高效毛细管区带电泳二肽类组分迁移行为的研究

本文考察了影响二肽类组分在高效毛细管区带电泳上迁移时间重复性的因素,提出了采用相对指标来作为高效毛细管区带电泳峰定性的依据,并考察了电流以及柱温对迁移时间和相对迁移时间的影响,发现在恒压lgt~m与T^-1有良好的线性关系;并从迁移时间的基本方程定量地解释了上述的变化规律.本文还发现,采用相对迁移时间指标后可以有效地消除操作电流以及柱温对迁移时间所引起的波动,是毛细管区带电泳的一个特征参数.     

高锰酸根离子氧化烯烃反应机理的研究

高锰酸根离子氧化烯烃反应机理的研究王磊（淮北煤炭师范学院化学系，淮北２３５０００）关键词烯烃高锰酸根离子氧化机理碳碳双键是烯烃分子的官能团，通常情况下此官能团较活泼、易受亲电和亲核试剂的进攻。碱性的高锰酸根离子ＭｎＯ－４是烯烃羟化的经典试剂，同时导致...     

铕敏化荧光法测定甲磺酸帕苏沙星

稀土Eu3+能与甲磺酸帕苏沙星形成络合物,并发出Eu3+的特征荧光.加入表面活性剂SDBS能大大增强体系的荧光强度,由此建立了表面活性剂敏化的Eu3+荧光探针测定甲磺酸帕苏沙星的方法.最佳测定条件为最大激发和发射波长分别是332和618 nm;pH=7.5;Eu3+浓度为1.2×10-5 mol/L,SDBS浓度为3.0×10-5 mol/L.甲磺酸帕苏沙星浓度在3.0×10-8～2.0×10-6 mol/L范围内与荧光强度线性关系良好,r=0.9993;检出限为1.0×10-9 mol/L.该方法用于甲磺酸帕苏沙星注射剂和人体血清以及尿样中的甲磺酸帕苏沙星的含量测定,结果令人满意.     

用水合五氧化二锑分离放射性母子体的研究─—一个新的~(201)Pb—~(201)T1发生器的制备

本文研究了无机离子交换剂—水合五氧化二锑（Sb2O5·nH2O）的制备，并用它分离了放射性母子体，制备了一个新的201Pb—201Tl放射性发生器。结果表明，末发生器具有高效、快速、简便的特点，此外还讨论了离子交换反应的机理。     

KF—Al2O3催化咪唑的N—烷基化反应

近年来,载体氟化物(主要是指无水碱金属氟化物-无机载体)作为一种碱性催化剂在有机合成中获得了广泛的应用。与其它催化剂比较有下述优点:反应条件温和,催化反应活性高,选择性强,     

铜膜差分脉冲阳极溶出伏安法测定药物中铋的含量

研究了铜膜电极代替汞膜电极测定重金属铋的差分脉冲溶出伏安法。实验了同位镀膜法测定铋的条件。在最佳实验条件下,Bi3+浓度在5×10-8~2×10-5mol/L范围内,其溶出峰峰高与浓度呈线性关系,检出限达到1×10-8mol/L。测定了一些药物中铋的含量,结果准确。     

钇铝石榴石在高压下的光学性质第一性原理研究

本文采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,分别计算了120 GPa的压力范围内钇铝石榴石理想晶体和含氧空位点缺陷晶体的光学性质.计算数据表明:(1)在120 GPa的压力范围内其理想晶体和含2+价氧离子空位(形成能最低)的缺陷晶体在可见光区不存在光吸收(是透明的).(2)压力加载将导致其反射谱峰值强度降低,且空位缺陷的存在使其峰值强度进一步减弱.这些结果对进一步实验有重要的参考价值.     

相变及空位缺陷对AlN在高压下光学性质的影响

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法, 计算了AlN理想晶体和含铝、氮空位点缺陷晶体在100 GPa压力范围内的光学性质. 波长在532 nm处的折射率计算结果表明：AlN从纤锌矿结构相转变为岩盐矿结构相将导致其折射率增加; 铝空位缺陷将引起AlN岩盐矿结构相的折射率增大, 而氮空位缺陷却导致其折射率降低. 能量损失谱计算数据指明：结构相变使得AlN能量损失谱蓝移、主峰峰值强度增强;铝和氮空位缺陷将导致AlN岩盐矿结构相的能量损失谱主峰进一步蓝移、峰值强度再次增强. 计算预测的结果将为进一步的实验探究提供理论参考.     

含缺陷碳纳米管及碳纳米豆荚静动力特性模拟研究

采用分子动力学方法,对含双空位及多空位缺陷碳纳米管进行静动力特性模拟研究.首先讨论了双原子空位缺陷以及多原子空位缺陷对碳纳米管的准静态力学性质的影响,然后讨论了缺陷以及轴向预应力对碳纳米豆荚内C60分子振荡动力学的影响.研究表明,相对于无缺陷碳纳米管,含不同类型双原子空位缺陷碳纳米管的极限应力、极限应变和弹性模量都大幅下降;当碳纳米管缺陷原子较多,缺陷连接在一起形成类似裂纹之后,使得碳纳米管轴向抗压性能大幅降低,裂纹沿周向发展相比于裂纹沿轴向发展,其抗压能力下降得更多,这类似于含裂纹的壳体模型结构抗压性能的下降;缺陷碳纳米豆荚中C60分子的振荡频率受到缺失的碳原子数的影响,单原子空位缺陷使得C60分子的振荡频率增大,但随着空位数的增多, C60分子的振荡频率会逐渐减小;当缺陷碳纳米豆荚存在轴向预应力时, C60分子的振荡不仅受到缺陷影响,同时还受到轴向预应力的影响,这使得C60分子振荡变得更为复杂.