Photoluminescence and X-Ray Photoelectron Spectroscopy of p-Type Phosphorus-Doped ZnO Films Prepared by MOCVD

Reproducible p-type phosphorus-doped ZnO （p-ZnO：P） films are prepared on semi-insulating InP substrates by metal-organic chemical vapour deposition technology. The electrical properties of these films show a hole concentration of 9.02 × 10^17 cm ^-3, a mobifity of 1.05 cm^2 /Vs, and a resistivity of 6.6 Ω.cm. Obvious acceptorbound-exciton-related emission and P-induced zinc vacancy （Vzn） emission are observed by low-temperature photoluminescence spectra of the films, and the acceptor binding energy is estimated to be about 125meV. The local chemical bonding environments of the phosphorus atoms in the ZnO are also identified by x-ray photoelectron spectra. Our results show direct experimental evidence that Pzn-2Vzn shallow acceptor complex most likely contributes to the p-type conductivity of ZnO：P films.     

Upper Critical Fields and Anisotropy of BaFe1.9Ni0.1As2 Single Crystals

Temperature dependence of the upper critical magnetic field （Hc2） near Tc of 20 K in a BaFe1.9 Ni0.1 As2 single crystal is determined via magneto-resistance measurements, for the out-plane （H ⊥ab） and in-plane （H ｜｜ ab） directions in magnetic fields of up to 8 T. The upper critical fields at zero temperature estimated by the Werthamer-Helfand- Hohenberg （WHH） formula are μ0H^｜｜ c2（0） = 137 T and μ0H⊥c2（0） = 51 T, both exceeding the weak-coupling Pauli paramagnetic limit （μ0Hp = 1.84Tc）. However, the WHH formula could overestimate the μ0H^｜｜12（0） value. The anisotropy of upper critical fields is around 3 in the temperature range close to Tc. The result is very similar to the Co-doped 122 superconductor BaFe2-x Cox As2, indicating that electron-doped 122 superconductors exhibit similar superconducting properties.     

Hydrothermal Synthesis and Vacuum Ultraviolet-Excited Luminescence Properties of Novel Dy^3＋-doped GdPO4 White Light Phosphors

Novel Dy^3＋-doped GdPO4 white light phosphors with a monoclinic system are successfully synthesized by the hydrothermal method at 240℃. The strong absorption at around 147nm in the excitation spectrum is assigned to the host absorption. It is suggested that the vacuum ultraviolet excited energy is transferred from the host to the Dy^3＋ ions. The f - d transition of the Dy^3＋ ion is observed to be located at 182nm, which is consistent with the calculated value using Dorenbos＇s expression. Under 147nm excitation, Gd0.92PO4：0.08Dy^3＋ phosphor exhibits two emission bands located at 572 nm （yellow） and 478 nm （blue）, which correspond to the hypersensitive transitions ^4 F9/2-^6 H13/2 and ^4 F9/2-^6 H15/2. The two emission bands lead to the white light. Because of the strong absorption at about 147nm, Gd0.92PO4：0.08Dy^3＋ under vacuum ultraviolet excitation is an effective white light phosphor, and has promising applications to mercury-free lamps.     

导电聚吡咯的研究

介绍了1995年获国家自然科学二等奖项目“导电聚吡咯的研究”（主要完成人：钱人元、李永舫、毕先同、裴启兵、鄢宝珍）的主要研究成果以及获奖后的研究新进展,涉及的研究内容包括导电聚吡咯的电化学聚合过程和机理、导电聚吡咯的结构、稳定性、电化学性质以及导电聚吡咯复合材料的制备等。     

过渡金属掺杂二氧化钛光催化性能的研究

采用浸渍法制备了过渡金属掺杂的光催化剂MOx/TiO2(M=Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu).以乙酸的光催化氧化降解反应为探针,研究了催化剂的光催化性能.研究结果表明,经过渡金属掺杂改性的二氧化钛,光催化性能都有所提高.掺杂量有一个最佳值,在最佳掺杂量时,催化剂光催化性能的提高程度与对应金属氧化物的生成焓有很好的一致性,还发现光催化性能与过渡金属离子稳定氧化态的电子亲和势与离子半径的比值间呈现火山型关系曲线.     

采用紫外光提高双掺杂铌酸锂晶体中全息记录的灵敏度和光栅强度

提出了一种在双掺杂铌酸锂晶体中用调制的双紫外光进行非挥发全息记录的方法。与通常的用紫外光敏化的非挥发全息记录相比,这种方法可以大幅度地提高光栅强度和记录灵敏度。联立双中心物质方程和双光束耦合波方程,数值分析了光栅强度和衍射效率随时间的变化并讨论了掺杂浓度和记录光强对紫外光非挥发全息记录机制下光折变效应的影响。研究发现,紫外光记录得到的深浅中心的光栅具有相同的相位,总的光栅（深浅中心光栅的叠加）强度为两光栅强度之和,固定过程中深中心的光栅得到增强;增大深浅中心掺杂的浓度可以提高光栅强度,增大记录紫外光的光强可以增加光栅的强度和记录灵敏度。理论模拟可以证实并预测实验结果。     

含苯胺低聚物侧链的导电共聚物的合成与性能研究

通过高分子反应合成了含有不同长度苯胺链段的聚甲基丙烯酸类接枝聚合物 ,研究结果发现 ,当苯胺链段达到一定长度时 ,经质子酸掺杂后的聚合物具有一定的电导性 ,其中 ,接枝苯胺八聚体的共聚物经质子酸掺杂后其电导率可以达到 10 - 5S cm .     

硅中稀土掺杂层的光致发光研究及其关键问题

利用离子注入技术,对稀土掺杂到半导体单晶硅中的光致发光行为进行了研究。室温下得到了La,Ce和Nd稀土掺杂层的蓝紫色光致发光光谱,并首次观测到硅中稀土掺杂层室温下的光致上转换发光现象。光致发光强度随着稀土掺杂量的增加和热处理温度的上升急剧增强。在紫外光激发下,发光强度随着激发光波长的减小而增大;在光致上转换过程中,发光强度随着激发波长的增加而上升。这表明光致发光强度与稀土元素的掺杂量、掺杂层的结构与热处理温度有密切的关系。文章对在室温下这些稀土掺杂层的光致发光行为进行了分析,并提出了硅中稀土掺杂层光致发光行为研究今后需要重点解决的几个主要问题。     

柔性衬底白色有机电致发光器件的制备及其性能

采用以ITO为导电层的柔性透明PET基片作为衬底,以2-(2-羟基苯基)苯并噻唑螯合锌(Zn(BTZ),)作为发光层制备出结构为PET／ITO／PVK：TPD／Zn(BTZ)2／Al明亮的近白色柔性有机小分子电致发光器件。发光的色坐标值为x=0．242,y=0．359,在25V的直流电压驱动下,亮度为1000cd／m^2,量子效率达到了0．30％。并进一步在Zn(BTZ)2中掺入橙红色染料Rubrene,制成PET／ITO／PVK：TPD／Zn(BTZ)2：Rubrene／Al结构器件。实现了纯白色发光(色坐标值：x=0．339,y=0．339),非常接近于白色等能点,驱动电压为25V时器件的亮度达1200cd／m^2,且量子效率达0．35％。最后对器件的发光性能及机理进行了深入的研究和探讨。     

980 nm脉冲激发下Er3+掺杂材料中4Ⅰ13/2→4Ⅰ15/2跃迁的瞬态行为

在过去的几十年人们对Er3+掺杂的玻璃材料进行了广泛的研究,因为Er3+的4Ⅰ13/2→4Ⅰ15/2跃迁能够给出适合红外光通讯窗口的1.5 μm的发射.据我们所知,目前关于脉冲激光激发下Er3+掺杂材料1.5 μm发射的动力学行为研究报道仍很少.我们引入了转移函数理论,研究了980nm脉冲激发下Er3+的4Ⅰ13/2能级荧光的动力学行为.发现在980nm脉冲激发后,其荧光衰减遵循双指数规律,4Ⅰ13/2能级布居分为指数上升和指数下降两个过程.