硅光电二极管激光损伤阈值随激光脉宽的变化

 对飞秒激光辐照下硅光电二极管损伤阈值进行了实验测量，对从1s到60fs不同脉宽激光辐照下硅光电二极管损伤阈值进行了讨论。实验数据表明，在1s到10ns脉宽范围内损伤所需能量密度近似而非严格地与脉宽的平方根成正比。信号分析表明硅光电二极管的损伤主要由热效应造成，而60fs激光辐照下的损伤阈值为0.1J/cm2，明显偏离普通温度分布预言的趋势。     

超短脉冲超强激光与固体靶相互作用中高能离子的产生

 用2D3V PIC粒子模拟方法得到了超短脉冲超强激光与固体靶相互作用中高能离子产生的图像，并对其机理进行了研究。在靶前后表面都观察到了高能离子的产生，并诊断了离子能谱。模拟结果表明，在靶前表面所产生的高能离子，角分布较大，在向靶内输运过程中会损失能量；在靶后表面产生的高能离子，定向性很好，能获得很高的能量。模拟得到的离子能量和实验观测结果在量级上相符。     

用于激光推进的高功率激光器的选择

 从激光推进的要求出发，阐述了用于激光推进的高功率激光器的选择原则，即激光器必须满足：（1）高的平均功率和峰值功率；（2）高的单脉冲能量；（3）高的重复频率；（4）优良的大气传输特性。主要分析了目前YAG固体激光器、自由电子激光器和TEA脉冲CO₂激光器的特点，通过上述4个方面性能的比较，认为在目前水平下，TEA脉冲CO₂激光器是进行激光推进的首选强激光源，其优点表现在：功率可达10kW量级，单脉冲能量可达0.5~1kJ，重复频率为20~40Hz；激光波长处于大气传输窗口，对大气变化不敏感；工作物质快速流动，不存在热透镜效应和破坏阈值；相关光学元件易于制造；光束质量较好；运行成本低。     

Second-order Nonlinear Optical Properties of a Series of Azulene Derivatives

The first hyperpolarizabilities of a series of novel azulenic-barbituric acid chromophores have been studied by using 12 excitation wavelengths, ranging from 900 to 1907 nm. The dispersion relation of the first hyperpolarizabilities of chromophores holds the same tendency as the experimental results. In addition, the static first hyperpolarizability β0 of molecules was calculated by means of the Sum-Over-States (SOS) expression and the two-level formula respectively. The results show that these molecules possess large static first hyperpolarizabilities and the, β0 value increases as the donor or acceptor strength enhances; the distorted degree of molecules has also an important influence on the β0 value.     

辐射加热金X光再发射时间测量

利用星光Ⅱ三倍频激光打双盘靶，研究了辐射加热材料的Ｘ光发射时间。激光脉冲能量４０～６０Ｊ、脉冲宽度６００～７００ｐｓ。通过两台时间关联的亚千Ｘ光能谱仪分别监测双盘靶初、次级发射Ｘ光谱，给出了辐射加热次级Ｘ光再发射时间。     

与q形变玻色算符逆算符相关的相干态及其量子统计性质

讨论了ｑ形变玻色算符的广义逆算符作用于ｑ－相干态所得到的两类量子态的数学及量子统计性质。结果表明，ｑ－相干态的光子激发态不存在压缩但呈现反聚束效应，而ｑ－相干态的光子湮灭态却存在压缩但不呈现反聚束效应。     

共振原子蒸气中激光脉冲的时空特性

在柱对称条件下，利用耦合的布洛赫－麦克斯韦方程，研究了激光脉冲在原子蒸气介质中的共振传播。考察了脉中在时空中的演化。数值计算结果表明激光脉冲在传播中，由于自感应透明与光波的衍射效应，表现出复杂的相干现象。     

双模含失谐均匀加宽激光的不稳定性与混沌

研究了双模含失谐均匀加宽激光的不稳定与混沌行为，在不同失谐情况下给出了激光经Ｈｏｐｆ分岔而出现洛仑茨不稳定的判据，它与模式跳变不稳定共同构成了激光的不稳定边界，并且模拟发现洛仑茨不稳定在一定条件下将触发激光模式的跳变，从而表现出双模所特有的非稳定现象。     

Ablation of GaN Using a Femtosecond Laser

We study the pulsed laser ablation of wurtzite gallium nitride(GaN) films grown on sapphire,using the femtosecond laser beam at a central wavelength of 800nm as the source for the high-speed ablation of GaN films.By measuring the backscattered Raman spectrum of ablated samples,the dependence of the ablation depth on laser fluence with one pulse was obtained.The threwshold laser fluence for the ablation of GaN films was determined to be about 0.25J/cm^2,Laser ablation depth increases with the increasing laser fluence until the amount of removed material is not further increased.The ablated surface was investigated by an optical surface interference profile meter.