方法与实验技能的训练.经过二年级的教学实践,取得了较为满意的结果.     

磷脂酰肌醇3-激酶与其抑制剂芹菜素的分子对接

采用AutoDock3.05分子对接软件包,以磷脂酰肌醇3-激酶(PI3K)的晶体结构和芹菜素的空间结构为基础,对PI3K和芹菜素的相互作用机制进行了分子对接研究,为芹菜素的抗肿瘤机制提供理论依据.芹菜素是PI3K的有效抑制剂,分子对接结果表明,芹菜素与PI3K发生了强烈的结合作用,结合自由能达到-33.1 kJ·mol-1;结合位点位于该酶底物ATP的结合位点上,与底物形成竞争性结合,从而导致PI3K的酶活性受到抑制;在结合中,疏水力、氢键和静电作用力对芹菜素和PI3K复合物的形成与稳定发挥了重要作用.     

大功率半导体激光器阵列热串扰行为

以硬焊料传导制冷,30%填充因子半导体激光器阵列为例,建立了三维有限元模型,对阵列内部各发光单元之间的热串扰行为进行了分析研究。结果表明,当其连续波工作时间大于1.2 ms后,阵列内发光单元之间出现热串扰现象;当次热沉由CuW合金改为铜金刚石复合材料时,阵列内发光单元自热阻和相邻发光单元的串扰热阻降低,有效地降低了各发光单元之间的热串扰行为。保持阵列宽度、发光单元数目及发光单元周期不变,发现随阵列填充因子的增加,器件热阻以指数衰减趋势逐渐降低,而发光单元间的热串扰特性对此变化并不敏感;保持阵列单个发光单元输出功率,发光单元尺寸及阵列宽度不变,增加发光单元个数后,阵列内各发光单元之间热串扰加剧,填充因子越高阵列升温速率越快;但在最初约70 s内,包含不同数目发光单元的阵列最高温度差异仅约0.5 ℃,有利于多发光单元高填充因子器件高功率输出。     

以手性醇修饰LiAlH4不对称还原α—亚胺酮

以手性醇修饰ＬｉＡｌＨ４不对称还原α－亚胺酮张静刘晖＊王东眭秀楣（中国科学院化学所北京１０００８０＊北京大学化学系１００８７１）不对称还原羰基合成光活性的醇是一个重要的研究领域。其中α－不饱和酮，如：α－酮酯，α－烯基酮的不对称还原的研究已有不少报道...     

镧、铈对低分子量单链尿激酶基因在酵母中表达的影响

LaCl3能提高rscu-PA-32k在酵母中的表达效率，2和5mmol.L^-1LaCl3可以使表达产物活力提高13％和20％，从14．6U／ml分别增加到16．5和17．5U/ml，而CeCl3则使表达产物的活力降低，2和5mmol.L^-1 CeCl3分别使产物活力下降了21％和33％，从14＝6U／ml分别下降到11．5和9．8U/ml。     

稀土对氨基酸旋光度的影响

稀土在农林牧业和医学方面应用的不断扩大,导致稀土通过多种途径进入人体．为此,有必要了解稀土对生物体的近期和远期效应［１］．研究稀土与氨基酸的相互作用将为探索稀土在生物体内的代谢及其生物效应提供基础．近２０年来,稀土－氨基酸配合物的研究一直为人们所重视...     

透射式碲铯（Cs2Te）光阴极厚度不均匀现象消除方法的研究

为解决透射式Cs2Te光阴极厚度不均匀问题,通过理论和实验研究,分析了产生此问题的机理及其影响因素.这些因素包括:蒸发源发生器形状及其与阴极基底之间的相对位置;Cs/Te原子在阴极基底表面上完成化学反应所需的结合能以及制作阴极前基底表面所能达到的温度均匀性水平等.实验证明,上述最后一个因素是影响Cs2Te光阴极厚度不均匀的主要原因.通过改变加温程序,优化保温时间,均衡阴极基底与阴极托盘温度梯度等途径,使得制作的透射式Cs2Te光阴极厚度不均匀性由原来的76.4%,改善为<10%.     

高功率半导体激光器低温特性分析

研制了一套微通道封装结构半导体激光器的低温测试表征系统,实现了对高功率半导体激光器在-60℃～0℃低温范围内的输出功率、电光转换效率和光谱等关键参数稳定可靠的测试表征.采用计算流体力学及数值传热学方法,模拟了无水乙醇、三氯乙烯以及五氟丙烷三种载冷剂的散热性能.模拟结果表明,压降均为0.47bar时,采用无水乙醇作载冷剂的器件具有最低的热阻(热阻为0.73K/W)和最好的温度均匀性(中心和边缘发光单元温差为1.45℃).低温测试表征系统采用无水乙醇作为载冷剂,最大可实现0.5L/min的载冷液体流量,最多能容纳5个半导体激光器巴条同时工作.基于该低温测试表征系统,对微通道封装结构976nm半导体激光器巴条在6%占空比下的低温特性进行了研究.测试结果表明,载冷剂温度由0℃下降到-60℃,半导体激光器的输出功率由388.37 W提升到458.37 W,功率提升比为18.02%;电光转换效率由60.99%提升到67.25%,效率提升幅度为6.26%;中心波长由969.68nm蓝移到954.05nm.器件开启电压增加0.04V,阈值电流降低3.93A,串联电阻增加0.18mΩ,外微分量子效率提高11.84%.分析表明,阈值电流的减小及外微分量子效率的提高,是促使半导体激光器在低温下功率、效率提升的主要因素.研究表明,采用液体微通道冷却的低温工作方式,是实现半导体激光器高输出功率、高电光转换效率的一种有效手段.     

半导体光电探测器响应度测试装置的研制

分析了半导体光电探测器光谱响应度的测试原理;研制了一套波长为０．４～１．１μｍ的光谱响度测试装置。该装置采用双光路替代法,可以测试绝对光谱响应度、相对光谱响应度和量子效率,并可减小光源不稳定性对测试结果的影响,最终给出了测试结果比对。