一族一维准晶的局部电子性质

本文利用推广的实空间重整化群方法,研究按膨胀规则(A,B)→(AⁿB,A)构造的一族一维泛Fibonacci准晶系(A_n序列)的局部电子性质。所引入的2n²+1种基本变换可计算该族一维准晶中任一A_n序列在任意格点的局部格林函数和局部态密度。结果表明,该方法是有效的,A_n链的电子局部态密度象Fibonacci准晶一样,呈现临界性。 关键词：     

单糖中二级羟基的氧化和酮糖的合成

本文总结了近年来单糖中二级羟基的氧化和酮糖的各种合成方法。     

二丙酮果糖—3—酮肟及苯甲酰腙的合成

本文通过1,2:4,5-二-O-异亚丙基-β-D-赤式-2,3-己二酮-2,6-吡喃糖(1)分别与羟胺和苯甲酰肼缩合,得到了肟(2)和腙(3)。由元素分析,IR,~1H,~(13)C-NMR谱证实了其结构并说明了2的构型及3的互变异构体。     

自然数的乘法分拆数的上界

本文给出大于1的自然数n的乘法分拆数的上界。     

Hartmann－Shack传感器结构参量的自基准标定

提出一种标定Hartmann Shack波前传感器结构参量的新方法,通过基于Zernike多项式的模式复原算法推导出公式,结合实验手段获得相应数据,处理后得到微透镜阵列到CCD之间的距离.该方法有效改善了以微透镜焦距代替实际参量计算斜率引入较大误差的状况,在降低传感器装配准确度要求的同时,提高了Hartmann Shack波前传感器的探测准确度.经实验验证该方法在一般实验条件下即可获得满意效果.     

三氧化钼薄膜的制备和结构研究

采用溶胶－凝胶法成功制备了三氧化钼（MoO3)薄膜，首先，以CH3COCH2COCH3，MoO3,C6H5CH3和HOCH2CH2OCH3为原料合成三氧化钼溶胶和凝胶。凝胶的热重和差热分析（TG－DTA）显示三氧化钼的晶化出现在508℃附近的140℃范围内。其次，利用旋转涂布法在硅（111）基片上通过450℃退火处理制备了三氧化钼薄膜。XRD和FTIR谱表明薄膜为α－MoO3相。SEM形貌像显示薄膜中晶粒分布均匀致密，在基片表面无择优取向；晶粒尺度范围在0．5－1μm之间。     

5-间羟基苯基-10,15,20-三对甲氧基苯基卟啉及其锌、铜配合物的合成

卟啉类显色剂,由于其测定金属离子的灵敏度特高,已为分析化学工作者广泛重视.文献已经报道过对称的卟啉T(4-MOP)P,T(3-HP)P的合成.本文设计合成不对称的卟啉化合物Ⅰ、Ⅱ。同时合成了化合物Ⅰ的锌、铜固体配合物,结构式见附图. 实验用试剂为分析纯或化学纯,柱层析用中性氧化铝在200℃左右活化2h,硅胶在110℃活化1h.     

1,2∶4,5-二-O-异亚丙基-β-D-赤式-2,3-已二酮-2,6-吡喃糖苯甲酰腙与乙酸酐的反应(英文)

二丙酮果糖的3-OH基经氧化后,生成的二酮糖(1)与苯甲酰胼反应,形成相应的酰腙(2),该酰腙与乙酸酐反应,可立体专一地环化成二螺噁二唑类化合物,该化合物的组成及结构通过元素分析硬IR.IP.PC-NMR谱并与模型化合物8,9比较,得以确证。