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Field Emission from Silicon Nanocrystallite Films with Compact Alignment and Uniform Orientation 下载免费PDF全文
Patterned silicon nanocrystallite (SINC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped sificon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm^2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm^2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for fiat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved. 相似文献
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在四阳极直流放电装置上,测量并分析了辉光放电的电流-电压和发光特征随气压的变化关系。结果表明,采用稳流放电模式比稳压放电具有更宽的稳定放电气压和电流范围,能在从1~800Pa的较宽气压范围内实现氦气辉光放电,放电电流可达到500mA左右。随着电极表面亮斑的变化,对于同一气压,在低电流区,放电电压几乎成指数增长;随电流增大,电压的增长速度变缓;对于高的气压,碰撞频率的增大使得电压随电流升高的速率变小。分析表明,放电处于异常辉光区。从放电管的CCD图像可以看出,对于同一放电电流,随气压的升高,等离子体往阴极收缩。 相似文献
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采用循环伏安法,对SPEPt电极以及SPEAu-Pt电极上还原态CO2的电化学氧化行为研究表明,此类电极的电化学特性与光滑Pt电极一致:CO2在氢原子吸附电位区0~250mV(vs.RHE)处,可与电极上化学吸附的氢反应,生成还原态的CO2,通过线性扫描,还原态CO2即发生一不可逆电化学氧化过程(阳极剥离).在SPEPt系列及SPEAu-Pt系列上CO2的电化学行为表明,当SPEPt系列上Pt的载量为2.5mL的0.01mol·L-1H2PtCl6的Pt时,对还原态CO2的电催化活性最好,当Pt的载量相同时,在SPEAu-Pt上,催化剂对还原态CO2的电化学氧化行为比SPEPt电极更强,这是由于预先沉积的Au对后沉积的Pt有调制作用. 相似文献
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椭圆法用于阳极溶出伏安法测定微量银 总被引:6,自引:1,他引:6
用新物理量Vop的椭圆法对阳极溶出伏安法分析的含银离子浓度为10^5-10^-9mol/L的一系列溶液进行了研究。结果表明:光学方法与电化学方法所得分析结果相同;椭圆法可检测的浓度下限比电化学方法低一个数量级以上。而且测量的相对平均偏差也小于电化学方法。 相似文献
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流通池介质交换差示脉冲阳极溶出伏安法用于多元素重叠峰的分… 总被引:1,自引:0,他引:1
本文用流通池介质交换差示脉冲阳极溶出伏安法在盐酸介质中富集,而以碳酸钠-碳酸氢钠缓冲溶液为溶出介质,有效地分离了酸性介质中Cu(Ⅱ)、Sb(Ⅲ)、Pb(Ⅱ)、Tl(Ⅰ)、Cd(Ⅱ)、In(Ⅲ)的重叠溶出峰,实现了多离子的同时测定。 相似文献
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铝是一种丰富廉价的有色金属,金属铝电池作为一种新型燃料电池,具有低成本、无毒害、高功率、高能量密度等优点。本文简述了金属铝电池的工作原理,并对铝阳极、空气阴极、催化剂、电解液和铝燃料电池的应用等方面的研究概况进行了叙述。 相似文献
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用光电化学电流法研究了铅、铅砷、铅锑和铅铋合金在4.5mol·L-1H2SO4溶液(22℃)中,以0.9V(vs.Hg/Hg2SO4)极化7h而形成的阳极膜中的氧化铅的半导体性质,合金添加剂砷、锑和铋对t-PbO(四方氧化铝)和o-PbO(斜方氧化铝)的禁带宽度没有影响,从量子效率和电位的关系可求Pb,Pb-lat%As(at%表示原子百分比,全文同),Pb-lat%Sb和Sb-lat%Bi上膜中t-Pbo的施主密度(ND)分别为9.3×1015,1.0×1016,3.1×1016和1.3×1017cm-3,平带位分别为-0.20,-0.22,-0.28和-0.08V(vs.Hg/Hg2SO4).比较VA元素砷、锑和铋对上述膜中t-Pbo的ND(从而自由电子密度)和膜中t-Pbo的生长速率的影响,可认为法添加剂砷、锑和铋对阳极膜中t-Pbo的作用符合Hauffe规则. 相似文献