首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   766篇
  免费   239篇
  国内免费   268篇
化学   514篇
晶体学   54篇
力学   56篇
综合类   43篇
数学   134篇
物理学   472篇
  2024年   1篇
  2023年   16篇
  2022年   31篇
  2021年   19篇
  2020年   22篇
  2019年   37篇
  2018年   35篇
  2017年   43篇
  2016年   40篇
  2015年   43篇
  2014年   70篇
  2013年   52篇
  2012年   61篇
  2011年   66篇
  2010年   46篇
  2009年   47篇
  2008年   40篇
  2007年   44篇
  2006年   74篇
  2005年   62篇
  2004年   43篇
  2003年   52篇
  2002年   43篇
  2001年   33篇
  2000年   28篇
  1999年   32篇
  1998年   18篇
  1997年   17篇
  1996年   17篇
  1995年   11篇
  1994年   12篇
  1993年   9篇
  1992年   13篇
  1991年   18篇
  1990年   11篇
  1989年   15篇
  1988年   6篇
  1987年   7篇
  1986年   9篇
  1985年   7篇
  1984年   4篇
  1983年   4篇
  1982年   3篇
  1981年   2篇
  1980年   4篇
  1979年   2篇
  1978年   1篇
  1975年   1篇
  1961年   1篇
  1956年   1篇
排序方式: 共有1273条查询结果,搜索用时 15 毫秒
951.
电荷传输材料(空穴或电子传输)广泛应用于电致发光、有机光电池、非线性光学等领域.有机电荷传输材料可分为有机小分子和聚合物两类.有机小分子构建传输层时存在(1)与成膜性聚合物的相容性;(2)容易出现析出、结晶或团聚;(3)热稳定性差及机械强度欠佳.克服这些不足的途径之一是制备有电荷传输性能的聚合物,这种聚合物可以通过在主链或侧链接入含有电荷传输功  相似文献   
952.
功能性有机聚硅氧烷的研究进展   总被引:4,自引:0,他引:4  
侧重总结了近 10年来功能性有机聚硅氧烷的研究进展。对含有环氧基、乙烯基、氨基和具有嵌段结构等有机聚硅氧烷的合成方法、工艺以及聚合物的结构及物理和化学特性进行了综述。  相似文献   
953.
张凤国  周洪强  胡军  邵建立  张广财  洪滔  何斌 《中国物理 B》2012,21(9):94601-094601
A statistical model of dynamic spall damage due to void nucleation and growth is proposed for ductile materials under intense loading, which takes into account inertia, elastic-plastic effect, and initial void size. To some extent, void interaction could be accounted for in this approach. Based on this model, the simulation of spall experiments for copper is performed with the Lagrangian finite element method. The simulation results are in good agreement with experimental data for the free surface velocity profile, stress record behind copper target, final porosity, and void concentrations across the target. The influence of elastic-plastic effect upon the damage evolution is explored. The correlation between the damage evolution and the history of the stress near the spall plane is also analyzed.  相似文献   
954.
通过高阶压缩效应,高阶反聚束效应和二阶亚泊松分布等统计性质,研究了压缩真空态的高阶非经典性质。采用数值计算方法,讨论了压缩参数对态的高阶非经典性质的影响。研究结果表明:压缩真空态呈现出高阶压缩效应和四阶反聚束效应,并且这些非经典性质均随压缩参数增大而增强。但它未呈现出一至三阶反聚束效应,也没有展示出一阶亚泊松分布和二阶亚泊松分布等特性。  相似文献   
955.
探讨了在NaCl(100)衬底上制备Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4 O15 (CSBT)铁电薄膜的最佳制备工艺过程,匀胶速度为2500r/min,热解温度为350℃,退火温度为700℃,退火时间为300 s制备的CSBT铁电薄膜具有较好的钙钛矿相,相对较高的a轴取向度;以制得的CSBT薄膜为模板,采用模板晶粒生长法诱导其铁电陶瓷粉体织构化生长.结果发现:引入CSBT模板膜后,铁电陶瓷块体的a轴择优度提高,半峰宽减小,垂直于平面晶粒数量增加,有利于陶瓷铁电学性能的提高.  相似文献   
956.
高分辨率红外导引头光学系统小型化设计   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
设计一种高分辨率中波红外成像制导光学系统。采用折射一次成像的结构形式,初始结构为远摄型物镜组。所设计的系统共用3个光学元件,通过引入非球面和二元光学衍射元件,增加光学设计的自由度,全视场达到10,系统总长为49 mm,焦距为70 mm。并且系统在-40℃~60℃温度范围内具有良好的消热差作用,成像质量接近衍射极限,最大弥散斑直径小于15 m。适用于像元数为640512,像元尺寸为15 m,F数为2的红外焦平面探测器。系统具有成像分辨率高、视场大且体积小等优点,可用于小型红外导引头中。  相似文献   
957.
叶晓岚  宋粉云  范国荣  毋福海 《色谱》2015,33(4):423-427
采用高效液相色谱法(HPLC)同时测定了广陈皮药材中5-羟甲基糠醛、维采宁-2、橙皮苷、橙皮素、异甜橙黄酮、甜橙黄酮、异黄芩配基甲醚、川陈皮素、3,5,6,7,8,3',4'-七甲氧基黄酮、橘皮素及5-去甲川陈皮素11种化学成分的含量。样品经50%(v/v)甲醇于70 ℃回流提取。在优化的色谱条件(Hanbon Benatach C18色谱柱(250 mm×4.6 mm, 5 μm)为分离柱,乙腈和0.2%甲酸水溶液为流动相,梯度洗脱,流速1.0 mL/min,柱温25 ℃,检测波长280 nm)下,提取液中的各成分分离良好,在选定的浓度范围内呈良好的线性关系(r>0.998),定量限(S/N=10)为0.0502~4.99 mg/L,检出限(S/N=3)为0.0125~1.25 mg/L,平均加标回收率(n=3)为96.4%~102.4%,相对标准偏差为0.25%~4.01%。该方法准确性高、重复性好,可用于广陈皮的质量控制。  相似文献   
958.
生物组织、土壤、水等媒质的电特性是频率相关的(称为色散媒质),常利用单极德拜(Debye)模型描述.为重建这一类媒质的色散特性,基于泛函分析和变分法,提出一种三维(3-D)时域电磁(EM)逆散射技术,主要流程为:①根据最小二乘准则,转化逆散射问题为约束最小化问题;②应用罚函数法,转化约束最小化问题为无约束最小化问题;③通过变分计算,解析导出梯度(Fréchet导数)表达式;④利用梯度法求解.此外,引入一阶吉洪诺夫(Tikhonov)正则化以应对逆问题的病态特性和噪声影响.数值应用中,将提出的目的 应用到一个简单的三维癌变乳房模型,借助PRP共轭梯度(CG)算法和时域有限差分(FDTD)法,仿真结果初步证实本文目的 的可行性、有效性和鲁棒性.  相似文献   
959.
介绍了环己烯制备、乙酸异戊酯制备的实验原理和操作步骤,针对2个实验的催化剂、实验装置、终点判据以及所用干燥剂等内容进行比较和分析,阐明了物质性质与实验方法以及操作步骤的对应关系。学生根据提供的信息,结合具体实验操作,可以更好地理解化学实验内容,掌握有机化学实验的学习方法,提高创新能力和实践能力。  相似文献   
960.
以三乙醇胺(TEA)和二水乙酸锌(Zn(CH3COO)2·2H2O)为原料,采用化学浴沉积法制备多级结构ZnO微球,并将获得的多级结构ZnO微球粉应用于染料敏化太阳能电池(DSSCs)光阳极.主要研究了TEA量和反应时间对产物形貌和电池性能的影响.采用SEM和XRD分析对多级结构ZnO微球进行形貌和物相表征,采用Ⅰ-Ⅴ测试仪和电化学工作站对电池性能进行了分析.结果表明:反应温度80℃,反应时间2h,TEA/水为0.15时所制备的多级结构ZnO微球粉组装成电池性能最佳,其光电转化率为3.18;,开路电压为0.64V,短路电流为9.36 mA·cm-2,填充因子0.53.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号