3-芳胺甲烯基-5,6-二氢-二氢吡喃-2,4-二酮类化合物催化氢化反应选择性的理论研究

用分子力学方法、AM1半经验方法以及从头算密度泛函B3LYP/6-311G^**方法研究了3-芳胺甲烯基-5,6-二氢-二氢吡喃-2,4-二酮类化合物在催化氢化反应中影响反应选择性的因素,结果表明,R基团对自由基中间物稳定性的影响决定了反应选择性.     

N-(2-甲基-6-乙基苯基)丙氨酸对映体的毛细管电泳分离

采用高效毛细管区带电泳法,以β-环糊精及其衍生物作为手性选择剂,对外消旋N-(2-甲基-6-乙基苯基)丙氨酸(EMPA)的两个对映体进行了手性分离,比较了环糊精种类、环糊精浓度、电解质溶液pH值、温度和电场强度对分离的影响.实验结果表明,采用2,6-O-二甲基-β-环糊精为手性选择试剂,环糊精浓度为40mmol/L、电解质溶液pH=5.5及温度为20℃时分离效果最佳,对映体基本达基线分离,线性范围为20～200mg/L,最低检测限为10mg/L.     

2-乙酰基-6-甲氧基萘的多相催化氢化

乙酰基溴甲基萘;甲氧基萘基;2-乙酰基-6-甲氧基萘的多相催化氢化     

氧化铜和聚磷酸铵对聚酰胺6热降解行为的影响

氧化铜和聚磷酸铵对聚酰胺6热降解行为的影响     

有界局部紧Vilenkin群上的广义Calderón-Zygmund算子(英文)

记Ｇ为一有界局部紧的Ｖｉｌｅｎｋｉｎ群．我们引进了Ｇ上的一类Ｃａｌｄｅｒｏｎ－Ｚｙｇｍｕｎｄ型算子,并且证明了它们的加权ＬＰ（Ｇ）有界性．另外还给出了这些结果的一些应用．     

G函数类及其应用

本文引进了抛物型 Ｇ函数类,并得到 Ｇ函数类的 Ｈǒｌｄｅｒ连续性． Ｇ函数类概念的引进,是为了证明散度型抛物型方程第一边值问题解的存在性和正则性．     

Ln7O6（BO3）（PO4）2：Eu（Ln=Al,Gd,Y）的UVU—UV激发和辐射发光

本文报道了Ln7O6(BO3)(PO4)2:Eu(Ln=La,Gd,Y)在UVU－UV区的激发光谱及Eu^3 在可见区的发射光谱,其激发光谱包括基质在真空紫外区的激发带和激活剂离子在紫外区的Eu^3 -O^2-电荷迁移带,随着La^3 ,Gd^3 ,Y^3 离子半径逐渐减小,Eu^3 -O^2-电荷迁移带的重心位置逐渐向高能量方向移动,Gd7O6(BO3)(PO4)2:Eu和Y7O6（BO3）（PO4）2：Eu在真空紫外区的吸收与Eu^3 -O^2-电荷迁移带位于紫外区的吸收的比值要高于在La7O6(BO3)(PO4)2:Eu中的这个比值,激发能可被基质吸收,传递给激活剂离子,得到Eu^3 的红光发射,在Gd7O6(BO3)(PO4)2:Eu中,^5D0→^7F1的发射强度较强,在Y7O6（BO3）（PO4）2：Eu中,^5D0→^7F2和^5D0→^7F3的跃迁较强。     

紫外激光晶体Ce~(3+)∶LiSrAlF_6发光温度依赖中的陷阱效应

在 10 5～ 30 0K温区内 ,测量了X射线激发下Ce3+ ∶LiSrAlF6晶体发光强度的温度依赖 (I T) ,在 2 37～30 0K温区内发光强度有特殊的增强结构 ,结合 10 5～ 30 0K温区内热释光的测量 ,证实这种发光强度的增强效应是由于陷阱参与发光过程所导致。通过对热释光曲线的进一步分析 ,得到深度分别为 0 5 1eV和 0 5 5eV的陷阱能级 ,这些陷阱主要源于Ce3 + 取代Sr2 + 所形成的杂质缺陷和基质LiSrAlF6中的F-空位以及Li+ 空位所形成的本征缺陷。     

SiC/SiO_2界面粗糙散射对沟道迁移率影响的Monte Carlo研究

提出了一种SiC反型层表面粗糙散射的指数模型 ,并对 6H SiC反型层迁移率进行了单电子的MonteCarlo模拟 ,模拟中考虑了沟道区的量子化效应 .模拟结果表明 ,采用表面粗糙散射的指数模型能够使SiC反型层迁移率的模拟结果和实验值符合得更好 .模拟结果还反映出有效横向电场较高时表面粗糙散射的作用会变得更显著 ,电子的屏蔽效应降低了粗糙散射对沟道迁移率的影响 ,温度升高会引起沟道迁移率降低 .     

SiC/SiO2界面粗糙散射对沟道迁移率影响的Monte Carlo研究

提出了一种SiC反型层表面粗糙散射的指数模型,并对6H-SiC反型层迁移率进行了单电子的Monte Carlo模拟,模拟中考虑了沟道区的量子化效应.模拟结果表明,采用表面粗糙散射的指数模型能够使SiC反型层迁移率的模拟结果和实验值符合得更好.模拟结果还反映出有效横向电场较高时表面粗糙散射的作用会变得更显著,电子的屏蔽效应降低了粗糙散射对沟道迁移率的影响,温度升高会引起沟道迁移率降低. 关键词： 6H-SiC 反型层迁移率 表面粗糙散射 指数模型