顶空-气相色谱-质谱法同时测定土壤中6种有机胺的含量北大核心CSCD

提出了顶空-气相色谱-质谱法测定土壤中甲胺、乙胺、二甲胺、二乙胺、三甲胺、三乙胺等6种有机胺含量的方法。土壤样品在顶空瓶中经盐酸溶液提取,加入一定量的氢氧化钠溶液、氨水,然后在顶空进样器中于80℃平衡30 min,使气液两相达到动态平衡。采用CP-Volamine色谱柱对目标物进行分离,质谱仪检测,外标法定量。结果显示:6种有机胺的质量浓度在一定范围内与其对应峰面积呈线性关系,检出限(3.143s)为0.00033~0.18 mg·kg^(-1);混合标准溶液中6种有机胺测定值的相对标准偏差(n=6)为2.3%~4.7%;对空白样品进行3个浓度水平的加标回收试验,回收率为80.0%~108%;方法用于5种不同类型实际土壤样品分析,两种土壤样品中检出三乙胺,检出量为11.3,391 mg·kg^(-1)。     

Clifford分析中超正则函数的拟Cauchy型积分的性质

本文研究了Dirac—Hodge方程的超正则函数解．利用超球坐标变换及估值方法，获得了拟Cauchy型积分的性质．Plemelj公式和Borel—Pompeiu公式．推广了正则函数的Cauchy型积分相应的性质及公式。     

(S_(nn))~(1/2)=200GeV下Au-Au中心碰撞中Di-omega产额上限的蒙特卡罗模拟(英文)

根据现有的关于(ΩΩ)0 的生成截面的理论计算,利用HIJING事例产生器研究了(S_(nn))~(1/2)=200GeV下Au- Au中心碰撞中(ΩΩ)0 和(NΩ)022产生过程,分别对(ΩΩ)0 的电磁作用产生过程和两步产生过程中的第一步过程进行了(ΩΩ)0 产率的计算,给出了(ΩΩ)0 产额的上限,对于电磁作用过程,其产率为(1.097±0.293)×10-10 同时我们也对(NΩ)022进行了初步的模拟,初步给出了它的产率为(0.894±0.005)×10-4.     

TOFr在STAR实验中的标定方法

基于多气隙电阻板室(MRPC)的STAR飞行时间探测器的一个板条的原型(TOFr)参加了2003年STAR实验的质子–质子对撞和氘–金对撞的物理运行.利用STAR实验中原有的赝顶点位置探测器(pVPD)和时间投影室(TPC),结合TOFr的时间及幅度信号,并考虑TOFr每个探测单元的尺寸,对影响时间分辨的各种因素进行了修正,实现了对TOFr的标定.实验数据给出的TOFr的本征时间分辨为85ps,在两倍标准方差下,其对π/K及K/p分辨的动量分别达到了1.6GeV/c和3.0GeV/c,大大提高了STAR探测器的粒子鉴别能力.     

A New Semi-Empirical Method for Total Cross Sections of Electron Scattering from Spherical Polyatomic Molecules at 30-5000 eV

Electron scattering from spherical polyatomic molecules in the intermediate and high energy range is studied by employing the developed semi-empirical formula for electron scattering from simple diatomic molecules. The total cross sections of electron scattering from CF4 and CC14 are obtained over the incident energy range 30-5000 eV. The quantitative total cross sections are compared with the measurements and with the other calculations wherever available including the results derived from the additivity rule model and the correlated optical potential [Chin. Phys. Left. 21 (2004) 474], and good agreement is obtained over the incident energy range 30-5000eV. It is shown that the calculations derived from the semi-empirical formula are much closer to the measurements than other calculations. Finally, some quantitative information of the single Yukawa potential is also obtained.     

一个数学问题的简证及其引申

《数学通报》1 999年第 3期 .第 1 1 82号数学问题 :求 1 9991 999 1 999的末六位数 (1 999个 1 999) .本文将这个数学问题作如下引申 :设ｆ(ｎ) =1 9991 999 1 999(ｎ个 1 999) .(1 )对任意自然数ｎ ,ｆ(ｎ)的末三位数是 999.(2 )当ｎ≥ 2时 ,ｆ(ｎ)的末六位数是 997999.(3 )当ｎ =2时 ,ｆ(ｎ)的末九位数是999997999.(4)当ｎ ≥ 3时 ,ｆ(ｎ)的末九位数是991 997999.证明　 (1 )当ｎ=1时 ,ｆ(1 ) =1 999.命题成立 .当ｎ ≥ 2时 ,ｆ(ｎ) =1 999ｆ(ｎ- 1 ) =(2 0 0 0 -1 ) ｆ(ｎ- 1 ) .由二项式定理可知 ,其展开式从首项至倒数第二项 ,各项均…     

热处理温度对MgB2超导线材临界电流密度及磁通钉扎的影响

将化学计量比为1∶2的Mg粉和B粉直接装管,采用原位粉末套管(PIT)技术制备了MgB2/Fe线材,在四个温度条件下(650℃,750℃,850℃,950℃)进行了热处理.采用四引线法测量了不同温度和磁场下线材的临界电流密度(Jc),分析了热处理温度对磁通钉扎的影响,采用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)研究了线材中MgB2超导相的微观结构.结果表明:热处理温度对MgB2/Fe线材的Jc和磁通钉扎特性有显著影响,最佳热处理温度应为750℃.     

1．55μm InGaAsP／InP应变量子阱激光器的LP－MOCVD生长

本文首次报导了生长温度为５５０℃，以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机物气相沉积（ＬＦＭＯＣＶＤ〕技术，高质量１．６２ｕｍ和１．３ｕｍＩｎＧａＡｓＰ及Ｉｎ０．５７Ｇａ０．４３Ａｓ０．９８Ｐ０．０４／Ｉｎ０．７３Ｇａ０．２７Ａｓ０．６Ｐ０．４量子阶结构的生长，并给出了１．５５ｕｍＧａＡｓＰ／ＩｎＰ分别限制应变量子阱结构激光器的生长条件，激光器于室温下脉冲激射，其阈值电流密度为２．４ｋＡ／ｃｍ２。     

1．55μmInGaAsP及其相应量子阱结构的LP-MOCVD生长

本文研究了用低压金属有机化合物汽相外延(LP-MOCVD)技术在(100)InP衬底上生长InGaAsp体材料及InGaAP/InP量子阱结构材料的生长条件。三甲基镓(TM63)、三甲基铟(TMh)和纯的砷烷(A8H3)、磷烷(PH3)分别用作Ⅲ族和Ⅴ族源,在非故意掺杂情况下,InGaAsP材料的载流子浓度为3.6×10¹⁵cm^-3;在液氦温度和室温下,与InP晶格匹配的InGaAsP光致发光半峰宽分别为19.2meV和63meV;对外延层的组分及厚度均匀性分别进行了转靶X光衍射仪,低温光致发光和扫描电子显微镜分析,对不同阱宽的量子阱结构材料测出了由于量子尺寸效应导致光致发光波长随阱宽增加而红移现象。     

百焦耳KrF激光用二极管的实验

描述了脉宽１００ｎｓ强流脉冲电子束单向泵浦百焦耳级ＫｒＦ准分子激光用大面积二极管的实验研究。采用１２ｃｍ×７５ｃｍ长方形碳毡阴极，３０μｍ厚铝膜或九根间距１３ｍｍ，直径１．３ｍｍ的金属丝组成的阳极。当阴阳极间距为２０～２２ｍｍ，Ｍａｒｘ发生器电压１．１～１．２ＭＶ时，二极管峰值电压为６２０～６７０ｋＶ，峰值电流１５０～１７０ｋＡ，电子束总能量大于８ＫＪ，使电子束泵浦ＫｒＦ激光器最大输出能量达１０６Ｊ。