全文获取类型
收费全文 | 2388篇 |
免费 | 586篇 |
国内免费 | 789篇 |
专业分类
化学 | 1513篇 |
晶体学 | 98篇 |
力学 | 290篇 |
综合类 | 80篇 |
数学 | 429篇 |
物理学 | 1353篇 |
出版年
2024年 | 20篇 |
2023年 | 69篇 |
2022年 | 89篇 |
2021年 | 63篇 |
2020年 | 62篇 |
2019年 | 104篇 |
2018年 | 102篇 |
2017年 | 97篇 |
2016年 | 98篇 |
2015年 | 80篇 |
2014年 | 176篇 |
2013年 | 138篇 |
2012年 | 162篇 |
2011年 | 132篇 |
2010年 | 144篇 |
2009年 | 148篇 |
2008年 | 165篇 |
2007年 | 116篇 |
2006年 | 127篇 |
2005年 | 121篇 |
2004年 | 107篇 |
2003年 | 116篇 |
2002年 | 95篇 |
2001年 | 78篇 |
2000年 | 62篇 |
1999年 | 101篇 |
1998年 | 92篇 |
1997年 | 116篇 |
1996年 | 115篇 |
1995年 | 88篇 |
1994年 | 80篇 |
1993年 | 75篇 |
1992年 | 71篇 |
1991年 | 59篇 |
1990年 | 59篇 |
1989年 | 59篇 |
1988年 | 19篇 |
1987年 | 19篇 |
1986年 | 26篇 |
1985年 | 24篇 |
1984年 | 11篇 |
1983年 | 19篇 |
1982年 | 11篇 |
1981年 | 5篇 |
1980年 | 7篇 |
1963年 | 5篇 |
1960年 | 4篇 |
1958年 | 5篇 |
1957年 | 3篇 |
1955年 | 5篇 |
排序方式: 共有3763条查询结果,搜索用时 24 毫秒
991.
本文报道的是作者利用分子作为介质,通过非线性光学过程(四波和频,三次谐波)在真空紫外波段产生宽带可调谐相干光的理论和实验研究及其结果,实验产生的宽波段可调谐激光输出为建成完备的小型真空紫外激光光源奠定了基础。此文还报道了作者用该光源在XUV波希成功测量分子转动温度的方法和结果。 相似文献
992.
室温下在单晶Si中注入(0.6—1.5)at%的C原子,部分样品在C离子注入之前在其中注入29Si+离子产生损伤,然后在相同条件下利用高温退火固相外延了Si1-xCx合金,研究了预注入对Si1-xCx合金形成的影响.如果注入C离子的剂量小于引起Si非晶化的剂量,在950℃退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇,难于形成Si1-xC关键词:
离子注入
固相外延
1-xCx合金')" href="#">Si1-xCx合金 相似文献
993.
内燃机统治运输业和小规模能量的时代历时很长了,它能被什么取代好像是难以想象的。但对交通和环境影响的关注正日益增强。关于洁净燃料的立法已经提出来了。随着工业技术的进步,通过高效率的发动机和催化体系,已经降低了内燃机排放物的污染。但随着越来越多的国家工业化,在21世纪中叶,将会有10亿辆汽车出现在公路上。传统发动机的改善是否足以避免全球变暖和交通污染对健康的直接威胁,是让人怀疑的。人口密集的城市加利福尼亚,最先体验到空气污染的威胁,在1994年提出了“零排放车辆”的倡导。根据倡导的目标,到1998年零排放的新车辆要达到2%,2000年增长到5%,2003年增长到10%。 相似文献
994.
995.
基于三维各向异性分形理论的固定机械结合面法向接触刚度建模研究 总被引:1,自引:0,他引:1
摘要:将结合面微凸体拓展为椭球体,基于KE有限元模型,类比球形微凸体在弹塑性接触变形阶段法向载荷、接触面积以及变形量之间的关系,根据椭球体的弹性接触理论,采用代入法得到了表征椭球形微凸体弹塑性接触变形机制的对应关系式。结合三维各向异性分形几何理论得到了结合面接触点离心率的有效区间为[0,0.7374],在此基础上,假设结合面接触点离心率分布在有效区间内,在该区间上服从指数分布,且与接触点面积分布相互独立,根据概率论以及接触点的面积大小分布函数,获得了关于结合面接触点面积与离心率的二维联合分布密度函数,进而建立了包含椭球形微凸体完全弹性、弹塑性以及完全塑性三种变形机制的结合面法向接触刚度分形模型。所建模型理论刚度与实验数据的对比结果,表明了模型的正确性及有效性,能较好的预测固定结合面在轻载状态下的法向接触刚度。 相似文献
996.
选区激光熔化中, 铺粉质量会极大地影响产品的最终质量. 然而, 成形区粗糙表面对铺粉质量影响的研究较少. 因此, 本文以成形区粗糙表面作为新的铺粉基板, 通过离散元法, 研究铺粉过程中成形区的表面形貌和工艺参数对铺粉质量的影响, 并分析铺粉过程中金属粉末在成形区粗糙表面的颗粒动力学和颗粒沉积机制. 结果表明, 将激光扫描方向与铺粉方向旋转一定角度可有效提高粉末层质量, 增加铺粉层厚可减小成形区粗糙表面对铺粉质量的影响. 减小搭接率可提高成形区对颗粒的滞留能力, 从而使更多的颗粒沉积在成形区, 提高粉床填充密度, 但是粉末颗粒会与成形区的粗糙表面碰撞, 产生颗粒迸溅现象. 此外, 铺粉过程中, 由于成形区粗糙度的增大, 成形区粗糙表面上的粉堆产生的强力链、力拱数量多于表面光滑的成形区. 在滚轮作用下, 力拱断裂导致颗粒重新排列, 形成致密的粉末层. 在成形区边界处, 力拱的产生会最终导致边界处的粉末层出现空斑缺陷. 本研究有助于通过优化工艺提高粉床质量. 相似文献
997.
考虑拉索垂度及几何非线性,研究了不同索力拉索的瞬时相频特性。利用斜拉索面内分布激励下的运动控制方程,采用多尺度法对微分方程进行摄动求解,分别得到面内、外主共振响应的近似解析式,再采用Hilbert变换得到响应与激励的瞬时相位差及其幅值。研究了不同索力下,响应与激励的瞬时相位差的变化规律及其原因。研究表明:面外主共振响应与激励间保持恒定的相位差,而面内响应与激励的瞬时相位差与索弹性参数和垂度等有关,微小的索力变化可能导致瞬时相频特性的明显改变。主要原因是面内响应的近似解中存在两倍频项和漂移项,前者使响应瞬时相位在单个周期内出现两次正负交替,后者决定面内响应与激励瞬时相位差的最大值及其变化规律。 相似文献
998.
针对一类同时存在非线性项和不确定项的离散时滞系统,研究了系统的鲁棒稳定性问题.通过构造Lyapunov函数并利用Schur补引理以线性矩阵不等式(LMI)形式给出了系统鲁棒稳定的充分条件;利用离散时滞系统鲁棒稳定性的充分条件,采用LMI技术,设计出基于LMI的状态反馈鲁棒控制器;理论证明该方法设计的控制器保证闭环系统鲁棒渐近稳定. 相似文献
999.
研究土壤和水系沉积物中硒的价态有助于了解硒(Se)的迁移和转化。目前报道大多只是测定土壤和水系沉积物中部分Se的价态,而如何测定土壤和水系沉积物中全部Se的价态一直是一个难题,难点在于如何将土壤和水系沉积物中的Se消解完全而不改变Se的价态。试验发现6.0 mol·L-1 HCl可以将Se(Ⅵ)还原成Se(Ⅳ);而在室温条件下1.2 mol·L-1 HCl介质中Se(Ⅳ)和Se(Ⅵ)放置48 h,价态保持不变。Se(Ⅳ)和Se(Ⅵ)采用HNO3+HF+HClO4进行消解,加热到HClO4冒白烟时,Se(Ⅳ)和Se(Ⅵ)的价态保持不变;而土壤和水系沉积物中Se采用HNO3+HF+HClO4进行消解,加热到HClO4蒸干以后,Se(Ⅳ)会被氧化成Se(Ⅵ)。基于以上的研究结果,建立了氢化物发生-原子荧光光谱法(HG-AFS)测定土壤和水系沉积物中Se(Ⅳ)和Se(Ⅵ)的方法,样品采用HNO3+HF+HClO4消解,加热至HClO4冒白烟后停止加热(避免局部蒸干),消解后的样品冷却至室温用1.2 mol·L-1 HCl溶解,采用 HG-AFS测定得到样品中Se(Ⅳ)。消解后的样品采用6.0 mol·L-1 HCl 加热溶解,将Se(Ⅵ)全部还原为Se(Ⅳ),采用HG-AFS测定得到样品中总Se,利用差减法得Se(Ⅵ)。测定结果表明土壤和水系沉积物中Se消解完全,Se(Ⅳ)和Se(Ⅵ)在分析过程中价态保持不变,Se(Ⅳ)和总Se的检出限分别为4.5和5.1 ng·g-1,Se(Ⅳ)和Se(Ⅵ)加标回收率分别为102%~108%和94%~104%。 相似文献
1000.
We carefully investigate the transport and capacitance properties of few layer charge density wave (CDW) 2HTaS2 devices. The CDW transition temperature and the threshold voltage vary from device to device, which is attributed to the interlayer interaction and inhomogeneous local defects of these micro-devices based on few layer 2H-TaS2 flakes. The nonlinear rather than linear current voltage characteristic of 2H-TaS2 devices is observed in our experiment at low temperature. The temperature dependence of the relative threshold voltage can be scaled to (1 - T /Tr )^0.5+δ with δ = 0.08 for the different measured devices with the presence of the CDWs. The conductance-voltage and capacity-voltage measurements are performed simultaneously. At very low ac active voltage, we find that the hysteresis loops of these two measurements exactly match each other. Our results point out that the capacity-voltage measurements can also be used to define the threshold depinning voltage of the CDW, which gives us a new method to investigate the CDWs. 相似文献