喷气Z箍缩内爆等离子体的雪铲模型

 在喷气Z pinch内爆等离子体研究中，雪铲模型是一种常用的、比较简单的物理模型。根据实验中提供的电流波形，负载线质量和初始半径，可以通过雪铲模型来估算内爆到心的时刻。根据一维运动方程和不同构形下的解析解以及部分实验结果相结合，讨论了雪铲模型的适用范围。数值计算的内爆时间和实验（Gamble II, Double EAGLE, BLACKJACK 5）测量值符合得较好。结果表明，雪铲模型在喷气Z pinch实验的负载优化设计研究中是很有参考价值的方法。     

二、三分枝甘露糖簇衍生物的合成

采取一种有效途径合成了二、三分支的甘露糖簇分子．甘露糖经烯丙苷化、乙 酰基保护后，将其烯丙基的双键氧化得到带有羧基连接臂的甘露糖衍生物，然后再 分别与l，6-己二胺和三(2-氨乙基)胺进行缩合反应，最后脱掉保护基，得到二分 枝甘露糖簇化合物6和三分枝甘露糖簇化合物8．     

聚龙一号驱动Z箍缩负载内爆的简化电路模型

为方便描述聚龙一号装置与Z箍缩负载的电磁耦合过程,基于大量电参数实验数据和全电路模拟分析,建立了一个简化的集总电路模型,获得了等效电压波形和等效电阻、电感等集总参量。采用水介质三板输出线出口位置的开路电压作为等效电压,进一步拟合为正弦平方函数,峰值为3.3 MV（当前驱动器充压为65 kV）,零到峰值的时间长度为102.5ns。采用简化的流阻抗模型描述磁绝缘传输线内部空间电子流的电流损失效应。将电路程序与零维负载动力学程序耦合模拟,得到了与实验结果符合的负载电流波形,尤其电流波形的前沿和峰值符合较好,分析了电磁能转化为负载动能的过程。     

合成伏格列波糖的工艺改进

对合成伏格列波糖的工艺进行了改进。以葡萄糖为起始原料,经12步反应合成了伏格列波糖,总收率25.3%,其结构经1H NMR和13C NMR确证。     

Spectral Properties and Solubilization Location of 2'-Ethylhexyl 4-(N,N-Dimethylamino)benzoate in Micelles

在阳离子、非离子和阴离子表面活性剂胶束溶液中,研究了4-(N,N-二甲氨基)苯甲酸2'-乙基己基酯(EHDMAB)的双重荧光和紫外吸收．当EHDMAB增溶在不同的胶束溶液中,紫外吸收增强,在离子型胶束溶液中,可观察到具有较长波长的EHDMAB分子内扭转电荷转移(TICT)荧光,相反,在非离子型胶束溶液中,可观察到具有较短波长TICT荧光,特别是位于阳离子胶束Stern层中的吡啶阳离子可强烈猝灭EHDMAB分子的双重荧光,所吸收的紫外辐射主要通过TICT荧光和非辐射去活化衰减．按照EHDMAB分子TICT荧光在有机溶剂中的极性依赖性,EHDMAB分子的4-(N,N-二甲氨基)在离子型胶束和非离子型胶束中处于不同的极性环境;根据EHDMAB和表面活性剂分子的结构和大小分析,EHDMAB分子的4-(N,N-二甲氨基)应朝向胶束的极性头基团,而2'-乙基己基链则朝向疏水性的胶束内核．动态荧光猝灭测量为EHDMAB分子在不同胶束中的位置进一步提供了佐证．     

施用三乙膦酸铝后铝在黄瓜及叶片上的残留分析与评价

建立了湿法消解-石墨炉原子吸收光谱法测定黄瓜及其叶片上铝的背景含量及其施用三乙膦酸铝后铝的最终残留量. 方法线性范围为10～400 μg/L, r=0.991 6, 检出限为62.4 pg. 黄瓜中铝的添加回收率为92.1%～98.7%, RSD为4.8%～5.1%; 黄瓜叶片中铝的添加回收率为89.0%～100.1%, RSD为14%～18%, 方法的准确度和精密度均符合痕量分析要求. 结果表明, 施用三乙膦酸铝后黄瓜上铝的残留量低于参照的限量标准(＜100 mg/kg); 黄瓜叶片上的铝积累较明显, 与施药剂量和施药次数有一定的相关性.     

Perturbation of symmetries for super-long elastic slender rods

This paper analyses perturbations of Noether symmetry, Lie symmetry, and form invariance for super-long elastic slender rod systems. Criterion and structure equations of the symmetries after disturbance are proposed. Considering perturbation of all infinitesimal generators, three types of adiabatic invariants induced by perturbation of symmetries for the system are obtained.     

Z箍缩丝阵负载区域的似稳态磁场分布

 将负载区域的电流（丝阵电流、阴极板电流、阳极板电流和回流柱电流）离散成电流线或电流面等电流微元,根据毕奥-萨伐尔定律,计算所有电流微元在指定场点的磁场,再通过叠加给出该点的总磁场。研究结果发现:在丝阵外围区域,仅由丝阵电流所产生的磁场偏离无限长直导线磁场公式的值,但全部电流所产生的总磁场与公式给出的值很接近。同时,研究了不同负载结构参数下的磁场分布,结果表明：增加丝根数有助于减小单根丝表面的局部磁场,改善丝阵外围磁场分布的均匀性。     

Determining the resistance of X-pinch plasma

The current and the voltage of an X-pinch were measured. The inductance of the X-pinch was assumed to be a constant and estimated by the calculation of the magnetic field based on the well-known Biot-Savart's Law. The voltage of the inductance was calculated with L · di/dt and subtracted from the measured voltage of the X-pinch. Then, the resistance of the X-pinch was determined and the following results were obtained. At the start of the current flow the resistance of the exploding wires is several tens of Ohms, one order of magnitude, higher than the metallic resistance of the wires at room temperature, and then it falls quickly to about 1 , which reflects the physical processes occurring in the electrically exploding wires, i.e., a current transition from the highly resistive wire core to the highly conductive plasma. It was shown that the inductive contribution to the voltage of the X-pinch is less than the resistive contribution. For the wires we used, the wires' material and diameter have no strong influence on the resistance of the X-pinch, which may be explained by the fact that the current flows through the plasma rather than through the metallic wire itself. As a result, the current is almost equally divided between two parallel X-pinches even though the diameter and material of the wires used for these two X-pinches are significantly different.     

基于MEMS压阻传感器的低功耗高过载测试系统设计

为了检验弹体在高冲击环境下的工作情况,提出了一种基于压阻传感器的高过载、低功耗的测试系统设计方案。该系统可承受2×105g的过载冲击测试,且具有采样率高、体积小、功耗低的特点。通过打靶实验验证:在过载测试过程中该系统具有承受高冲击的能力,并能精确地采集到信号微弱变化,保证了弹体在飞行中记录数据的准确性。