髓芯减压联合陶瓷骨植入治疗中早期股骨头坏死的临床研究

本文旨在评估髓芯减压联合陶瓷骨植入治疗股骨头坏死的临床疗效, 并与单纯髓芯减压手术进行对比. 纳入第一作者所在医院骨科自2015年1月至2017年8月收治的早期股骨头坏死患者32例(40髋). 采用随机数表法将患髋随机分为A、B两组: A组20例, 行单纯髓芯减压术; B组20例, 行髓芯减压联合陶瓷骨植入手术. 术后每3个月通过影像学检查及查体对患者进行随访, 依据X线片结果将影像学分为进展及稳定两个等级. 髋关节功能评分采取Harris评分(Harris Hip Score, HHS). 记录两组数据并进行对比分析. 所有手术均顺利, 无围手术期严重并发症发生. 单纯髓芯减压组12髋(60.0%）影像学稳定, 髓芯减压联合陶瓷骨植入组18髋(90.0%)影像学稳定, 二者具有统计学差异(p=0.032). 两组术后HHS均较术前明显提高, 髓芯减压联合陶瓷骨植入组术后平均HSS为92.1分, 显著优于单纯髓芯减压组(HHS: 82.2, p=0.008). 按照HHS评分等级, 髓芯减压联合陶瓷骨植入组髋关节功能优良率为95.0%, 显著高于单纯髓芯减压组(70.0%, p=0.046). 髓芯减压联合陶瓷骨植入手术的临床疗效优于单纯髓芯减压手术, 可以作为治疗早中期股骨头坏死的有效方法.     

基于SiPESC平台的弹塑性分析的软件框架

基于开放式结构有限元分析软件系统SiPESC.FEMS,针对弹塑性非线性有限元分析理论与流程,采用工厂模式和构造器模式等经典软件设计模式,提出了一种基于面向对象设计方法的通用小变形率无关弹塑性分析软件框架。该框架利用算法与数据模型分离的思想,通过抽象出数据模型类、算法类和算法参数类,支持各功能模块的动态替换和组装,具备开放性和可扩展性。同时,基于SiPESC平台工程数据库的数据管理能力,实现了弹塑性分析中产生的大量历史数据以统一的接口与管理方式进行存取,为大规模问题的求解提供了高效、稳定的支撑。通过多类型实体单元、多类本构模型和多种规模的计算实例,验证了该计算框架在弹塑性有限元程序开发中的通用性、有效性和灵活性。     

一种频率自适应的同步相位与对称分量检测方法

电网不对称故障时,快速、准确地检测同步相位和对称分量是电力电子装置实现控制与保护的关键问题之一.分析了负序分量对传统三相锁相环检测性能的影响,设计了一种频率自适应的同步相位与瞬时对称分量检测新方法.该方法利用瞬时对称分量理论在两相静止坐标系下实现对称分量的实时检测,利用广义二阶积分器实现90°相移,用测得的基波正序电压q轴分量作为锁相环的输入,用锁相环的输出角频率作为相移电路的谐振角频率,达到谐波抑制与频率自适应跟踪,是一个闭环的实时检测系统.分析了该方法的实现机理,给出了检测电路的实现框图,进行了实验验证.结果表明,该方法既能在被测电压不对称时准确检测同步相位和对称分量,又能消除电压频率变化对检测同步相位和对称分量的影响.     

膜与不可压缩有界流体接触时的自由振动

圆形膜与流体接触时的振动被广泛应用于工业中．推导了圆形膜在与不可压缩有界流体接触时,非对称自由振动的自振频率．鉴于膜在不可压缩、非粘性流体中振动引起的小振幅,采用速度势函数来描述流体场．使用两种方法来推导系统的自由振动频率．它们包括变分法及一种近似解法——Rayleigh商法．在用两种方法求得的自由振动频率值之间具有良好的相关性．最后,研究了流体的深度、质量密度以及径向张力对耦合系统自由振动频率的影响．     

沉淀法制备钨酸铅微晶及形成机理研究

以硝酸铅和钨酸钠为原料,以聚乙二醇400为分散剂,采用沉淀法制备出不同形貌的钨酸铅微晶.采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(FESEM)测试、能量分散光谱(EDS)、荧光光谱(PL)对样品进行了表征.结果表明:在80℃烘干后,得到结晶性能良好的纯相PbWO4;随着聚乙二醇-400量的增加,钨酸铅微晶形貌由塔状变向梭子状转变,且分散性良好、无团聚发生;PbWO4微晶在350 ～ 650 nm范围内具有较宽的发射谱带,由三组主要的发光峰构成,分别在430 nm、465 nm左右的蓝色发光峰和560 nm左右的弱的黄绿色发光峰.最后研究了PEG-400在PbWO4微晶生长阶段的控制作用,并提出了PbWO4有序微晶结构的形成机理.     

三峡引水工程秦巴段主要地质灾害及其工程影响

为了研究三峡引水工程秦巴段的地表地质灾害特征及其工程影响,本文在简要分析秦巴山地区域工程地质条件和线路工程地质条件的基础上,重点分析秦巴山区典型地质灾害分布特征及其对引水工程的影响,初步揭示：(1)秦巴山区浅表层地质灾害具有类型多、成群带分布、规模大小差异明显;(2)秦巴山区地质灾害形成发展的主要影响因素是构造地貌、高陡边坡、斜坡结构和易滑地层组合,主要诱发因素为局部集中强降雨和线性工程（主要是公路）切坡及河流冲蚀作用;(3)地表地质灾害主要影响引水设施施工安全、施工便道、主要场地（水库和渡槽）等的安全,需要引起重视。     

立式MOCVD反应室中一种刻槽基座的热分析

在立式感应加热的氮化物MOCVD反应室中, 提出了一种刻槽结构的基座;利用有限元法,给出了使衬底温度分布最均匀的槽的位置和大小.与传统的基座相比,这种刻槽优化后的基座,使衬底温度分布的均匀性显著提高.另外,通过对基座温度随加热时间变化的分析,发现刻槽基座的热传导规律,即刻的槽改变了基座中感应产生热量的热传导方向,衬底中的热量是由槽上下基座部分传递而来的,且随时间的增大,基座的温度趋于恒定,衬底的温度趋于均匀,均匀的衬底温度有利于提高生长薄膜的质量.     

氮化物MOCVD反应室流场的仿真与分析

在立式MOCVD反应室中,通过对生长氮化镓(GaN)薄膜材料的仿真,发现衬底表面反应物三甲基镓物质的量的浓度分布与实际生长的GaN薄膜的厚度分布一致,同时,仿真结果表明,薄膜的厚度分布与反应室内涡旋的分布相关.通过分析涡旋产生的原因,对反应条件和反应室的几何条件作了进一步优化,发现在较低的反应室压强、较低的壁面温度和较大的气体入口半径条件下,能使涡旋明显减小,提高薄膜生长的均匀性.     

AlGaN/GaN MIS-HEMT using NbAlO dielectric layer grown by atomic layer deposition

We present an AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistor (MIS-HEMT) with an NbAlO high-k dielectric deposited by atomic layer deposition (ALD).Surface morphology of samples are observed by atomic force microscopy (AFM),indicating that the ALD NbAlO has an excellent-property surface.Moreover,the sharp transition from depletion to accumulation in capacitance-voltage (C-V)curse of MIS-HEMT demonstrates the high quality bulk and interface properties of NbAlO on AlGaN.The fabricated MIS-HEMT with a gate length of 0.5 μm exhibits a maximum drain current of 960 mA/mm,and the reverse gate leakage current is almost 3 orders of magnitude lower than that of reference HEMT.Based on the improved direct-current operation,the NbAlO can be considered to be a potential gate oxide comparable to other dielectric insulators.