全文获取类型
收费全文 | 14363篇 |
免费 | 1402篇 |
国内免费 | 12889篇 |
专业分类
化学 | 24559篇 |
晶体学 | 235篇 |
力学 | 166篇 |
综合类 | 486篇 |
数学 | 524篇 |
物理学 | 2684篇 |
出版年
2024年 | 123篇 |
2023年 | 585篇 |
2022年 | 603篇 |
2021年 | 586篇 |
2020年 | 511篇 |
2019年 | 587篇 |
2018年 | 493篇 |
2017年 | 548篇 |
2016年 | 666篇 |
2015年 | 734篇 |
2014年 | 1193篇 |
2013年 | 1099篇 |
2012年 | 969篇 |
2011年 | 919篇 |
2010年 | 890篇 |
2009年 | 990篇 |
2008年 | 1107篇 |
2007年 | 1038篇 |
2006年 | 1137篇 |
2005年 | 1080篇 |
2004年 | 1122篇 |
2003年 | 1181篇 |
2002年 | 1060篇 |
2001年 | 1216篇 |
2000年 | 916篇 |
1999年 | 860篇 |
1998年 | 751篇 |
1997年 | 845篇 |
1996年 | 752篇 |
1995年 | 686篇 |
1994年 | 607篇 |
1993年 | 549篇 |
1992年 | 475篇 |
1991年 | 492篇 |
1990年 | 446篇 |
1989年 | 393篇 |
1988年 | 123篇 |
1987年 | 87篇 |
1986年 | 66篇 |
1985年 | 83篇 |
1984年 | 32篇 |
1983年 | 36篇 |
1982年 | 8篇 |
1981年 | 4篇 |
1980年 | 1篇 |
1979年 | 1篇 |
1959年 | 3篇 |
1951年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
王剑宇王立 《南昌大学学报(理科版)》2021,45(3):229
忆阻器能够在外加电压下实现高阻态与低阻态的转换,在存储器件及仿神经网络计算等方面有着重要的应用。本文通过在Si衬底上制备得到Pt-Al2O3-Pt的金属-绝缘层-金属结构的忆阻器器件,研究了氧空位对阻值转换性能的影响。利用原子层沉积技术工艺控制生长不同氧空位浓度的Al2O3薄膜,测量并比较其Ⅰ—Ⅴ循环曲线,发现仅有在氧空位浓度较高情况下忆阻器才能够实现在高阻态和低阻态之间的转换。本文实验结果表明氧空位对于实现阻值转换性能有着重要的影响,对生长制备忆阻器器件有着重要意义。 相似文献
4.
7.
8.
9.
HIRFL–CSR加速器中束流与真空中剩余气体的碰撞损失 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了重离子加速器中束流与真空中剩余气体的碰撞损失过程和碰撞截面,在依据大量实验数据的基础上,提出了一组计算离子一原子的电荷交换截面的经验公式.以兰州重离子加速器HDRFL及冷却储存环CSR为例,给出了依据碰撞截面的公式计算束流在加速器真空中的传输效率的方法,并计算了在不同真空度下HIRFL的ECR源轴向注入束运线、注入器SFC、前束运线、主加速器SSC和后束运线等不同加速阶段及CSR的传输效率,并提出合理的真空度要求.HIRFL的真空分布测量和束流的损失测量证明了该计算方法的可靠性. 相似文献
10.