毛细管电色谱中进样时间对柱效的影响

毛细管电色谱是近年发展起来的一种新型微分离技术，它结合了高效液相色谱和毛细管电泳的物点，具有高效、快速，高选择性，其有关理论研究和应用越来越深入，本文从色谱动力学角度讨论了毛细管电色谱中进样时间对柱的影响。     

非强占优先权下的M/M/1排队

分析带有两个优先权的非强占M/M/1系统的性能,用补充变量法构造向量马尔可夫过程对此排队系统的状态转移方程进行分析,得到两类顾客在非强占优先权的队长联合分布的母函数,进一步讨论,得出了服务台被两类顾客占有和闲置的概率以及两类信元各自的平均队长.     

阴极还原处理对多孔硅发光性能的影响

对经过阴极还原处理后的多孔硅样片进行了光致发光测试和稳定性测试.实验结果表明这种处理能明显改善多孔硅的发光稳定性,使其表面结构更加稳定.利用原子力显微镜对不同还原时间的多孔硅微结构及形貌进行了比较,在一定范围内随着还原时间的增长多孔硅表面粗糙度增大,PL谱增强.     

乌骨鸡活性肽对体外非酶糖基化的抑制作用

采用正交实验优化了体外非酶糖基化反应体系,体系中加入不同浓度的乌骨鸡活性肽I、Ⅱ37 ℃孵育,同时以肌肽为阳性对照,观察乌骨鸡活性肽对非酶糖基化反应的影响.通过测定预定时间体外非酶糖基化体系的吸光度和荧光值计算乌骨鸡活性肽对非酶糖基化反应的抑制率和对非酶糖基化终产物生成的抑制率.结果表明乌骨鸡活性肽Ⅱ对体外非酶糖基化反应和非酶糖基化终产物的生成均具有较强的抑制作用.     

LD Pump Single-Longitudinal-Mode Nd：GdVO4/RTP Solid-State Green Laser

The single-longitudinal-mode Nd：GdVO4/RTiOPO4 （RTP） solid-state Green laser operation of a laser-diode （LD） end-pumped laser is realized by multi-cavities and a Brewster plate. The LD-pumped single-frequency green laser has been demonstrated by optimizing several parameters and a cavity length, with precise temperature controlling of Nd：GdV04, RTP and laser diode. When the incident pump power is 2 W at 808.4 nm, a single-frequency cw green laser at 532nm with output 210 m W is obtained, the optical-to-optical conversion efficiency is up to 10.5%.     

稀土固体超强酸SO2-4/TiO2-La3+催化硝化甲苯的研究

研究了以固体超强酸SO2-4/TiO2-La3+作为催化剂,浓硝酸和甲苯为原料合成硝基甲苯,并考察了影响反应的因素.结果表明,催化剂用浓度为1.0 mol·L-1硫酸浸泡3小时,反应催化剂用量为硝酸质量的10%,反应时间为3小时,反应温度为55℃是最适宜的反应条件,甲苯转化率达90.14%,邻对比达0.89.     

基于傅立叶变换轮廓术的物面相位提取

采用傅立叶变换轮廓术,针对基频提取的关键技术采用逐行傅立叶变换,准确提取基频信息的方法恢复相位信息.在此基础上,以未畸变条纹为基准,得出被测物体的真实位相值.该方法只需一幅条纹图,节约了测量时间.实验证明可实现无接触面型的自动传感.     

小型高压冷阴极触发管性能分析

触发管作为一种高压开关，基于其导通时间短，可承受数千安培脉冲电流等特点被广泛应用于触发器、快脉冲产生器及大电流脉冲发生器中。随着系统精良小型化的发展需求，相应对触发管导通时间、脉冲电流和导通时间晃动等参数也提出了更高的要求。     

CHBr薄膜制备的初步研究

碳氢（cH）及其掺杂材料常被用作ICF实验靶丸烧蚀层材料。制备CH薄膜及其掺杂材料的方法有很多，诸如：离子束辅助沉积、离子溅射沉积、低压等离子体化学气相沉积（LPPCVD）等。近年来，详细研究了LPPCVD法制备CH薄膜的制备方法与工艺，形成了比较成熟的技术路线与工艺路线，并为“神光”实验提供了一系列实验靶丸。     

Fe/Si多层膜的层间耦合与界面扩散

对以本征Si及重掺杂ｐ型和ｎ型Si作为中间层的Fe/Si多层膜的层间耦合进行研究，并通过退火，增大Fe，Si之间的扩散，分析界面扩散对层间耦合的影响. 实验结果表明，层状结构良好的制备态的多层膜，Fe，Si之间也存在一定程度的扩散，它是影响层间耦合的 主要因素，远远超过了半导体意义上的重掺杂，使不同种类的Si作为中间层的层间耦合基本 一致.进一步还发现，在一定范围内增大Fe，Si之间的扩散，即使多层膜的层状结构已经有了相当的退化，Fe/Si多层膜的反铁磁耦合强度基本保持不变. 关键词： Fe/Si多层膜 层间耦合 界面扩散