Ti6A14V表面微弧氧化陶瓷涂层的结构和摩擦学特性

采用交流微弧氧化法，在Na2SiO3-(NaPO3)6-Na3MoO4溶液中制备了Ti6A14V表面氧化物陶瓷涂层，用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和球-盘摩擦磨损试验机研究了涂层的结构、形貌及摩擦学性能，用纳米压痕仪测定了涂层致密层的硬度，用扫描电子显微镜观察涂层磨损表面形貌，用能谱仪分析涂层磨屑的元素组成．结果表明：厚约20pm的涂层致密均匀，主要由锐钛矿和金红石相氧化钛组成；涂层致密层的硬度约为13．5GPa；在0．5N低载荷和摩擦循环次数小于2000次条件下，涂层同GCrl5钢对摩时的摩擦系数仅为0．18～0．20，较基底Ti6A14V与其对摩的摩擦系数低得多．摩擦过程中较软的GCr15钢球材料向涂层表面转移，涂层的磨损机制主要是轻微磨粒磨损与粘着磨损．     

反应磁控溅射制备AZO薄膜相结构的演化及机理研究

在室温下,利用直流反应磁控溅射技术在不同的氧气流量下沉积ZnO∶ Al (AZO)薄膜.采用XRD、SEM和TEM技术分析薄膜相成分、表面截面形貌及微观结构.结果表明:氧气流量为2.5 sccm时,沉积形成的薄膜为不透明具有金属导电性能的AZO/Zn( AZO)双层复合膜结构;氧气流量为3.5 sccm时,沉积形成了透明导电的AZO薄膜;氧气流量为5.0 sccm时,形成了透明不导电且含有纳米Al2O3颗粒的AZO薄膜;此外,AZO薄膜在400℃退火后,薄膜晶粒长大和(002)晶面方向择优生长更加明显以及高氧气流量沉积的AZO薄膜中的纳米Al2O3颗粒消失.     

日本血吸虫病肉芽肿的电镜观察

应用长爪沙鼠建立日本血吸虫病动物模型, 观察实验性日本血吸虫病肝脏肉芽肿的超微结构改变. 采用腹部贴片法感染血吸虫尾蚴, 每只沙鼠感染(120±2)条尾蚴, 于5周后解剖, 取出肝脏做病理组织学和透射电镜观察. 结果发现, 肝脏切片H.E.(铁苏木素伊红)染色后可观察到虫卵肉芽肿产生, 透射电镜观察, 可见超微结构改变. 肝脏肉芽肿的超微结构的病变可以清晰地显示肉芽肿的发生机制, 为实验性研究血吸虫病的防治奠定了基础.     

MFI分子筛前驱体对Y型沸石分子筛表面的修饰及其催化性质

间、对-甲基异丙苯是生产间、对-苯酚的反应中间体,因此其制备受到国内外广泛关注．ZSM-5,Y型,betn等沸石分子筛和掺杂zn的Al-MCM-41介孔分子筛在此反应中表现出不同的择形性．近年来利用沸石分子筛前驱体自组装技术合成的新型介孔材料已显示出优异的催化性能,     

双光子聚合引发剂BVPDA的合成、结构及非线性光学性质

合成了双光子聚合引发剂{4-[2-(4-溴苯基)-乙烯基]苯基}-二苯基胺(BVPDA),并测定了其晶体结构.结果表明,BVPDA为三斜晶系,P1空间群,a=1.0834(3)_nm,b=1.5625(2)_nm,c=1.9640(2)_nm,α=92.807(8)°,β=103.647(10)°,γ=106.676(13)°,V=3.0705(10)_nm³,Z=6,T=293(2)K,Dc=1.383g/cm³,R₁=0.0735,wR=0.1063.用¹HNMR谱、¹³CNMR谱及元素分析进行了表征.测试了紫外吸收光谱、单光子荧光光谱、单光子荧光寿命和双光子荧光光谱.在760nm的飞秒脉冲激光激发下,BVP-DA发出较强的上转换荧光,荧光峰位于462nm.以BVPDA作引发剂,加入丙烯酸酯型齐聚物(CN120C80),用Ti:sapphire飞秒激光器作光源,制作了一个三维周期性微结构.     

两性聚丙烯酰胺乳液选矿剂的合成及絮凝作用

两性聚丙烯酰胺乳液选矿剂的合成及絮凝作用;两性聚丙烯酰胺;乳液选矿剂;铝土矿赤泥;絮凝机理     

J* INTEGRAL OF THE SPECIFIC DEVIATOR STRAIN ENERGY AND ITS APPLICATION

IntroductionItiswell_knowthatJintegraloffracturemechanicswasproposedbyJ.R .RiceinRef.[1 ] .Jintegralisusedfordescribingtheaverageintensityofstressandstrainnearcracktipinelastic_plasticsituation .Underthelinearelasticcondition ,J=G ,whereGistheenergyreleaserate.However,Jintegralisnottheuniqueconservativelawofstaticelasticity[2 ],forinstance,Jk,L ,M ,allarepathindependentconservativeintegral.Y .J.Xie[3]suggestedthemouthwideningenergyrateintegralG ,whichisusedforcalculatingtheMode_Istress…     

Nd:LuVO4晶体的生长及其性能研究

采用提拉(Czochralski)法生长了Nd:LuVO4晶体.利用液相反应法,以V2O5和NH4OH生成NH4VO3,Nd2O3、Lu2O3和HNO3生成Nd(NO3)3和Lu(NO3)3反应制备多晶料;所生长Nd0.01Lu0.99VO4晶体为16×20×21 mm3,质量超过40g.以X射线荧光分析仪测得其生长中各主要元素的分凝系数.其中Nd3+约为0.91,V3+和Lu3+接近1.还测定了其介电常数ε11=27.2,ε33=33.9(30℃,1kHz),以同步辐射X射线白光形貌术观察了其内部质量.     

3英寸6H-SiC单晶的生长

SiC是宽带隙半导体材料的典型代表,具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一,因此高质量、大直径SiC单晶的生长一直是材料研究领域的热点课题。目前美国的Cree公司在SiC单晶生长领域研发方面起步早、投入大,SiC单晶的直径达到4英寸,处于领先地位。我国在“十五”期间投入了一定的人力、物力进行了SiC单晶生长的研究,在生长2英寸SiC单晶的工作中取得了一定的成绩[1],但更大直径的SiC单晶生长技术进展缓慢,至今未见国内报道。而对…     

6H-SiC衬底片的表面处理

相比于蓝宝石,6H-SiC是制作GaN高功率器件更有前途的衬底.本文研究了表面处理如研磨、化学机械抛光对6H-SiC衬底表面特性的影响.用显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、卢瑟福背散射谱表征了衬底表面.结果表明经过两步化学机械抛光后提高了表面质量.经第二步化学机械抛光后的衬底具有优异的表面形貌、高透射率和极小的损伤层,其表面粗糙度RMS是0.12nm.在该衬底上用MOCVD方法长出了高质量的GaN外延膜.