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991.
采用密度泛函(DFT)方法B3P86在6 311++G(d,p)基组水平上优化得到了分子轴方向不同电偶极 场(-0.04~0.04a.u.)作用下,二甲基硅酮的基态电子状态、几何结构、电偶极矩和分子总能量.在优化构型下 用同样的基组采用杂化CIS DFT方法(CIS B3P86)研究了同样外电场条件下对二甲基硅酮的激发能和振子强度 的影响.计算结果表明,分子几何构型与电场大小和方向呈现强烈的依赖,正向电场下基态偶极矩随电场强度线 性增加,分子总能量降低,当反向电场大于0.03a.u.时,偶极距方向改变,总能量增加;激发能随电场增加急剧减 小,且对电场方向的依赖呈现出不对称性,满足Grozema关系.电场对振子强度的影响比较复杂,但仍满足跃迁选 择定则. 相似文献
992.
993.
994.
采用常规的氧化物陶瓷生产工艺与多孔技术相结合的方法,制作出不同宏观密度的PZT-95/5陶瓷样品,进行流体静压相变实验。研究表明,陶瓷材料的铁电-反铁电相变与陶瓷中气孔的存在有密切的关系,运用气孔塌陷假设可以对此现象进行定性解释,研究结果和Sandia实验室给出的结果相符合。 相似文献
995.
996.
997.
998.
999.
气相色谱-质谱联用法研究泡沫塑料中易挥发组分在环境温度下的释放行为 总被引:1,自引:0,他引:1
用气相色谱-质谱(GC-MS)联用技术研究了泡沫塑料中易挥发组分在不同环境温度下的释放行为.试验发现:泡沫塑料在一定温度下可释放出近20种化合物,其中绝大多数是带苯环的有毒有害化合物.温度对泡沫塑料中易挥发组分的逸出有着显著性影响,特别是在60℃以上.释放量随放置时间的增加而缓慢增加,在一定温度下存在着一个平衡.泡沫塑料中易挥发组分的释放量随着塑料用量的增加而增加,而温度是影响释放量的最主要因素. 相似文献
1000.