高剂量率单次快脉冲辐射参量测量

记述了“强光一号”高剂量率脉冲辐射装置在状态调试过程中对其出射波形和辐射剂量进行监测的基本情况，实际监测的结果与设计方监测的结果进行了比对，双方的剂量监测值基本一致，偏差在20％以内；双方的波形形状十分相似，但测量得到的波形半宽度却相差10～20ns，最后对双方束流监测产生的差异进行了定性分析。     

改进的本征态展开方法求解含时薛定谔方程

本改进了原有的本征态展开方法。通过从能量E到q=（2E）的平方根的表象变换，不仅准确地计算了在此方法中起重要作用的低能电子布居，而且大幅度地减少了计算时间。利用这个高效的方法，我们计算了在强激光作用下一个模型原子的高次谐波发射谱。     

为什么高血铅会引起孕妇早产及畸形儿？

研究表明 ,锌和铅是拮抗元素 ,铅高会导致锌低 ,因为铅把锌通道堵塞了 ,影响了锌的吸收。而锌是人体必需微量元素中甚为重要的一种 ,参与 2 0 0余种酶或激素的合成或激活。锌能通过形成RNA和DNA聚合酶 ,直接影响核酸及蛋白质的合成。人的胚胎发育是细胞分裂的最活跃时期 ,细胞分裂繁殖和器官发育需要依赖各种酶的活性 ,而这些酶的活性又与锌密切相关。缺锌可使核酸合成减少 ,进而导致胎儿畸形。妊娠 3个月缺锌即可影响胚胎细胞增殖周期 ,造成宫内胎儿发育迟缓。据文献报道 ,孕妇缺锌可使胎儿体重比正常胎儿下降 5 0 %。而过量铅的存在 ,…     

座壳孢菌对烟粉虱致病力的研究

座壳孢属(Aschersonia)是粉虱和介壳虫的一类重要病原真菌,可用于世界性害虫烟粉虱(Bemisiatabaci)的生物防治.本文对来自世界各地的15株座壳孢菌进行了产孢、萌发性状比较,在此基础上筛选出11株产孢、萌发能力较好的菌株测定其对烟粉虱的致病力.菌株Aa5、Ag1、Aa8、Aa7、Aa2和Aa1均表现出高致病性(＞60%),此外本研究还发现菌株的致病力与其萌发率成明显正相关(r=0.86),而与产孢量不相关.     

热处理对V-4Ti合金氦的滞留与热解吸行为的影响

钒合金由于其低中子诱导的放射性和良好的高温性能被认为是未来聚变堆很有希望的第一壁和结构材料。因为氦可以通过放电清洗和中子嬗变产生，氦的滞留与热释放行为将是钒合金在聚变堆应用的重要课题。A．V．Veen领导的研究小组用1keV的氦离子注入到10^13-10^14He／cm^2的剂量研究了钒合金的氦俘获和热解吸机理以及预退火处理的影响。两群热解吸峰被发现，他们认为一个对应于氦，空位一杂质链，另一个对应于氦，带有钒合金原有的缺陷，如细小的析出物所俘获。既然钒合金原有的缺陷与退火处理有关，热处理对氦在钒合金中的滞留的影响是可以预期的，并且已被实验所证实。     

Fe0.5Cu0.5BaSrYCu2Oy化合物的结构和超导电性研究

实验采用常压和高压分别制备出含铁的FexCu1-xBaSrYCu2Oy（x= 0～1）系列化合物，本文主要研究x=0.5时样品的结构和超导电性.测量结果显示，高压合成的样品均具有超导电性，对于x=0.5的样品超导转变温度Tc(onset)～57K， Tc(0)～40K，而常压合成的样品当Fe含量x>0.3时均不超导.为此，我们利用透射电子显微镜（TEM）研究了该体系的微观结构特性，并通过电子能量损失谱(EELS)揭示出高压合成导致样品中载流子浓度明显高于常压样品，证明样品制备过程中高压有利于超导电性的形成.同时对高压样品中的缺陷和局域晶体结构畸变进行了深入分析.     

高剥离类镁等电子序列的磁偶极M1和电四极E2光谱跃迁理论研究

利用全相对论性多组态Dirac-Fock广义平均能级方法，系统地计算了类镁离子3s3p磁偶极Ml^3P2--^3P1和电四极E2 ^2P2--^3P0(Z=20-103)光谱跃迁的能级间隔、跃迁几率和振子强度。计算中考虑了原子核的有限体积效应，进行了高阶Breit修正和QED修正，所得到的能级间隔和最近的实验数据及理论计算值进行了比较。计算结果表明：高原子序数的高荷电离子的磁偶极矩M1和电四极矩E2跃迁几率和中性原子的电偶极E1的相当，在ICF和MCF高温激光等离子体中，磁偶极矩M1和电四极矩E2跃迁过程不容被忽视。     

陶瓷材料的动态压缩测试

陶瓷材料是地面车辆和航空器防护装甲的重要组成材料。一直以来，陶瓷材料的高应变率压缩性能都受到众多研究者的密切关注。陶瓷材料的高应变率压缩性能是通过SHPB试验获得的。对于传统的SHPB试验，必须满足“一维应力假设”、“试样的轴向应力均匀假设”和“压杆弹性假设”，才可以得到有效的测试结果。而这些基本假设均受到陶瓷材料高强度、高弹性模量和高脆性的挑战。     

Radiative lifetimes of Rydberg states of BeⅠ and BeⅢ

By using the multichannel quantum defect theory(MQDT),we have evaluated the energy levels and lifetimes of 2sns ^3 S1,2snd ^3D(n=3-25)of BeI and 1 sns ^3s1,1snd ^3D(n=3-25)of BeⅢ,These energies and lifetimes that we have calculated not only agree with the recent measurements and theoretical calculation of Ref.4 and Ref.3, but also predict the lifetimes of 66 other highly excited states.