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91.
Quantum Gate Operations in Decoherence-Free Subspace with Superconducting Charge Qubits inside a Cavity 下载免费PDF全文
We propose a feasible scheme to achieve universal quantum gate operations in decoherence-free subspace with superconducting charge qubits placed in a microwave cavity. Single-logic-qubit gates can be realized with cavity assisted interaction, which possesses the advantages of unconventional geometric gate operation. The two-logic- qubit controlled-phase gate between subsystems can be constructed with the help of a variable electrostatic transformer. The collective decoherence can be successfully avoided in our well-designed system. Moreover, GHZ state for logical qubits can also be easily produced in this system. 相似文献
92.
93.
提出利用单个三粒子最大Greenberger-Horne-Zeilinger (GHZ)态或两个Einstein-Podolsky-Rosen (EPR)态作为量子信道确定性隐形传送任意三粒子GHZ态的两个方案,并将方案推广至隐形传送任意n(n≥4)粒子GHZ态的情况.讨论了量子信道受噪声影响时隐形传态的保真度.研究发现,当作为量子信道的单个三粒子最大GHZ态受到噪声影响时,隐形传态的保真度仅与量子信道的纠缠度有关,而当作为量子信道的两个EPR态受到噪声影响时,隐形传态的保真度不仅与量子信道的纠缠度有关,还与待传送态的纠缠度有关.所提出的方案具有节省量子信道纠缠资源的特点.
关键词:
隐形传态
三粒子Greenberger-Horne-Zeilinger态
量子逻辑门
保真度 相似文献
94.
首先,我想同大家讨论科学中的实验技能间题.对人类来说,科学毕竟有百分之九十是实验活动,科学的基础是实验.那些特别擅长动手的学生应该把握住自己的优势.因为他们凭这种本领往往超过他人,在某些适当的科学领域中做最有益和最重要的事情.我想强调一下,一个人的动手能力是一种天赋,因人迥异.我给大家讲讲我和我的儿子遇到的一件事.有一天,我们停车房的门推手坏了.我们俩爬上梯子,想查看一下停车房顶部的装置,哪里出了毛病.我们刚爬到那儿,他便说是一个小轮齿错位了. 相似文献
95.
关于ι—群的半单结构的几点注记 总被引:1,自引:1,他引:0
谢霖铨 《南昌大学学报(理科版)》2001,25(4):315-317
设G是一个ι-群,R(G)是文献[1]意义下的G的根。本文通过R(G)的刻划,获得了R(G)的若干特征性质,并由此推广了文献[1]中有限值ι-群的半单结构定理(定理3.4)。 相似文献
96.
开关型Logistic模型 总被引:1,自引:0,他引:1
基于界壳理论,将界门的开关作用引入到Logistic模型中,建立了一个新的离散Logistic模型,对模型进行了映射计算,分析了在不同参数下模型的非线性特征,计算得出了若干常定数和循环小数。 相似文献
97.
数字电路中的冒险现象不仅会导致电路的误操作,而且消耗了很多能量、增加了操作时间,因此在电路设计中冒险的检测和消除非常重要.文章介绍了门冻结技术的基本思想,以此为基础给出了基于F门的CMOS与非门、或非门的逻辑单元电路设计,并将其应用到RS触发器的设计中,经PSPICE模拟显示,与传统的同步RS触发器相比,所设计的基于F门的同步RS触发器电路不仅具有正确的逻辑功能,消除了冒险,而且使电路的功耗也得到了有效地降低。 相似文献
98.
Hot-carrier degradation for 90nm gate length LDD-NMOSFET with ultra-thin gate oxide under low gate voltage stress 下载免费PDF全文
The hot-carrier degradation for 90~nm gate length lightly-doped drain
(LDD) NMOSFET with ultra-thin (1.4~nm) gate oxide under the low gate
voltage (LGV) (at Vg=Vth, where Vth is the
threshold voltage) stress has been investigated. It is found that the
drain current decreases and the threshold voltage increases after the
LGV (Vg=Vth stress. The results are opposite to the
degradation phenomena of conventional NMOSFET for the case of this
stress. By analysing the gate-induced drain leakage (GIDL) current
before and after stresses, it is confirmed that under the LGV stress
in ultra-short gate LDD-NMOSFET with ultra-thin gate oxide, the hot
holes are trapped at interface in the LDD region and cannot shorten
the channel to mask the influence of interface states as those in
conventional
NMOSFET do, which leads to the different degradation phenomena from those of the
conventional NMOS devices. This paper also discusses the degradation in the
90~nm gate length LDD-NMOSFET with 1.4~nm gate oxide under the LGV stress at
Vg=Vth with various drain biases. Experimental results show that
the degradation slopes (n) range from 0.21 to 0.41. The value of
n is
less than that of conventional MOSFET (0.5-0.6) and also that of the long gate
length LDD MOSFET (\sim0.8). 相似文献
99.
We have calculated the differential conductance of metallic carbon nanotubes by the scatter matrix methon.It is found that the differential conductance of metallic nanotube-based devices oscillates as a function of the bias voltage between the two leads and the gate voltage.Oscillation period T is directly proportional to the reciprocal of nanotube length.In addition,we found that electronic transport properties are sensitive to variation of the length of the nanotube. 相似文献
100.
为实现对数据细粒度且可扩展的访问控制,通过引入陷门搜索实现快速的条件匹配,提出一个高效的、可用于多条件以及"与"和"或"的复杂组合条件的代理重加密方案,较大地提高了条件代理重加密的效率,可实现高效的按需授权和撤销操作以满足用户对数据的细粒度访问控制需求.同时还引入强一次性签名算法以保证加密过程的安全性,最后在随机预言机模型下证明其在3-QDBDH假设下可抵抗选择密文攻击. 相似文献