HM-J16双光子电子直线加速器

简要叙述了 HM-J1 6加速器的设计思想和设计特点。设计了一台采用射频功率反馈的射线能量范围为 6～ 1 6Me V的双光子电子直线加速器。其最大辐射野为 4 0 cm× 4 0 cm,双光子剂量率均大于3 60 c Gy/ (min·m)。     

NFZ-10工业辐照电子直线加速器

 研制的电子直线加速器NFZ 10的辐照加工能力相当于30PBq的60Co源,电子束能量为4～12MeV,平均束功率为3kW,扫描宽度为1m,能量不稳定度≤±0.5%,束流不稳定度≤±0.6%,扫描不均匀度≤±2.5%。NFZ-10加速器已被用于辐照各种电力半导体器件,一年多来运行稳定可靠并获得较好的经济效益。     

NFZ-10工业辐照电子直线加速器

研制的电子直线加速器ＮＦＺ－１０的辐照加工能力相当于３０ＰＢｑ的６０Ｃｏ源，电子束能量为４～１２ＭｅＶ，平均束功率为３ｋＷ，扫描宽度为１ｍ，能量不稳定度≤±０．５％，束流不稳定度≤±０．６％，扫描不均匀度≤±２．５％。ＮＦＺ－１０加速器已被用于辐照各种电力半导体器件，一年多来运行稳定可靠并获得较好的经济效益。     

高梯度行波电子直线加速器

本文评述了一种采用射频功率反馈的高梯度行波电子直线加速器,详细计算了它们的能量增益和瞬态特性。最后简要地比较了它与高梯度驻波直线加速器的性能及特点。     

低能电子直线加速器的应用

本文着重介绍了能量在数十ＭｅＶ 以下的低能电子直线加速器在核物理以外领域的应用，而加速器本身仅在论述应用特点所必须时作简要说明．     

缅怀施先生

施先生走了，在为他举办百岁寿辰隆重的祝寿会后不久，安详而坚实地走了．     

12MeV电子辐照缺陷能级的研究

近年来,利用1—12MeV加速电子辐照,在硅材料中可以成功地引入复合中心,并代替扩金等工艺.它有效、精确地控制了器件寿命参数.全面衡量器件各参数,可以看出,12 MeV电子辐照比低能量电子辐照或Co-r,辐照更有利于半导体器件参数的全面最佳化.在1—12MeV电子辐照中,12MeV电子有较强的穿透力和引入缺陷的能力.在相同的复合效果条件下,12MeV电子辐照又比r辐照剂量小得多. 本文研究在3×1012—6×1013e/cm2剂量范围内,12MeV电子辐照在硅中产生的缺陷能级及其退火特性,讨论了缺陷能级随辐照剂量的变化和对少子寿命的影响. 一、样品与实验 实验…     

高梯度行波电子直线加速器

本文评述了一种采用射频功率反馈的高梯度行波电子直线加速器,详细计算了它们的能量增益和瞬态特性。最后简要地比较了它与高梯度驻波直线加速器的性能及特点。     

电子辐照硅层中缺陷能级的研究

用12MeV电子辐照硅p⁺n结,在硅中除引入氧空位E₁(E_c-0.19eV),双空位E₂(E_c-0.24eV)和E₄(E_c-0.44eV)外,还引入缺陷E₃(E_c-0.37eV)。用DLTS方法和反向恢复时间测量研究了这些能级的退火行为,可以看到,E₃的退火温度最高(≈520℃)。由退火特 关键词：