Si100P2.5（GaP）1.5中随机孔洞对热电性能的影响

纯硅由于原材料来源广、熔点高,是潜在的太阳能热发电用热电材料.它的热电绩效因子ZT很小,室温只有0.01.本研究小组通过掺杂和结构纳米化制备了Si₁₀₀P_2.5（GaP）_1.5,获得813℃时的ZT为0.47.本文在此基础上,通过引入一种新的机制——随机孔洞——来进一步提高纯硅基材料Si₁₀₀P_2.5（GaP）_1.5的ZT.结果表明:由于孔洞增加了对低能载流子的过滤,Seebeck系数得到了提高;又由于孔洞对主要携带热量的声子的散射,晶格热导率大大降低,结果Si₁₀₀P_2.5（GaP）_1.5的ZT提高了32%.研究结果表明引入随机孔洞是增加纯硅基体系ZT的有效途径.     

Sm3+掺杂的SnNb2O6粉体的光谱特性

采用熔盐法制备了Sm³⁺掺杂的SnNb₂O₆粉体, 利用X射线粉末衍射、扫描电子显微镜对其物相和形貌进行了表征, 用激发、发射光谱和荧光寿命对样品的发光性能进行了研究.结果表明:所得样品为单斜晶系的SnNb₂O₆, 在407 nm的激发下, 有较强的橙红色发射, 最强峰位于599 nm, 属于Sm³⁺的⁴G_5/2→⁶H_7/2跃迁.     

锰掺杂对Ba(Zr,Ti)O3陶瓷压电与介电性能的影响

采用氧化物固相反应法制备了锰掺杂改性的Ba(Zr_0.06Ti_0.94)O₃陶瓷.研究了锰的掺杂量对Ba(Zr_0.06Ti_0.94)Mn_xO₃ (BZTM)陶瓷的结构、介电和压电性能的影响.实验发现,当锰含量x<0.5 mol%时进入晶格,使材料压电性能提高,损耗减小,表现出受主掺杂的特性;当锰含量x>0.5 mo 关键词： Ba(Zr 3 陶瓷')" href="#">Ti)O₃ 陶瓷 锰掺杂 介电性能 压电性能     

飞秒激光激发的β-Ga2O3粉体的上转换发光研究

采用水热法制备了β-Ga2O3粉体,利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱和光致发光谱等测试手段对合成样品的结构、形貌和发光性能进行了表征.结果表明:所得样品为单斜晶系的β-Ga2O3粉体;在800 nm飞秒激光下,β-Ga2O3粉体产生上转换发光现象,出现了394 nm,430 nm,448 nm,458 nm,470 nm,476nm,525 nm,552 nm和652 nm上转换发射峰,实现了紫、蓝、绿和红上转换发光.     

Structural transition of FeSe under high pressure

The density functional calculations of the energy band structure and density of state for the tetragonal PbO-type phase α-FeSe and hexagonal NiAs-type phase β-FeSe are reported in this paper. The structural phase transition from tetragonal to hexagonal FeSe under high pressure is investigated, it is found that the calculated transition pressure for the α → β phase transformation is 8.5 GPa. Some fluctuations in the transition pressure maybe occurred by different external factors such as temperature and stress condition. There is about 17% volume collapse accompanying the α → β phase transformation.     

水热法制备Eu3+掺杂β-Ga2O3粉体的结构及性能

采用水热法制备了Eu3+掺杂的β-Ga2O3粉体,利用X射线粉末衍射、场发射扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱和发光光谱等测试手段对其物相、形貌和发光性能等进行了研究.结果表明:所得样品为单斜晶系的β-Ga2O3;在波长为325 nm的He-Cd激光器激发下,发射光谱的最强峰位于612 nm,属于Eu3+的5 D0→7F2电偶极跃迁;在模拟太阳光照射下,样品对甲基橙具有较高的光催化降解率,经过2h后,甲基橙的降解率可达到75％.     

网状结构ZnO团聚物的制备和光致发光性能

通过对共沉淀方法制备的Zn(OH)2进行足够时间(70min)的超声处理制备了具有网状结构的ZnO纳米团聚(WLSZC)。采用高分辨率电子显微镜(TEM)和光致发光(PL)谱等方法对所制备的样品进行表征。在WSLZC的网状结构中,观察到了每一条边由一个单晶组成的多边形网状结构。PL测试表明。所有制备的样品都具有469nm的发光峰。WSLZC的PL的强度比只有普通结构的纳米粉末ZnO要大8～14倍。在所有超声处理的样品中都能观察到四重分裂的“施主-受主“跃迁峰。这个峰是由于超声处理时残留的非共轴应力和自旋相互作用的结果。     

SilooP2．5（GaP）1．5中随机孔洞对热电性能的影响

纯硅由于原材料来源广、熔点高，是潜在的太阳能热发电用热电材料．它的热电绩效因子ZT很小，室温只有0．01．本研究小组通过掺杂和结构纳米化制备了Si100P25（GaP）1．5，获得813℃时的ZT为0．47．本文在此基础上，通过引入一种新的机制——随机孔洞——来进一步提高纯硅基材料Si100P2．5（GaP）1．5的ZT．结果表明：由于孔洞增加了对低能载流子的过滤，Seebeck系数得到了提高；又由于孔洞对主要携带热量的声子的散射，晶格热导率大大降低，结果Si100P2.5（GaPh5的ZT提高了32％．研究结果表明引入随机孔洞是增加纯硅基体系ZT的有效途径．     

MOCVD法在(220)CaF2衬底上生长ZnO薄膜及其性能研究

采用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)法在(220)CaF2衬底上外延生长ZnO薄膜.利用X射线衍射(XRD)、紫外-可见光谱和光致发光谱(PL)对ZnO薄膜的结构和光学性能进行了分析.XRD结果表明,所制备的ZnO薄膜结晶性能良好,具有高度的(002)的择优取向,002衍射峰的半高宽(FMHM)为0.115°.所制备的ZnO薄膜透明,透过率超过85;.在常温的(He-Cd激光器)PL谱中,只有378.5 nm的带边发射.用同步辐射光源测试的真空紫外光谱中,在低温20K时,出现218 nm、368 nm、418 nm、554 nm发光峰,其中368 nm峰强度随着温度的升高强度逐渐下降,到常温时几乎消失.