光纤生物传感器在HER3抗体药物定量检测中的应用

为了实现对生物分子间相互作用过程的实时、灵敏、快速监测,获得生物分子的有无、浓度与相互作用的动力学参数信息,本文设计了基于光纤生物传感器的生物亲和性检测方法。首先,针对光干涉生物亲和性传感检测系统的光学传输系统"Y"型分叉光纤与光纤探针之间的耦合问题,提出了自聚焦透镜与石英光纤耦合结构,该耦合结构偏心公差能够达到0.02 mm,倾斜公差能够达到0.1°;针对干涉光谱信号的高频噪声问题,采用一种改进的经验模态分解干涉光谱信号处理方法,有效避免了干涉光谱曲线滤波处理后极值点位置的偏移;同时采用局部拟合极值点计算生物分子膜层厚度的方法,将生物分子膜层厚度的分辨率提高到50 pm。利用所搭建的光干涉生物亲和性检测系统,建立了HER3-IgG1抗体药物利用金纳米粒子进行信号放大,实现对其浓度进行定量检测的新方法,检测过程中无需清洗,不产生交叉污染。实验结果表明：系统检测限能达到0.082 6 μg/mL,该系统具有检测时间短,测量准确、精度高、成本低廉等特点,能够应用于药代动力学研究中。     

Growth and Characterization of the Laterally Enlarged Single Crystal Diamond Grown by Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition

Laterally enlarged single crystal diamond is grown on(001) diamond substrates by microwave plasma chemical vapor deposition. Based on the largest side-to-side width of the seed of 7.5 mm, we achieve the as-grown epilayer with the width of about 10 mm between the same two sides. The luminescence difference between the broadened part of the single crystal diamond and the vertically epitaxial part is investigated by characterizing the vertical cross section of the sample, and the possible growth mechanism is suggested. Vertical epitaxy on the top(001)surface and lateral growth on the side surfaces occur simultaneously, and thus the growth fronts along the two directions adjoin and form a coalescence zone extending from the edge of the substrate towards the edge of the expanded single crystal diamond top surface. The luminescence intensity of the nitrogen-vacancy center is relatively high in the coalescence zone and a laterally grown part right below, which are attributed mainly to the higher growth rate. However, stress change and crystal quality change are negligible near the coalescence zone.     

高跨导氢终端多晶金刚石长沟道场效应晶体管特性研究

基于多晶金刚石制作了栅长为4 pm的铝栅氢终端金刚石场效应晶体管.器件的饱和漏源电流为160 mA/mm,导通电阻低达37.85Ω·mm,最大跨导达到32 mS/mm,且跨导高于最大值的90%的栅压(V_(GS))范围达到3 V(-2 V≤V_(GS)≤-5 V).通过传输线电阻分析以及器件的导通电阻和电容-电压特性分析,发现氢终端多晶金刚石栅下沟道中的空穴面浓度达到了1.56×10~(13)cm~(-2),有效迁移率在前述高跨导栅压范围保持在约170 cm~2/(V·s).分析认为,较低的栅源和栅漏串联电阻、沟道中高密度的载流子和在大范围栅压内的高水平迁移率是引起高而宽阔的跨导峰和低导通电阻的原因.     

新疆西天山喇嘛苏外围铜矿床花岗质岩锆石LA-ICP-MS U-Pb测年及地质意义

喇嘛苏外围铜矿床产于花岗闪长斑岩、花岗斑岩内及外接触带矽卡岩中.文章利用LA-ICP-MS锆石UPb测年法,获得矿区花岗闪长斑岩和花岗斑岩的~(206)Pb/~(238)U年龄,分别为385.9±1.2Ma和387.6±1.3Ma,表明它们是中泥盆世岩浆活动的产物.锆石Lu-Hf同位素具有较高的~(176)Hf/~(177)Hf(0.282 53～0.282 72)值,εHf(t)值为-0.38～6.38,变化大且绝大多数为正值(-0.38、-0.15和-0.05除外),二阶段Hf模式年龄(t DM2)变化于971～1 401Ma(平均1 203.8Ma).上述特征表明,喇嘛苏外围铜矿区花岗质岩石为同源岩浆演化的产物,岩浆起源于亏损地幔并有新生壳源部分熔融物质的加入,形成于北天山洋向南部的伊犁地块俯冲的构造背景.     

膜与不可压缩有界流体接触时的自由振动

圆形膜与流体接触时的振动被广泛应用于工业中．推导了圆形膜在与不可压缩有界流体接触时,非对称自由振动的自振频率．鉴于膜在不可压缩、非粘性流体中振动引起的小振幅,采用速度势函数来描述流体场．使用两种方法来推导系统的自由振动频率．它们包括变分法及一种近似解法——Rayleigh商法．在用两种方法求得的自由振动频率值之间具有良好的相关性．最后,研究了流体的深度、质量密度以及径向张力对耦合系统自由振动频率的影响．     

Ni对ZA27合金组织及磨损性能的影响

研究了Ni对ZA27合金的微观组织及油润滑下磨损性能的影响.结果表明:加入0.4％的Ni可以有效细化ZA27合金组织,并使合金共晶中出现富镍的颗粒;在重载(大于1000N)条件下,含镍ZA27合金的耐磨性明显高于ZA27合金,并且载荷越大,这种趋势越明显;在载荷为1000 N时,随Ni含量的增加,ZA27合金的磨损量和磨面亚表层厚度均呈现先减小后增大的趋势,ZA27合金的主导磨损机制从较严重的塑性变形诱导磨损和黏着磨损逐渐向较轻的伴随塑性变形诱导机制的切削磨损转变,进而又转变为伴随黏着机制的微切削磨损,最后转变为较严重的切削磨损和黏着磨损;表面高硬度氧化层的产生可以有效提高合金的耐磨性能.     

对某惯性设备随动系统参数改进设计及性能分析

某惯性设备随动系统刚度偏低,控制精度较差,同时在使用过程中常会由于系统的个性差异导致系统稳定性变差,直接影响系统的使用。为此对控制系统进行了数学建模,用Matlab对系统进行了仿真和幅频/相频特性的分析,对系统进行了改进设计,大大提高了系统刚度和控制精度;并通过大量的仿真、实验和数据分析,对实际工作中由于系统个性差异引起的系统稳定性变差、稳定时间变长等问题提出了切实可行的解决方法。试验结果表明：系统的精度由原来的1.2°提高到0.3°,超调量由原来的50%降低到30%,满足总体性能要求。     

月尘静电浮扬现象的理论模拟

对月球上的月尘静电浮扬现象进行了理论研究,对比分析了影响月球表面静电浮扬强弱的主要因素．研究过程分为两个步骤:首先采用一维PIC（particle in cell）模拟计算了月尘和月球表面的充电过程,然后基于这一结果引进试验粒子,对月尘的静电浮扬现象进行了分析研究．结果表明月尘的静电浮扬主要受两个因素的影响:太阳角和月尘颗粒的大小．月尘静电浮扬现象在日出日落时分更容易发生,即太阳角越小越容易引起剧烈的月尘浮扬现象;并且月尘粒径越小,其浮扬高度越高．     

Temperature dependence of single event transient in 90-nm CMOS dual-well and triple-well NMOSFETs

This paper investigates the temperature dependence of single event transient (SET) in 90-nm complementary metat-oxide semiconductor (CMOS) dual-well and triple-well negative metal-oxide semiconductor field-effect transistors (NMOSFETs). Technology computer-aided design (TCAD) three-dimensional (3D) simulations show that the drain current pulse duration increases from 85 ps to 245 ps for triple-well but only increases from 65 ps to 98 ps for dual-well when the temperature increases from -55℃ to 125℃, which is closely correlated with the source of NMOSFETs. This reveals that the pulse width increases with temperature in dual-well due to the weakening of anti-amplification bipolar effect while increases with temperature in triple-well due to the enhancement of the bipolar amplification.     

阻尼受击板的时域建模及声音合成

为满足声源辨识中对合成冲击声的迫切需求,建立了球-板撞击的时域模型,提出一种时域快速求解方法,并进行了实验验证.首先给出一种将时域有限差分法(FDTD)和模态展开法(MEM)相结合的时域混合方法,求解板的振动方程,并解决了混合方法中MEM的模态截断和初值问题,及两种方法中阻尼的一致性问题;随后,给出了简支矩形板的冲击声计算结果,通过与FDTD方法的运算量进行对比,验证了混合方法的高效性;最后,针对自由边界下的L形板进行了实验验证.结果表明,与传统FDTD方法相比,时域混合方法在保证合成冲击声精度的前提下可将计算效率提高100至1200倍。