覆氧或氧离子轰击下固体表面二次正离子发射的研究

通过对离子轰击下固体表面电离过程重新考虑认为，在固体表面覆氧或氧离子轰击下除表面原子的直接电离外，激发态双原子间电子交换和断键亦起重要作用。在此基础上修正了局部热力学平衡模型，得到了一个包含各类离子内配分函数、电离能、金属－氧原子键断键能以及表面金属原子与氧原子结合份数等参数决定的新电离几率分析表达式。应用该分析表达式解释了金属表面覆氧、氧离子轰击金属、化合物半导体表面二次离子发射中氧增强效应、充氧量对二次离子发射的影响及其基体效应等实验现象。并由此得到了元素相对灵敏度因子的分析表达式，对化合物半导体及一些陶瓷材料表面二次离子质谱分析中元素灵敏度因子随元素电离能变化曲线给予了相应的物理解释。     

覆氧或氧离子轰击下固体表面二交正离子发射的研究

通过对离子轰击下固体表面电离过程重新考虑认为，在固体表面覆氧或氧离子轰击下除表面原子的直接电离外，激发态双原子间电子交换和断键亦起重要作用，在此基础上修正了局部热力学平衡模型，得到了一个包含各类离子内配分函数、电离能、金属－氧原子键断键能以及表面金属原子与氧原子结合份数等参数决定的新电离几率分析表达式。应用该分析表达式解释了金属表面覆氧、氧离子轰击金属、化合物半导体表面二次离子发射中氧增强效应、充     

工业中的现代表面分析技术(Ⅰ) 主要仪器和方法简介

本文扼要地介绍了几种工业中常用的现代表面分析仪器和方法，如俄歇电子谱（ＡＥＳ）、Ｘ－射线光电子谱（ＸＰＳ）［或称化学分析用电子谱（ＥＳＣＡ）］、二次离子质谱（ＳＩＭＳ）等的基本工作原理、仪器结构、使用方法及其特点，简单讨论了与表面分析有关的超高真空技术、样品表面的清洁、离子束溅射及无损检测等问题．     

定量AES分析中基体效应的迭代修正法

以Shimizu提出的定量AES分析关系为基础,作者提出一种可用于二元和多元合金定量AES分析的迭代方法。通过引入合金的原子序数和原子密度的概念,计算了合金中元素的基体效应修正因子。与其它方法不同的是,本法中基体效应修正因子是合金元素浓度的函数,受到整体组分的影响。通过对文献报道的五种典型单相多晶二元合金Ag-Pd,Ni-Pd,Cr-Fe,Mo-Fe和Ni-Mg的定量分析计算发现,本法的分析精密度优于F因子法、K因子法及改进K因子修正法。     

工业中的现代表面分析技术(Ⅱ) 表面分析技术在工业生产中的应用

近２０年来表面分析技术已经渗透到了各个工业部门，由于现代表面分析技术在解决当前工业生产中的实际间题和关键工艺的质量控制中发挥了巨大的作用，所以引起了工业各部门工程技术人员的普遍重视和关注．本文主要讨论了几种主要的现代表面分析技术在电子、冶金、材料、机械和化学等工业生产中的一些应用领域及其典型的应用实例．     

应用渐进因子分析法研究了SiO2／Si样品俄歇深度剖析

首次利用渐进因子分析法对ＳｉＯ２／Ｓｉ样品俄歇深度剖析过程进行研究，发现ＳｉＯ２／Ｓｉ界面处有ＳｉＯｘ成分存在，ｘ值在１．０～１．５之间，厚度约为３０ｎｍ，含量接近５０％，Ａｒ＾＋离子束的轰击使得ＳｉＯ２薄膜内分解产生亚稳态ＳｉＯ２含量在１７％左右，研究结果表明，渐进因子分析法非常适合于俄歇深度剖析的化学态分析。     

应用渐进因子分析法研究SiO_2/Si样品俄歇深度剖析

首次利用渐进因子分析法对ＳｉＯ２／Ｓｉ样品俄歇深度剖析过程进行研究，发现ＳｉＯ２／Ｓｉ界面处有ＳｉＯｘ成分存在，ｘ值在１０～１５之间，厚度约为３０ｎｍ，含量接近５０％。Ａｒ＋离子束的轰击使得ＳｉＯ２薄膜内分解产生亚稳态ＳｉＯ２，含量在１７％左右。研究结果表明，渐进因子分析法非常适合于俄歇深度剖析的化学态分析。