任意偶维时空的有效作用和手征反常

由于同时考虑了左手和右手规范场, 我们利用Weil同态的方法从2n+2维时空上Abel反常的Ward恒等式, 得到了规范协变反常流的一般表达式; 再利用Chern类与Chern-Simons第二拓扑不变量的性质证明了用一个公式就包括了2n维时空上的无反常条件, 规范不变的Wess-Zumino有效作用, 以及手征反常的一般形式; 进一步揭示了M²ⁿ⁺²与M²ⁿ上这些问题之间的联系.     

46.2MeV/u~(12)C+~(64)Ni、~(58)Ni反应中发射的轻粒子和复杂碎片

用光二极管读出的CsI(Tl)闪烁探测器和多叠层硅望远镜,测量了46.2MeV/u ~(12)C引起各种靶~(64)Ni、~(58)Ni、~(12)C、~(197)Au、~(209)Bi反应中所发射的轻粒子和中等质量碎片,这些探测器对轻粒子和中等质量碎片有很好的能量分辨和质量分辨。单举的能谱用运动源模型进行了分析,对各种靶在不同角度的中等质量碎片的产额进行了比较。由单举数据推出同位素产额比随靶质量变化的系统性,讨论了N/Z自由度的平衡。     

氖的高离化态离子激发光谱和能级寿命测量

采用束箔技术研究47MeV能量的氖离子和不同材料、不同厚度的C箔(39μg/cm²)和Al箔(3.4mg/cm²)相互作用,产生高离化态的类H(Ne X)、类He(Ne Ⅸ)、类Li(Ne　Ⅷ)、类Be(Ne　Ⅶ)等少电子离子,并测量了这些离子的激发光谱和能级寿命.     

弹性弦Dirichlet边界反馈控制的镇定与Riesz基生成

本文通过一端固定 ,一端 Dirichlet边界控制的一维波动方程说明系统是 Salamon- W eiss意义下适定和正则的 .由此说明 ,由 J.L.Lions引入的用于研究双曲方程精确可控性的 H ilbert唯一性方法是控制论中著名的对偶原理 .我们讨论了系统的指数镇定及闭环系统的广义本征函数生成 Riesz基和谱确定增长条件 .我们希望通过本文使读者对目前线性偏微分控制理论的一个新动向有一基本的了解 .     

严格对角占优矩阵行列式模下界的估计和应用

严格对角占优矩阵行列式模下界的估计和应用胡永建（北京师范大学数学系９０级１００８７５）对于严格对角占优矩阵Ａ＝（ａｉｊ）∈Ｍｎ（Ｃ），即有它的行列式摸有一个下界：在本文，我们用归纳法来证明比它更好的下界估计（定理１），并讨论其应用．有关结果见文献［１...     

Preparation of Two-Qutrit Entangled State in Cavity QED

We propose a scheme to generate a 3 x 3-dimensional maximally entangled state of two particles. Two three-level atoms interact with a strongly detuned cavity so that the cavity is only virtually excited and efficient decoherence time of the cavity is greatly prolonged. Compared to other protocols, this protocol is simpler and has a higher fidelity.     

再谈涉及三角形边角的一种关系

以下用a、b、c分别表示△ABC中角A、B、C的对边.文[1]给出了两个结论:     

CHN薄膜的制备方法与工艺研究

 采用空心阴极等离子化学气相沉积方法，以NH₃/H₂的混合气体及CH4气体为原料反应气体，成功地制备了非晶的CHN薄膜，研究了CHN薄膜的沉积速率与直流电压及反应气体流量的关系。同时用X射线光电子能谱(XPS)确定了不同条件下薄膜中N原子的百分比，用原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面粗糙度及表面形貌进行了测量和表征。结果表明：薄膜中N原子的百分比最大为12%，薄膜的表面结构光滑、致密，表面粗糙度小于1 nm。     

用激光吹气注入高Z杂质使HL-1M托卡马克放电安全终止的研究

采用高Z杂质注入HL-1M等离子体中, 触发等离子体电流衰竭的实验已经施行.用激光吹气注入高Z杂质能够增加辐射冷却，等离子体在-3ms时间内迅速冷却而且在电流终止之前电子温度损失约80%.实验证明：它是一种使得大型聚变实验装置上在放电破裂之前显著减少等离子体中热能而且安全终止放电的简单、快速和有效的途径. 关键词： 高Z杂质 破裂 等离子体终止 激光吹气