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应用溶剂解吸-气相色谱法测定制鞋业排放废气中的正已烷,采用活性管采集成型国间排气筒中的废气,用二硫化碳解吸,填充柱分离,经FID检测器检测.废气中与正已烷共存的苯、甲苯、二甲苯在该方法下不干扰测定.解吸率高,测定精度高,该法具有准确、快速、灵敏、简便的特点. 相似文献
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固态等离激元太赫兹波器件正成为微波毫米波电子器件技术和半导体激光器技术向太赫兹波段发展和融合的重要方向之一。本综述介绍AlGaN/GaN异质结高浓度和高迁移率二维电子气中的等离激元调控、激发及其在太赫兹波探测器、调制器和光源中应用的近期研究进展。通过光栅和太赫兹天线实现自由空间太赫兹波与二维电子气等离激元的耦合,通过太赫兹法布里-珀罗谐振腔进一步调制太赫兹波模式,增强太赫兹波与等离激元的耦合强度。在光栅-谐振腔耦合的二维电子气中验证了场效应栅控的等离激元色散关系,实现了等离激元模式与太赫兹波腔模强耦合产生的等离极化激元模式,演示了太赫兹波的调制和发射。在太赫兹天线耦合二维电子气中实现了等离激元共振与非共振的太赫兹波探测,建立了太赫兹场效应混频探测的物理模型,指导了室温高灵敏度自混频探测器的设计与优化。研究表明,基于非共振等离激元激发可发展形成室温高速高灵敏度的太赫兹探测器及其焦平面阵列技术。然而,固态等离激元的高损耗特性仍是制约基于等离激元共振的高效太赫兹光源和调制器的主要瓶颈。未来的研究重点将围绕高品质因子等离激元谐振腔的构筑,包括固态等离激元物理、等离激元谐振腔边界的调控、新型室温高迁移率二维电子材料的运用和高品质太赫兹谐振腔与等离激元器件的集成等。 相似文献
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通过对三维激光扫描技术在铁路罐车中的应用研究,对扫描过程中发现的点云残缺及噪点问题进行研究分析,提出一种快速有效点云优化处理方法,新方法包括sp-H点云预处理和Eti-G建模优化。验证试验表明,采用新的点云优化处理方法可以在较短时间内将扫描点云进行去噪及残缺修补,并能够快速高效进行模型重建,提升了不同工况环境下扫描点云的适用性,提高了扫描工作效率和准确度,铁路罐车容积测量结果的相对扩展不确定度达到2.4×10?3,为铁路罐车容积扫描最高准确度等级,为三维激光扫描相关技术的发展提供一定借鉴。 相似文献
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在高中有机化学教学中学生面对复杂的分子结构有些茫然,特别是判断产物方面抓不住共价键“断键”规律,因此无法书写出正确的有机产物,笔者根据当前中学化学教学实际总结出九个方面共价键的“断裂“规律,对培养学生分析问题和解决问题,书写正确有机反应方程式将有所帮助。 相似文献
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非共沸混合工质自复叠热泵循环试验研究 总被引:3,自引:1,他引:2
单级压缩式热泵冷凝温度与蒸发温度之差一般为40~50℃,非共沸混合工质自复叠循环具有工作温差大的优点,将其应用于热泵循环,则可产生较大的供热温差。该文通过搭建一个空气源自复叠热泵实验台,利用NIST公司的制冷剂物性数据库Refprop7,绘制出了混合工质的温度-浓度图。经过实验,分析了自复叠热泵循环工作温差的影响因素,得出了自复叠热泵气液分离器简单分离对增大工作温差的作用有限,增加工质的相对挥发度也不能显著改善热泵的运行性能等结论。并进一步得出了增设分凝设施可显著增大工作温差的结论。 相似文献
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应用溶剂解吸-气相色谱法测定制鞋业排放废气中的正己烷,采用活性碳管采集成型车间排气筒中的废气,用二硫化碳解吸,填充柱分离,经FID检测器检测。废气中与正己烷共存的苯、甲苯、二甲苯在该方法下不干扰测定。解吸率高,测定精度高,该法具有准确、快速、灵敏、简便的特点。 相似文献
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转化CO2为有机组分是缓解全球变暖和保障持续能源供给的有效方法之一.采用简易的离子交换结合水合肼还原法制备了一系列不同晶相Ag2WO4载银(Ag/Ag2WO4)的等离子共振光催化剂,并用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜-能量色散X射线光谱(SEM-EDS)、紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱和比表面积测试对催化剂进行了表征.较之Ag2WO4, Ag/Ag2WO4在可见光催化还原CO2生成CH4时显示了明显提高的量子产率(QY)、能量投入产出比(EROEI)、转换数(TON),就Ag/α-Ag2WO4, Ag/β-Ag2WO4和Ag/γ-Ag2WO4而言,最佳催化剂为Ag/β-Ag2WO4,其实际最佳Ag:Ag2WO4摩尔比为4:96,该催化剂还原CO2为CH4的QY、EROEI、TON和拟一级反应速率常数分别为0.145%、0.067%、9.61和1.96×10-6 min-1.此外,制备的等离子共振Ag/Ag2WO4光催化剂在可见光辐照下进行循环反应仍能保持稳定性.局域表面等离子共振效应是强化Ag/Ag2WO4光催化剂活性和稳定性的主要原因. 相似文献
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采用垂直布里奇曼法(VB法)生长2英寸GaSb单晶,分析了GaSb多晶产生的原因,即GaSb原料与覆盖剂中残留水分发生化学反应生成氧化镓残渣,残渣吸附在坩埚内壁导致GaSb多晶形成.通过增加覆盖剂除水工艺,成功生长出2英寸高质量GaSb单晶.此外,研究了单晶内部位错分布特点,结果显示GaSb晶体具有较低的位错密度,EPD≤500 cm-2;同时,对晶体进行XRD摇摆曲线测试,其FWHM值为27 arcsec,表明晶体质量较高;此外,对晶体进行了电学性能测试,结果显示制备的GaSb晶体呈P型导电,晶体迁移率为610 cm2/V·s,载流子浓度达到了1.68×1017cm-3. 相似文献