采用束斑极小化的双屏法测量发射度的计算

 双屏法是一种常用的标准的几何发射度测量方法,它需要束流在其中一个靶屏上成腰这一特定条件。在把束腰调到靶屏上非常困难的情况下,可通过调节前面的四极磁铁使靶屏上的束斑尽可能的小(束斑极小化),以此代替“成腰”条件,并推导出与“束斑极小化”相对应的双屏法测量发射度计算公式。     

NFZ-10工业辐照电子直线加速器

 研制的电子直线加速器NFZ 10的辐照加工能力相当于30PBq的60Co源,电子束能量为4～12MeV,平均束功率为3kW,扫描宽度为1m,能量不稳定度≤±0.5%,束流不稳定度≤±0.6%,扫描不均匀度≤±2.5%。NFZ-10加速器已被用于辐照各种电力半导体器件,一年多来运行稳定可靠并获得较好的经济效益。     

脉冲大电流环境下超热现象实验研究

 对在重水环境中金属钯丝的脉冲大电流放电进行了实验研究。测试结果表明,在现有实验室条件下未能观察到中子和超热现象。根据实验结果进一步分析,可以推断在适当条件下钯丝的脉冲大电流放电产生中子和超热现象并非完全不可能。     

高通滤波法数字重现同轴全息图

 提出并实现了高通滤波法重现同轴全息图,消除孪生象的影响。详细解释了这种方法的原理。通过数字模拟,证明了这种方法的可行性。     

主脉冲参数和入射条件变化对等离子体状态的影响

 用一维非平衡辐射流体力学程序,计算和分析了主脉冲激光斜入射与预脉冲垂直入射耦合作用锗靶介质的等离子体状态和激光增益区。研究表明,主脉冲以40°斜入射与其垂直入射相比,在相同靶面功率密度下,电子、离子温度、等离子体烧蚀深度下降约10%。在相同的靶面总能量下,40°斜入射电子温度下降约15%～20%。采用主激光斜入射时间延迟技术,这种下降差别还会更小,能量吸收效率会更高,激光增益区更大。     

动力学研究AlN/α-Al2Ｏ3（0001）薄膜生长初期的吸附与扩散

采用基于第一性原理的从头计算分子动力学方法,计算了300—800℃下AlN吸附过程与系统能量、动力学轨迹以及扩散系数.研究表明,吸附过程由物理吸附、化学吸附和表面稳定态三个阶段组成,在吸附成键过程中,温度越高,粒子平均表面扩散能力增强.N原子的扩散系数大于Al原子的扩散系数,尤其是在物理吸附阶段.在较高温度条件下（大于700℃）,N的解吸附作用明显增强,不利于AlN的稳定吸附生长,500—700℃之间的温度有利于AlN在α-Al₂Ｏ₃（0001）表面的稳定吸附生 关键词： 2Ｏ₃（0001）表面')" href="#">α-Al₂Ｏ₃（0001）表面 扩散 吸附生长 从头计算分子动力学     

“之”形光路与直通光路板条放大器的比较

 对磷酸盐钕玻璃“之”形光路与直通光路板条放大系统进行了详细的数值计算和实验研究,比较了它们的储能效率、增益、荧光分布、能量放大率和光束质量,证实了“之”形光路板条放大系统的优点。     

Dy含量对红色长余辉发光材料Sr3Al2Ｏ6:Eu2＋,Dy3＋性能的影响

采用溶胶凝胶法制备了Sr₃Al₂Ｏ₆:Eu^2＋,Dy^3＋红色长余辉发光材料,利用X射线衍射仪对材料的物相进行了分析,结果表明,1200℃下制备的样品的物相为Sr₃Al₂Ｏ₆,少量的Eu和Dy掺杂没有影响样品的相组成.采用荧光分光光度计、照度计测定了样品的发光特性.结果表明Sr₃Al₂Ｏ关键词： 红色长余辉 3Al₂Ｏ₆')" href="#">Sr₃Al₂Ｏ₆ 溶胶凝胶法     

合肥光源电子储存环束流闭轨的局部校正

 在合肥同步辐射装置运行过程中,发生储存环的束流轨道偏移。利用现有设备对束流闭轨的位置进行了多次测量和分析,利用测量数据计算得到校正铁强度与束流位置之间移动的响应矩阵。并利用最小二乘法计算得到三个校正铁的凸轨系数,用于束流闭轨的局部凸轨校正,取得了预期的效果。     

短波长激光在柱面条状虚共焦非稳腔中的传输

 用数值迭代方法求解了柱面条状虚共焦非稳腔的积分方程组。对相同及不同的菲涅耳数N-F和不同的放大率m等情况进行了数值计算。结果表明,在所取的N-F范围内近场光场强度的空间分布偏离均匀分布,但相位近似为均匀分布。其中小N-F和大m时不仅近场分布较为理想,而且远场强度的角分布接近衍射极限。