光纤化学传感技术研究近况

光纤化学传感器作为传感器的一个重要分支,结合了化学和光学的相关技术,将化学制膜、光纤技术以及化学分析中的分光光度法、拉曼光谱、荧光光谱、折射率检测等方法相融合,以其微型化,抗电磁干扰,传输信息量大,拥有自身参比等特点不断向前发展。简要综述了光纤化学传感技术研究近况和未来的发展趋势。重点对光纤pH化学传感器、光纤离子化学传感器和光纤气体化学传感器进行了介绍。简要分析了常见的敏感膜制备方法如化学键合法和溶胶凝胶(sol-gel)等方法。新型光纤——微结构光纤的出现为光纤化学传感器开辟了新的发展方向。由于其具有大的内表面积,结构设计灵活多样,光纤内部提供感应场所等特点,快速度成为光纤化学传感器的重要发展方向和研究热点。对微结构光纤衍生而来的新型光纤化学传感器进行了详细评述, 最后对光纤化学传感器的未来进行展望。     

2,5-二取代-1,3,4-噻二唑的合成及其生物活性研究

报道了一种合成2,5-二取代-1,3,4-噻二唑的有效方法。目标化合物经^1HNMR,IR和元素分析表征。生物活性试验表明某些化合物对小麦的生长具有促进作用。     

不同环保意识视角下的DEA效率模型

DEA在效率分析领域具有良好的应用,随着全球气候的不断恶劣和环境的逐渐破坏,公众环保意识不断增强,在进行相关效率研究时,非期望产出越来越受到重视。以非期望产出为主要研究点,根据社会对非期望产出指标的认识规律将环保意识分为五个不同阶段,并综合考虑每个意识阶段的特征,将环境指标变动能力,环境承载能力、环境负外部性参与度、外部环境政策管理及企业生产要求纳入DEA效率分析过程中,通过对目标函数和约束条件进行不同的改进和约束,构建了不同意识阶段的DEA效率分析模型,并探讨了各阶段模型的使用范围和相互关系。最后,选取一个实例进行试算,证明各DEA模型的可行性和有效性。     

4-二苯胺基苯甲醇功能化石墨烯的制备、电子传递及光催化性能

在碱性条件下由氧化石墨(GO)还原获得还原石墨烯(RGO). RGO与4-二苯胺基苯甲醇(TPACH₂OH)混合后发生相互作用, 得到功能化石墨烯复合物(TPACH₂OH-RGO). 采用密度泛函理论(DFT)对TPACH₂OH-RGO模拟计算结果表明, TPACH₂OH和RGO之间主要通过氢键作用形成复合物. 利用紫外-可见光谱(UV-vis)、拉曼光谱(Raman)、荧光光谱(Fluorescence)、原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)和电化学等方法研究了TPACH₂OH-RGO结构和光电性质, 并研究了以TPACH₂OH-RGO为催化剂在光照射下光催化分解水制氢性能. 实验结果表明: 光照下复合物中激发态TPACH₂OH向RGO转移电子. 在TPACH₂OH和RGO的质量比为4/3, 体系pH＝6条件下, 光照6 h, TPACH₂OH-RGO的产氢总量达到35.0 μmol, 比RGO的产氢总量(20.4 mmol)有明显的提高.     

邻菲咯啉铜微纳米棒的制备及其影响因素研究

以五水硫酸铜和1,10-邻菲咯啉为原料,采用液相沉淀法制备邻菲咯啉铜(Ⅱ)微纳米棒,研究 pH 值和温度对产物形貌和尺寸的影响.通过 XRD、SEM、UV-Vis、FT-IR、元素分析和荧光光谱表征产物的结构与性能.结果表明,硫酸铜溶液的 pH 值显著影响室温时反应产物的物相和形貌.当起始 pH 值为 2.0和5.0时,分别生成了微米级的花状和长片状的单斜品系[Cu(phen)(H2O)2]·SO4;当 pH 值上升至 9.0和11.0时,分别生成了平均直径172 nm 和253 nm 的[Cu(phen)(OH)]2SO4·5H2O 棒状结构.在 pH 值为9.0条件下,棒状产物的直径随着反应温度的降低而减小,4℃时可获得平均直径为87 nm 的纳米棒.此外,片状[Cu(phen)(H2O)2]·SO4 的荧光光谱相对于纳米棒状[Cu(phen)(OH)]2SO4·5H2O 出现蓝移和发射增强现象.     

基于传送带量子纠缠光的卫星钟差测量

卫星钟差确定受限于经典测量的散粒噪声极限,钟差测量精度仅为ns量级.基于军民领域对高精度时间基准的迫切需求,提出了一种基于双路六延迟传送带量子纠缠光的卫星钟差测量方案,并且该方案以传送带协议为基础.首先,通过自发参量下转换制备了频率纠缠光信号.然后,利用HOM(Hong-Ou-Mandel)干涉仪对频率纠缠光信号进行了...     

多种形貌和晶型8-羟基喹啉铜微纳米材料的简易合成

以8-羟基喹啉和乙酸铜为主要原料,通过简单调控醇水介质和熟化时间,液相沉淀法快速合成出大量不同形貌和晶型的8-羟基喹啉铜微纳米材料.采用SEM,XRD,UV-Vis,FT-IR对产物进行表征.结果表明,以8-羟基喹啉盐酸水溶液与乙酸铜水溶液反应,合成了直径40～130nm的棒状α型二水合8-羟基喹啉铜沉淀物.以8-羟基喹啉乙醇溶液与乙酸铜乙醇溶液反应,获得了厚度约300nm的三维(3D)板条束状α型无水8-羟基喹啉铜微纳米结构.若采用8-羟基喹啉乙醇溶液与乙酸铜的乙醇/水溶液反应,当体系醇/水体积比为3∶1时,随着熟化时间的延长,产物由亚稳的α型和γ型晶相向稳定的β型晶相转变,形貌从胡须束状/菱片状混合结构转变为纳米棒状/菱片状混合结构,50min熟化后最终形成菱片状β型二水合8-羟基喹啉铜及其四角星形自组装体.     

时滞对非线性饱和控制减振频带漂移的影响

主要研究非线性饱和控制减振系统中由于内共振频率偏差引起的有效减振频带的漂移问题. 在该减振系统中分别考虑控制信号、反馈信号以及自反馈信号的时滞对振动系统有效减振频带漂移以及有效减振频带宽度的影响, 从而通过调节控制信号、反馈信号以及自反馈信号的时滞量, 来控制系统有效减振频带的漂移. 研究结果表明: (1) 在原始的无时滞减振系统中, 由于内共振频率偏差的存在, 使得系统的有效减振频带向主共振点的上、下两个方向漂移, 并且内共振频率偏差的绝对值越大, 有效减振频带漂移的程度也越大, 使得系统有效减振频带的分布不合理, 导致振动控制效果降低; 但是, 根据内共振频率偏差的变化, 可以通过适当调节控制信号和反馈信号的时滞, 或者也可以调节自反馈信号的时滞, 在消除有效减振频带漂移的同时又增大有效减振频带的宽度. (2) 内共振频率偏差的绝对值越大, 控制信号和反馈信号的时滞、或者自反馈信号的时滞对消除有效减振频带漂移以及增大有效减振频带宽度的作用越显著.      

Recombination during expansion of ultracold plasma

Signals of ultracold plasma are observed by two-photon ionization of laser-cooled caesium atoms in a magneto-optical trap. Recombination of ions and electrons into Rydberg atoms during the expansion of ultracold plasma is investigated by using state-selective field ionization spectroscopy. The dependences of recombination on initial electron temperature (1--70 K) and initial ion density ($ \sim $10$^{10}$ cm$^{ - 3})$ are investigated. The measured dependence on initial ion density is $N^{1.547\pm 0.004}$ at a delay time of 5 $\mu $s. The recombination rate rapidly declines as initial electron temperature increases when delay time is increased. The distributions of Rydberg atoms on different values of principal quantum number $n$, i.e. $n=30$--60, at an initial electron temperature of 3.3 K are also investigated. The main experimental results are approximately explained by the three-body recombination theory.     

Note on Implementation of Three-Qubit SWAP Gate

In this paper, the synthesis and implementation of three-qubit SWAP gate is discussed. The three-qubit SWAP gate can be decomposed into product of 2 two-qubit SWAP gates, and it can be realized by 6 CNOT gates. Research illustrated that although the result is very simple, the current methods of matrix decomposition for multi-qubit gate can not get that. Then the implementation of three-qubit SWAP gate in the three spin system with Ising interaction is investigated and the sequence of control pulse and drift process to implement the gate is given. It needs 23 control pulses and 12 drift processes. Since the interaction can not be switched on and off at will, the realization of three-qubit SWAP gate in specific quantum system also can not simply come down to 2 two-qubit SWAP gates.