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991.
本文从理论与实验两方面入手, 对高价态差金属W掺杂ZnO (WZO) 薄膜材料的特性进行分析讨论. 采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对WZO材料特性进行理论分析, 计算结果表明: W以替位形式掺入ZnO六角纤锌矿晶格结构中, 由于W-O键的键长较长引起晶格常数增加, 产生晶格畸变; 掺杂后费米能级进入导带, 其附近的导电电子主要由W 5d, O 2p及Zn 3d电子轨道提供, 材料表现出n型半导体的特性; 同时能带简并效应使其光学带隙展宽. 为进一步验证该理论分析结果的适用性, 本文采用脉冲直流磁控溅射技术进行了本征ZnO及WZO薄膜的实验研究, 结果表明: W掺入未改变ZnO的生长方式, 但引起薄膜的晶格常数增加, 电阻率由本征ZnO的1.35× 10-2 Ω·cm减小到1.55× 10-3 Ω·cm, 光学带隙由3.27 eV展宽到3.48 eV. 制备的WZO薄膜在400-1100 nm的平均透过率大于83%. 实验结果对理论计算结果进行了验证, 表明WZO薄膜作为透明导电薄膜的应用潜力. 相似文献
992.
993.
Robust stabilization of state delayed discrete-time Takagi-Sugeno fuzzy systems with input saturation via an anti-windup fuzzy design 下载免费PDF全文
We consider the robust stabilization problem for discrete-time Takagi-Sugeno(T-S) fuzzy systems with timevaried delays subjected to input saturation.We design static and dynamic anti-windup fuzzy controllers to ensure the convergence of all admissible initial states within the domain of attraction.Based on the project lemma and classical sector conditions,the conditions for the existence of solutions to this problem are obtained and expressed in terms of a set of linear matrix inequalities.Finally,a numerical example is provided to illustrate the effectiveness of the proposed design approach. 相似文献
994.
This paper is concerned with the three-dimensional non-autonomous BrinkmanForchheimer equation.By Galerkin approximation method,we give the existence and uniqueness of weak solutions for non-autonomous Brinkman-Forchheimer equation.And we investigate the asymptotic behavior of the weak solution,the existence and structures of the(H,H)-uniform attractor and(H,V)-uniform attractor.Then we prove that an L 2-uniform attractor is actually an H 1-uniform attractor. 相似文献
995.
双功能金属卟啉催化环氧化合物与 CO2 偶联反应合成环碳酸酯 总被引:1,自引:0,他引:1
合成了新颖的双功能水溶性金属卟啉 催化剂 M(TTMAPP)I4(X) (M = Co, Fe, Mn 和 Cr; X = OAc, CF3COO, CCl3COO, OTs, Cl, Br 和 I), 研究了它们催化 CO2 与末端环氧化合物合成环碳酸酯的偶联反应. 分别考察了反应温度、不同金属的 Lewis 酸中心、抗衡离子和催化剂重复使用次数对反应性能的影响. 当以 Co(III)(TTMAPP)I4(OAc) 为催化剂, 底物与催化剂摩尔比为 1 000, 温度为 353 K, CO2 压力为 667 kPa 和无溶剂条件下, 反应 5 h 时丙烯环碳酸酯收率为 95.4%. 在 298 K, 底物与催化剂之比为 2 000 时, 加入 1 ml 甲醇, 反应 24 h 丙烯环碳酸酯收率为 19.4%. 催化剂可以用乙醚回收, 循环使用 5 次后催化剂活性没有明显降低. 相似文献
996.
997.
998.
999.
用射频等离子增强化学气相沉积技术(RF-PECVD)制备非晶碳化硅(a-SiC:H)和不同掺氮量的碳化硅基(a-SiCNx:H)介质薄膜.采用傅里叶红外光谱(FIRT),X射线光电子谱仪(XPS),纳米压入仪(Nano IndenterA○R-XP),Agilent 4294A高精度阻抗分析仪,俄歇能谱仪(AES)和场发射高分辨透射电镜(HRTEM)表征氮掺杂对碳化硅基薄膜化学键组成、微观结构、机械性能、介电常数和阻挡铜扩散性能的影响.实验结果表明:通过控制薄膜的氮含量可实现其介电常数在38—52范围内可调.随着反应源中氨气(NH3)流量的增加,碳化硅基薄膜中Si—N和C—N化学键比例增加以及由此导致的薄膜微观结构致密化是氮掺杂显著提高碳化硅基薄膜机械性能、热稳定性和阻挡铜扩散性能的机理. 相似文献
1000.
介绍了一种应用于强流束二极管的径向绝缘结构,并对其在纳秒脉冲条件下的沿面闪络放电现象进行了研究。使用计算机模拟静电场的方法,对锥形结构绝缘子表面的电场分布进行了研究,优化了几何结构参数。在脉宽为40 ns,重复频率100 Hz的脉冲功率源上对绝缘子进行了实验研究。在历时18个月及100 000次脉冲实验后,发现绝缘子表面具有明显的树枝状放电现象,树枝状放电的根部碳化严重,绝缘子深度方向被完全击穿碳化,出现孔洞。基于固-液交界面闪络特性,对树枝状放电的可能原因进行了探讨。 相似文献