Luminescent Characteristics of LiSrBO3：Eu3＋ Phosphor for White Light Emitting Diode

LiSrBO3 ：Eu3＋ phosphor is synthesized by a high solid-state reaction method, and its luminescent characteristics are investigated. The emission and excitation spectra of LiSrBO3：Eu3＋ phosphors exhibit that the phosphors can be effectively excited by near ultraviolet （401 nm） and blue （471 nm） light, and emit 615nm red light. The effect of Eua＋ concentration on the emission spectrum of LiSrBO3：Eu3＋ phosphor is studied; the results show that the emission intensity increases with increasing Eu3＋ concentration, and then decreases because of concentration quenching. It reaches the maximum at 3mol%, and the concentration self-quenching mechanism is the dipoledipole interaction according to the Dexter theory. Under the conditions of charge compensation Li＋, Na＋ or K＋ incorporated in LiSrBO3, the luminescent intensities of LiSrBO3 ：Eua＋ phosphor are enhanced.     

N^＋（N=Li,Na,K）对发光材料M3（M=Ca,Sr,Ba）Y2（BO3）4：Eu^3＋光谱的影响

采用高温固相反应方法在空气中制备了M3(M=Ca,Sr,Ba)Y2(BO3)4∶Eu3 红色发光材料,测量结果显示,材料的主发射峰均位于613 nm处,监测613 nm发射峰时,所得材料的激发光谱相同。研究了Li ,Na 和K 对M3(M=Ca,Sr,Ba)Y2(BO3)4∶Eu3 材料激发与发射光谱的影响,结果显示,加入Li ,Na 和K 后,M3(M=Ca,Sr,Ba)Y2(BO3)4∶Eu3 材料的激发与发射光谱的峰值位置并不发生变化,但材料的激发与发射光谱的峰值强度均得到了不同程度的增强。在Li ,Na 和K 掺入浓度相同的条件下,研究发现,与加入Na 和K 时相比,加入Li 时,M3(M=Ca,Sr,Ba)Y2(BO3)4∶Eu3 材料的激发与发射光谱的峰值增强效果最明显。进而研究了Sr3Y2(BO3)4∶Eu3 材料发射峰强度随Li 掺杂浓度的变化情况,结果表明,随着Li 掺杂浓度的增大,Sr3Y2(BO3)4∶Eu3 材料发射峰强度先增大后减小,在Li 浓度为5 mol%时到达峰值,约为未掺杂时的两倍。     

Ca2SiO4:Dy3+材料的制备及其发光特性

采用高温固相法制备了Ca₂SiO₄:Dy³⁺发光材料.在365nm紫外光激发下,测得Ca₂SiO₄:Dy³⁺材料的发射光谱为一多峰宽谱,主峰分别位于486nm,575nm和665nm处;监测575nm发射峰,测得材料的激发光谱为一多峰宽谱,主峰分别位于331nm,361nm,371nm,397nm,435nm,461nm和478nm处.研究了Dy³⁺掺杂浓度对Ca₂SiO₄:Dy³⁺材料发射光谱及发光强度的影响,结果显示,随Dy³⁺浓度的增大,黄、蓝发射峰强度比(Y/B)逐渐增大,利用Judd-Ofelt理论解释了其原因;随Dy³⁺浓度的增大,Ca₂SiO₄:Dy³⁺材料发光强度先增大,在Dy³⁺浓度为4 mol%时到达峰值,而后减小,根据Dexter理论其浓度猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用.研究了电荷补偿剂Li⁺,Na⁺和K⁺对Ca₂SiO₄:Dy³⁺材料发射光谱的影响,结果显示,不同电荷补偿剂下,随电荷补偿剂掺杂浓度的增大,Ca₂SiO₄:Dy³⁺材料发射光谱强度的演化趋势相同,即Ca₂SiO₄:Dy³⁺材料发射峰强度先增大后减小,但不同电荷补偿剂下,材料发射峰强度最大处对应的补偿剂浓度不同,对应Li⁺,Na⁺和K⁺时,浓度分别为4mol%,4mol%和3mol%. 关键词： 白光LED 2SiO₄:Dy³⁺')" href="#">Ca₂SiO₄:Dy³⁺ 发光特性 电荷补偿     

A novel yellow phosphor for white light emitting diodes

This paper reports that a novel yellow phosphor, LiSrBO₃:Eusup>2+, was synthesized by the solid-state reaction. The excitation and emission spectra indicate that this phosphor can be effectively excited by ultraviolet (360 and 400~nm) and blue (425 and 460~nm) light, and exhibits a satisfactory yellow performance (565~nm). The role of concentration of Eusup>2+ on the emission intensity in LiSrBO₃ is studied, and it is found that the critical concentration is 3 mol\%, and the concentration self-quenching mechanism is the dipole--dipole interaction according to the Dexter theory. White light emitting diodes were generated by using an InGaN chip (460~nm or 400~nm) with LiSrBO₃:Eusup>2+ phosphor, the CIE chromaticity is (x=0.341, y=0.321) and (x=0.324, y=0.318), respectively. Therefore, LiSrBO₃:Eusup>2+ is a promising yellow phosphor for white light emitting diodes.     

Ce:KNSBN晶体中调制光耦合研究

采用非同时读出条件下晶体两波耦合实验装置,在入射光调制下,研究了调制频率对Ce:KNSBN晶体两波耦合有效增益(G)的影响,结果显示G随调制频率的增大先增大后减小,但入射光波长不同时,G最大值对应的调制频率不同,入射光波长为632.8nm时,G最大值为20.2,对应的调制频率为100Hz;入射光波长为532nm时,G最大值为15.1,对应的调制频率为175Hz.同时研究了入射光参量对增益改善(Gm/Gf)及最佳调制频率的影响,结果显示不同入射光参量下增益改善及最佳调制频率不同,入射光波长为632.8nm时,增益改善最大为1.92,对应的最佳调制频率为100Hz;入射光波长为532nm时,增益改善最大为1.50,对应的最佳调制频率为150Hz.采用运动光栅理论对实验结果进行了解释.     

尿素用量对燃烧法合成CaAl2O4：Eu2+,Nd3+长余辉材料发光性能的影响

利用金属硝酸盐和尿素的氧化还原反应,通过燃烧法在600℃的炉温下合成了蓝紫色长余辉发光材料CaAl₂O₄:Eu²⁺,Nd³⁺。在金属硝酸盐溶液浓度不变的条件下,通过改变尿素与硝酸根的量的比,合成了多组长余辉材料样品。当尿素用量较少时,Eu³⁺不能完全被还原为Eu²⁺;随尿素用量增加,样品的Eu³⁺特征发射减弱,余辉初始亮度和持续时间均得到改善;当尿素的用量达到理论用量的5倍时,样品余辉特性最好,继续增加尿素用量,余辉亮度和持续时间反而下降。将燃烧法制备的各组样品用活性炭密封,在1000℃条件下反应2h,使Eu³⁺完全被还原为Eu²⁺,同时除去燃烧法反应不完全的杂质,可以一定程度提高材料的余辉发光性能。     

Preparation and luminescence characteristics of Eu^2＋ activated silicate phosphor

This paper synthesizes the Sr2SiO4：Eu^2＋ phosphor by high temperature solid-state reaction. The emission spectrum of Sr2SiO4 ： Eu^2＋ shows two bands centred at 480 and 547 nm, which agree well with the calculation values of emission spectrum, and the location of yellow emission of Sr2SiO4 ： Eu^2＋ is influenced by the Eu^2＋ concentration. The excitation spectrum for 547 nm emission has two bands at 363 and 402 nm. The emission spectrum of white light emitting diodes （w-LEDs） based on Sr2SiO4 ： Eu^2＋ phosphor ＋ InGaN LED was investigated.     

Ba3Tb(BO3)3:Ce3+:一种白光LED用绿色荧光粉

采用高温固相法合成了Ba3Tb(BO3)3和Ba3Tb(BO3)3:Ce3+两种绿色荧光粉,并研究了材料的发光性质.Ba3Tb(BO3)2材料呈多峰发射,发射峰位于439,493,547,589和629 nm,分别对应Tb3+的5D3→7F4和5D4→7F1=6,5,4,3跃迁发射,主峰为547 nm;监测547 nm发射峰,所得激发光谱由4f75d1宽带吸收(200-330 nm)和4f4f电子吸收(330-400 nm)组成,主峰为380 nm.以Ce3+激活Ba3Tb(BO3)3,所得Ba3Tb(BO3)3:Ce3+与Ba3Tb(BO3),材料的发射光谱分布相同,但发射强度明显增强,说明Ce3+对Tb3+产生了很好的敏化作用;监测547 nm最强发射峰,所得激发光谱为宽带,主峰位于360 nm.改变H3BO3量,Ba3Tb(BO3)3:Ce3+材料的发射强度随之变化,当H3BO3过量15 wt%时,发射强度最大.上述研究结果表明Ba3Tb(BO3)3:Ce3+是一种很好的适于UV-LED管芯激发的白光LED用绿色荧光粉.     

白光LED用Ba2B2P2O10∶Eu2+绿色荧光粉的光谱特性

采用高温固相法制备了一种适于近紫外光激发,发射绿光的Ba2B2P2O10∶Eu2+材料,并研究了材料的发光性质.Ba2B2P2O10∶Eu2+材料的发射光谱为一峰值位于522 nm的非对称单峰宽谱|监测522 nm发射峰,所得激发光谱覆盖300~450 nm,主峰位于381 nm,为Eu2+的5d→4f跃迁特征激发谱带.利用van Uitert公式计算了Eu2+取代Ba2B2P2O10中Ba2+时所占晶体学格位,得出507 nm和542 nm发射峰分别归属于八配位和六配位的Eu2+发射.研究发现,Eu2+浓度对Ba2B2P2O10∶Eu2+材料的发射强度有影响,并判断出Eu2+在Ba2B2P2O10中发射的自身浓度猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用.     

电子助进化学气相沉积金刚石中衬底温度对发射光谱的影响

采用蒙特卡罗方法,对以CH4/H2为源料气体的电子助进化学气相沉积(EACVD)金刚石中的氢原子(H_α,H_β和H_γ)、碳原子C(2p3s→2p2: λ=165.7 nm)以及CH(A2Δ→X2Π: λ=420～440 nm)的发射过程进行了模拟,研究了衬底温度对各发射谱线以及金刚石膜合成的影响。结果得知,各谱线强度随衬底温度的变化幅度很小,且在衬底表面附近的谱线强度随衬底温度的变化幅度相对于远离衬底的反应区域较大,这表明衬底温度的变化基本上不改变远离衬底的反应区域中反应基团成分,而只对衬底表面附近的反应过程有影响。由此得知,衬底温度对薄膜质量的决定性主要是由于衬底温度改变了衬底表面化学反应动力学过程和表面附近的反应基团的缘故,而不是衬底温度对反应空间中气相成分的影响。