碳纳米管透明导电薄膜的可控制备

碳纳米管具有优秀的导电性能、 透光性能和十分突出的柔性, 在柔性透明导电薄膜中有着良好的应用前景. 如何制备同时拥有良好导电性能和透光性能的碳纳米管薄膜是这一领域研究的核心问题. 本综述介绍了碳纳米管薄膜的制备方法, 并重点讨论了基于漂浮催化剂化学气相沉积法的碳纳米管薄膜的可控制备. 在生长过程中限制碳纳米管的团聚、 增加碳纳米管的长度、 降低杂质的含量是提高碳纳米管薄膜性能的主要策略.     

含磷钼酸的超分子复合材料的制备和结构研究

介绍了一类端基含羧基结构的液晶性表面活性剂CDDA通过静电相互作用与磷钼酸(HPMo)进行复合,得到表面包覆柔性烷基链和羧基端基的复合物SEP-PMo,并通过元素分析、热失重等方法确认其化学结构.该复合物表现出稳定的液晶相,DSC,PLM,SAXS和TEM等研究表明其为层状相结构.进一步将SEP-PMo复合物与P4VP混合,通过羧基与吡啶环上氮的氢键相互作用,得到稳定的PMo和聚合物的复合物,同时对比研究了HPMo与P4VP直接共混后的静电复合物结构,表明经表面活性剂修饰后的PMo可在聚合物中保持其聚集态结构.     

毛细管电泳在手性化合物分离分析中的研究进展

手性化合物的对映异构体往往表现出不同的生理活性,因此建立手性化合物的有效分离分析方法具有重要意义。毛细管电泳（CE）是一种分离效率高、分析速度快、样品用量少、分离模式灵活多样的分离分析方法,在手性化合物的分离和检测领域应用广泛。该文主要综述了2017~2019年CE在手性分离分析方面的最新进展,并对其未来的发展趋势进行了展望。     

( )-12-乙基-1,4,7,10-四氧杂-13-氮杂环十五烷与镧系硝酸盐、硫氰酸盐配合物的合成表征和CD谱

合成了共１５个未见文献报道的三价镧系离子与手性氮杂冠醚（＋）－１２－乙基－１，４，７，１０－四氧杂－１３－氮杂环十五烷（以下以Ｌ（＋）表示）的配合物Ｌｎ（ＮＯ３）３·Ｌ（＋）·Ｈ２Ｏ（Ｌｎ＝Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ）；Ｌｎ（ＳＣＮ）３·Ｌ（＋）·Ｈ２Ｏ（Ｌｎ＝Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ－Ｅｒ、Ｙｂ）。对所合成配合物进行了元素分析、电导、红外、可见吸收光谱、比旋光度和圆二色谱（ＣＤ谱）的测试，并对配合物的有关物理化学性质进行了讨论。     

(+)-12-乙基-1，4，7，10-四氧杂-13-氮杂环十五烷与镧系硝酸盐、硫氰酸盐配合物的合成表征和CD谱

合成了共15个未见文献报道的三价镧系离子与手性氮杂冠醚(+)-12-乙基-1，4，7，10-四氧杂-13-氮杂环十五烷(以下以L(+)表示)的配合物Ln(NO₃)₃·L(+)·H₂O(Ln=La、Ce、Pr、Nd); Ln(SCN)₃·L(+)·H₂O(Ln=La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd-Er、Yb)。对所合成配合物进行了元素分析、电导、红外、可见吸收光谱、比旋光度和圆二色谱(CD谱)的测试，并对配合物的有关物理化学性质进行了讨论。     

膜表面具有2-羟基-3-氯丙基或环氧丙基的对pH和离子强度敏感的新型磷酸酯囊泡

近年来,囊泡已被广泛应用于药物基因传导、人工模拟酶和纳米分子器件等研究领域,在对囊泡研究中,需要对囊泡进行某种包结或化学修饰,并对囊泡的稳定性及对物质的包结与释放进行可控操作．囊泡状态下使囊泡分子间聚合是提高囊泡稳定性的有效方法之一,苯乙烯等一些可进行聚合反应的基团已被导入囊泡中,我们曾在单长链烷基磷酸酯的亲水头部引入2-羟基3-氯丙基,进而将其转变成化学活性的环氧丙基.     

二氧化硅-十八烷基三氯硅烷界面的和频光谱相位测量及其测量精度分析

相位测量和频振动光谱（SFG）可以获得物质表面分子取向等信息,但在实验重复性、实验设计和界面分析等方面仍有一些关键问题没有解决。相位误差会引起光谱变化并误导界面结构分析,因此分析并准确控制误差是相位测量SFG的关键技术。使用z-切石英作为相位标准,测量了修饰在熔融石英基底上的十八烷基三氯硅烷（OTS）在C-H振动波段的和频振动光谱,对OTS的相位光谱进行了解析,结果表明OTS虚部光谱中,2 878和2 936 cm-1处的两个正峰分别是末端CH₃的对称振动（CH₃ss）和费米共振（CH₃FR）,2 960 cm-1处的负峰为CH₃的反对称伸缩振动（CH₃as）,这三个峰的光谱特征和指认与文献一致。2 910 cm-1附近的负峰为CH₂反对称伸缩（CH₂as）,与文献比较,约有20 cm-1的偏移,且在2 850 cm-1附近还观察到一个负峰,归属为CH₂对称伸缩（CH₂ss）,分析认为与文献的差异可能是因为样品制备时间影响了OTS的分子排列结构。通过建立OTS虚部谱与CH₃取向角的关系,发现CH₃的三种振动模式的c轴与表面法线的夹角均小于90°,其H更多为向上取向且排列有序,表明相位测量相较于强度测量可以获得更丰富的表面信息。同时,讨论了待测样品和参考样品位置的非一致性对相位测量精度的影响。通过测量OTS在三个不同位置（12.1,12.3和12.73 mm）的虚部谱,并与模拟相位误差的引入对虚部谱的影响对比,发现待测样品与参考样品测量位置间2.5 μm的位移对应于1°的相位误差,20°相位的偏移会导致零点位置移动约6 cm-1,从而引起振动峰位置和符号等的改变,导致对光谱的错误解析。为了获得界面分子稳定可靠的相位信息,需要严格控制两次样品测量位置一致。实验研究结果为提高和频振动光谱相位测量的精度与准确性提供了指导,为界面分子表面态的检测与分析、及微小信号的探测提供了有效手段。     

气相助剂辅助绝缘衬底上石墨烯生长：现状与展望

借助化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)技术在绝缘衬底上直接生长的石墨烯薄膜,在能源存储/转换等领域有着广阔的应用前景。然而,绝缘衬底表面石墨烯的生长呈现成核密度高、畴区尺寸小、生长速率低等特点,获得的石墨烯薄膜往往具有较高的晶界密度和较低的层数均匀度,严重制约着石墨烯基器件性能的发挥。在反应体系中引入气相助剂可有效降低碳源裂解和石墨烯生长的能垒,从而实现石墨烯品质与生长速率的提升。本文综述气相助剂辅助绝缘衬底上石墨烯制备的方法：首先对绝缘衬底上石墨烯的生长行为进行分析;随后着重介绍几类常见的气相助剂辅助石墨烯生长的策略和机理;最后,总结绝缘衬底上制备高品质石墨烯存在的挑战,并对未来的发展方向进行展望。     

氢键双螺旋双核化合物的介电和磁耦合性质

制备了一个氢键桥联的双核Co（Ⅱ）双螺旋化合物[（L）CoCl]₂·2H₂O（L=6-甲基吡啶-2-甲醇）,并研究了它的介电和磁性质。磁性测试、HF-EPR谱分析和介电性质均表明,该分子内氢键在磁交换相互作用和介电性能中起着重要作用,从头计算对这一结论给予进一步证明。     

虚时路径积分的广义四阶拆分方法及其谐振子分析

虚时路径积分方法是计算实际体系量子热力学性质的有效工具. 本文重点分析讨论了基于二阶和四阶拆分的虚时路径积分的有效性,给出谐振子体系配分函数统一的解析形式,进而得到其热力学性质和主要误差的表达式. 通过去除谐振子配分函数的主要误差,广义对称四阶拆分中的自由参数得以固定,以此计算实际体系的热力学量可以达到期望的三阶精度.