首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   2篇
  免费   1篇
  国内免费   2篇
化学   3篇
物理学   2篇
  2013年   1篇
  2011年   2篇
  2010年   1篇
  2009年   1篇
排序方式: 共有5条查询结果,搜索用时 954 毫秒
1
1.
通过在PCFs(Photonic crystal fibers,光子晶体光纤)耦合器两纤芯间空气孔内注入某种合适的液晶材料,只要其折射率在1.17-1.36之间可调,即可实现分光比在1∶1-9∶1之间的可调谐PCFs耦合器.  相似文献   
2.
卓馨  张莉  刘超  徐基贵  王聪 《无机化学学报》2011,27(9):1727-1732
以双环[2.2.2]辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸(H4L)为配体,采用水热法合成了个铜配合物[Cu2L2(H2O)2](2),并得到单晶,同时在水热条件下得到了化合物H4L.2H2O(1)的晶体。分别对化合物1和2进行了元素分析、红外光谱等分析,并用X-射线单晶衍射测定了化合物的单晶结构。化合物1属于三斜晶系,P1空间群,化合物1的晶体学数据为:a=0.88554(15)nm,b=0.95566(16)nm,c=1.043 88(17)nm,α=110.863(3)°,β=91.127(3)°,γ=91.429(3)°,V=0.824 9(2)nm3,Z=2,Mr=366.32,Dc=1.475 g.cm-3,F(000)=388,μ=0.129,R1=0.067 0,wR2=0.189 3;配合物2属于正交晶系,Pnnm空间群,配合物2的晶体学数据为:a=2.766 8(6)nm,b=0.638 75(14)nm,c=0.737 32(16)nm,V=1.303 1(5)nm3,Z=4,Mr=442.31,Dc=2.254 g.cm-3,F(000)=884,μ=3.324,R1=0.059 4和wR2=0.191 7。化合物1通过氢键形成三维网状结构,配合物2中的中心离子有3种配位方式,通过不同的配位方式也形成三维结构。  相似文献   
3.
张莉  王聪  祝丽娜 《化学学报》2009,67(18):2095-2101
利用层层静电自组装技术将聚烯丙胺盐酸盐(PAH)和四氯合钯酸根离子( )交替沉积在基底上, 然后用硼氢化钠还原, 构筑了含钯纳米粒子的PAH/Pd纳米复合薄膜. 通过紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)、扫描电子显微镜(FESEM), X射线光电子能谱(XPS)和循环伏安(CV)等手段对复合膜的组装、成分、微结构、表面形貌和光学性能进行了测试分析. FESEM图形显示膜表面有一定的粗糙度, 膜上生成了粒径在50~100 nm 范围的钯纳米粒子; UV-Vis结果显示多层膜在特征吸收峰处的吸光度数值随膜双层数增加逐渐增大, 呈良好的线性关系, 表明多层膜是均匀组装的; XPS结果证实了复合膜上有Pd生成, CV结果说明复合薄膜对尿酸的氧化具有较好的电催化活性, 有望用于电化学传感器.  相似文献   
4.
以CdTe量子点作为荧光探针,基于荧光猝灭法对Cr(Ⅲ)进行了定量检测,考察了缓冲溶液、量子点浓度、反应时间等多种因素的影响.实验结果表明,在0.1mL pH 7.3的0.2 mol/L Na<,2>HPO<,4>-NaH<,2>PO<,4>缓冲液中,反应时间为20 min,Cr(Ⅲ)浓度为2.4×10<'-7>~6.0×10<'-6>mol/L范围时,其线性回归方程为F<,0>/F=1.1274+0.0640 c(10<'-7>mol/L),相关系数和检测限分别为0.9984和4.5×10<'-8>mol/L.为Cr(Ⅲ)的测定提供了新的方法.  相似文献   
5.
刘宁  严国清  毛强  王桂英  郭焕银 《物理学报》2010,59(8):5759-5765
通过对La0.3Ca0.7Mn1-xVxO3(x=0.05,0.10,0.134,0.20)体系的M-T曲线、ρ-T曲线、ESR谱的测量,研究了Mn位掺V对La0.3Ca0.7MnO3体系电荷序和自旋序的影响.结果表明,当0.05≤x≤0.134时, 体系存在电荷有序(CO)相,其自旋序随温度降低发生顺磁(PM)-电荷有序(CO)-反铁磁(AFM)变化.当x=0.20时,CO相逐步融化,在40 K发生自旋玻璃转变,表现出再入型的自旋玻璃行为,低温下的基态存在着多种复杂的磁相互作用之间的竞争机理. 关键词: 电荷有序 自旋序 相分离 再入型自旋玻璃行为  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号