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991.
992.
基于磁荷模型,在有限差分法基础上,推导了3维永磁体数值算法,结合全3维PIC/MCC粒子模拟算法,数值分析比较了外置型和“伞状”型两种特殊形态多峰磁场对电子能量沉积的影响。模拟结果表明:二者都能对粒子起到约束作用且能过滤引出负氢离子,同时二者电子能量分布规律基本一致,都呈现了双电子能态,符合等离子体放电基本机理;外置型过滤磁场对粒子的约束能力更强,能明显产生更多的粒子,总粒子数大约是“伞状”型过滤磁场情况下的4倍;“伞状”型过滤磁场能有效地抑制由磁场不均匀所引起的电子漂移,使产生的负氢离子空间分布更均匀。模拟结果与国外实验结果基本一致。 相似文献
993.
提出了一种研究混响室问题的理论分析方法,从理想混响室的离散概率模型出发,采用蒙特卡罗模拟来获得室内电磁场量及其相关物理量的概率统计特性。运用该方法获得了混响室内若干场量(均为归一化值)的概率密度函数、室内一段均匀无耗单导体传输线的负载平均耦合截面及负载电流响应模值的概率分布,所得结果与已有文献给出的结果(包括由解析公式计算或测量所得的结果)吻合良好。由于蒙特卡罗方法的普适性,采用该方法可以获得任意待分析参量的全部概率统计特性(只要样本数足够大)。同时该方法无需针对具体混响室进行,只要在其测试区域能较好地与理想混响室的基本概率模型相吻合,就能给出较精确的计算结果,且其计算量远远小于基于全波分析的蒙特卡罗方法。 相似文献
994.
995.
996.
聚焦评价函数和极点搜索策略是自动聚焦的重要模块,直接影响聚焦的效果.为同时满足自动聚焦速度和精度上的要求,提出了一种新的自动聚焦算法.该算法综合了快速改进的灰度差分法和高精度小波变换法的优点,根据各阶段聚焦评价函数的梯度选择合适的评价函数和镜头移动步长,并且实现了从大步长快速粗扫到小步长精确细调的过渡.实验表明,与传统... 相似文献
997.
We investigate the electronic structure of Ag2HgSnSe4 in a wurtzite-stannite structure with the first principles method. This crystal is a direct band-gap compound. In addition the dielectric function, absorption coefficient, reflectivity, and energy-loss function are studied using the density functional theory in the generalized gradient approximation. We discuss the optical transitions between the valence bands and the conduction bands in the spectrum of the imaginary part of the dielectric function at length. We also find a very high absorption coefficient and a wide absorption band for this material. The prominent structures in the spectra of reflectivity and the energy-loss function are discussed in detail. 相似文献
998.
Evaluation of thermal resistance constitution for packaged A1GaN/GaN high electron mobility transistors by structure function method* 下载免费PDF全文
The evaluation of thermal resistance constitution for packaged A1GaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) by structure function method is proposed in this paper. The evaluation is based on the transient heating measurement of the A1GaN/GaN HEMT by pulsed electrical temperature sensitive parameter method. The extracted chip-level and package-level thermal resistances of the packaged multi-finger A1GaN/GaN HEMT with 400μm SiC substrate are 22.5 K/W and 7.2 K/W respectively, which provides a non-invasive method to evaluate the chip-level thermal resistance of packaged A1GaN/GaN HEMTs. It is also experimentally proved that the extraction of the chip- level thermal resistance by this proposed method is not influenced by package form of the tested device and temperature boundary condition of measurement stage. 相似文献
999.
1000.
Motivated by the recent pioneering advances on nanoscale plasmonics and also nanophotonics technology based on the surface plasmons (SPs), in this work, we give a master equation model in the Lindblad form and investigate the quantum optical properties of single quantum dot (QD) emitter coupled to the SPs of a metallic nanowire. Our main results demonstrate the QD luminescence results of photon emission show three distinctive regimes depending on the distance between QD and metallic nanowire, which elucidates a crossover passing from being metallic dissipative for much smaller emitter-nanowire distances to surface plasmon (SP) emission for larger separations at the vicinity of plasmonic metallic nanowire. Besides, our results also indicate that, for both the resonant case and the detuning case, through measuring QD emitter luminescence spectra and second-order correlation functions, the information about the QD emitter coupling to the SPs of the dissipative metallic nanowire can be extracted. This theoretical study will serve as an introduction to understanding the nanoplasmonic imaging spectroscopy and pave a new way to realize the quantum information devices. 相似文献