《毛细管电色谱理论基础》

毛细管电色谱作为一种新型微分离分析技术,其分离过程具有多种机理协同作用的特征。对于毛细管电色谱的理论研究不仅要考虑系统的电属性,还要兼顾溶质的两相分配特征。该书系统地阐述了毛细管电色谱的基本理论,讨论了分离过程中影响峰展宽的因素及其规律。基于作者发展的弛豫理     

脉冲放电等离子体烟气脱硫脱硝工业试验

脉冲放电等离子体烟气治理技术具有流程简单，一次投资成本低，无二次污染，可同时脱硫脱硝，形成的副产物可回收利用等特点。     

中子飞行时间测量技术

用MCNP程序和ENDF／B—VI库数据计算了Livermore的^6 Li探测器的中子探测效率，并与国外发表的^6Li玻璃的探测效率数据进行比较，结果基本一致，表明本实验室的计算方法是正确的。     

光学材料微缺陷引起的损伤机理及后处理

采用时域有限差分方法（FDTD）进行元件表面微结构电磁场分布的数值模拟；同时实验分析了化学湿法刻蚀对光学元件表面面形及粗糙度、激光损伤阈值等的影响。     

用脉冲激光同轴全息技术测量微射流

强冲击载荷下自由表面的粒子喷射现象还没有被清楚认识，很难从理论上给以准确的计算模型，因而从实验测定材料在冲击载荷下自由面面喷射物质的分布和粒子尺寸大小就显得非常重要。测量微粒场的脉冲激光同轴全息技术，具有在纳秒或更在短时间内“固化”运动微粒场、测量精度高、景深长、光路简单和获得的信息量大等优点。这些优势使得脉冲激光同轴全息技术成为研究微喷射场的重要测试手段之一。     

镅污染手套箱系统的去污技术

考虑到手套箱系统的主要污染核素为^239Pu，^241Am，^3H和U，其中^239Pu，^241Am属α长寿命极毒核素，很容易产生放射性气溶胶。在手套箱系统退役过程中，手套箱系统的拆除解体前后均应采用行之有效的方法进行去污，最大限度的减少放射性物质对环境的污染。文中根据可剥离膜去污技术、电解去污技术、导电高分子聚合物导电机理以及超声波去污技术，针对镅污染手套箱拆下部件的污染情况和材质特点，采取单独使用和组合使用的方法进行相应的去污技术研究。     

脉冲中子探测系统的中子灵敏度能量响应

为了获得脉冲中子探测系统的中子灵敏度能量响应，编制了适合裂变中子测量探测系统灵敏度能响的一系列专用程序，研究了相应的实验标定技术，采用理论计算和实验验证相结合的方法，对几套探测系统中子灵敏度能量响应进行了研究，初步解决了标定需要的“单能、脉冲、高强度、多个不同能量的中子源”问题，使不确定度大大提高，满足了测量的要求。     

高效光学加工技术

为验证国产大口径KDP晶体金刚石车床（图1）的加工能力，进行了多次试验。加工的φ150mm小于0．52的铝镜面已达到与俄罗斯机床同等水平。但同时进行的一轮KDP晶体车削试验，结果并不满意，其单次透射波前畸变近4λ，原因可能是KDP晶体的装夹存在问题，导致加工效率不佳。而且加工中还产生周期性波纹，可能是由于机床压缩空气供给系统的周期性启动，造成周期性的压力波动。     

用于机械振动实时监测的光纤光栅有源传感装置

把一对中心反射波长分别为1562.11nm和1562.71nm的光纤光栅粘贴在均质、等厚、等腰三角形悬臂梁上下表面作为环形腔光纤激光器端镜，当机械振动激励自由端时，通过观测激光输出脉冲，地施加于自由端的机械振动的频率进行了实时监测；观察两光栅波长漂移量差值的变化，可在0～6.1mm的范围内判断所测振动的振幅。低于100Hz时，实验结果与实际值基本吻合。     

A Quasi-Symmetric Coupled Quantum Well and Its Electric-Optical Properties

We propose a novel coupled quantum well structure, i.e. a quasi-symmetric coupled quantum well (QSCQW). Based on the demands of optical switching devices for quantum well materials, the QSCQW configuration is further optimized. Consequently, in the case of low applied electric field 25kV/cm and low absorption loss 100cm^-1, a large field-induced refractive index change (for TE mode, n = 0.0106; for TM mode, n = 0.0115) is obtained in the QSCQW structure at the operation wavelength 1550hm. The value is in one or two order of magnitude larger than that in a rectangular quantum well and about 50% larger than that of five-step asymmetric coupled quantum well structure under the same working conditions. The refractive index change obtained with the optimized QSCQW under so low absorption loss and applied electric field is very attractive for semiconductor optical switching devices. This manifests that the QSCQW structure has a great potential for applications in ultra-fast and low-voltage optical switches and in travelling wave modulators.