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91.
为了解中药重金属污染情况,测定了市售常用15种中成药中重金属铅、镉、铜的含量,其中铅、镉采用石墨炉原子吸收法,铜采用火焰原子吸收法测定.结果表明,15种中成药均不同程度被这3种重金属污染,通心络中铅、镉、铜含量都已超标,桑菊感冒片镉超标,中药重金属污染问题仍然存在.  相似文献   
92.
对火焰原子吸收分光光度法定水泥中的铁和锰的方法进行了研究.结果表明,在选定的最佳仪器条件下,测定水泥中铁和锰的RSD分别为0.45%和2.68%,回收率分别为97.0%~99.0%和98.0%~102.0%,该法操作简单、测试快速、结果准确稳定.  相似文献   
93.
建立了火焰原子吸收光谱法测定铸铝合金中的铜含量,并研究了酸度、干扰元素、干扰抑制剂的加入量对测定结果的影响.通过大量实验的反复验证,确定了测定铸铝合金中铜元素含量的最佳工作条件,并在最佳工作条件下测定标准试样,测定结果的相对标准偏差小于5%,回收率为99.2%~102.2%,从而证明了方法的可行性.该方法测定铜含量的范...  相似文献   
94.
在还原气氛下高温固相法合成了CaAl12O19:Eu2+,Cr3+荧光粉.样品光谱显示:Eu2+发射带与Cr3+吸收带有重叠,具备Eu2+-Cr3+之间发生能量传递必要条件.在290 nm近紫外光激发下,单掺杂Eu2+和Cr3+时样品均无691 nm发射,仅在Eu2+,Cr3+共掺时才出现691 nm发射,这证明Eu2+和Cr3+之间发生了能量传递,且监测691 nm时样品的激发光谱也证实了这一点.CaAl12O19:1%Eu2+,x%Cr3+样品组的发射光谱研究表明:增大x能提高Cr3+红光与Eu2+蓝紫光发射强度之比及Eu2+-Cr3+之间能量传递效率.CaAl12O19:2%Cr3+,x%Eu2+样品组的激发光谱分析表明:x>2时,Cr3+在415 nm处的吸收效率相对于565 nm有显著提高.还对样品CaAl12O19:1%Eu2+,1%Cr3+荧光寿命和能量传递速率进行了简单分析.  相似文献   
95.
铅、镉等重金属对环境的污染和人体健康的影响很大,当人们食用了含有高浓度铅、镉的食物时,经过血液的运输,使肝脏、脾脏和肾脏都积存了铅、镉,易引起铅、镉中毒。铅中毒会造成贫血、高血压、神经痛、骨质松软、肾炎和分泌失调等病症;镉中毒会首先出现呼吸道刺激症状,口干、流涕、咽痛等,伴  相似文献   
96.
分别采用传统的加热回流法和微波反应法合成溴化1-(2-胺乙基)-3-甲基咪唑([NH2e-mim]Br)功能离子液体,并对其进行CO2吸收实验.实验结果表明:与加热回流法相比,微波法极大地节省反应时间,且产率高达91.8%.通过吸收和解吸实验发现,在常压298 K的温度下,[NH2e-mim]Br 吸收CO2的物质的量...  相似文献   
97.
甲醇低压羰基合成乙酸工艺方法具有先进的工艺技术性,但其物料中碘化物、酯类和乙酸等在一定温度和压力下具有极强的腐蚀性。生产工艺中采用含有较高量钼的合金作为制造设备的材料,因此,测定乙酸物料中痕量钼,可监测设备的腐蚀情况,对于设备的维护保养具有重要的现实意义。用石墨炉原子吸收光谱法测定痕量钼,乙酸物料中碘化物、乙酸等基体干扰严重,且石墨管使用寿命缩短,一般认为钼元素容易形成熔点、沸点很高的碳化物,使用普通石墨管测定时灵敏度很低,记忆效应严重。  相似文献   
98.
稀有金属镓是生产半导体元件的重要材料,原料90%以上来自有色金属富镓渣。镓的分析方法除了经典的罗丹明B光度法外,还可采用火焰原子吸收光谱法测定。火焰原子吸收光谱法测定镓灵敏度不高,样品预处理通常采用萃取-反萃取分离富集镓。萃取-火焰原子吸收光谱法测定镓,虽然方法简单,但预处理操作流程长,萃取剂污染环境,危害人畜健康。近年也见有机沉淀分离富集镓的报道。方法  相似文献   
99.
通过向金溶胶中加入无机盐诱导金纳米粒子自组装,并自然沉降金纳米粒子组装体得到黑金薄膜.研究结果表明,该黑金薄膜在400~1600 nm的宽带范围内表现出很强的吸收能力(>80%),在400~800 nm的可见范围内能达到94%,表现出高光热转换能力和宽波段的高表面增强拉曼散射(SERS)活性.  相似文献   
100.
光催化解离H2O合成H2是绿色可再生的太阳能光子能量转换策略之一.目前,增强光催化材料对太阳能光子的捕获并将之有效利用仍然是一个具有挑战性的课题.光催化解离H2O反应包括三个过程:太阳能光子能量促使光生电子在半导体材料带隙中的跃迁;光生电子定向传输;光生电子与吸附在半导体材料表面的H2O分子发生反应.第一过程需要强的太阳光子捕获能力以产生足够的光生载流子;第二、三过程在动力学上反映了光生载流子在各个竞争过程中能否有效利用的问题,如光生电子迁移与H2O作用的速度很慢(~μs),而电子与空穴的复合速度快(~ps).目前研究者很难协调半导体材料的电学和光学特性以满足光生载流子在热力学和动力学两方面的要求.g-C3N4是由C、N原子通过sp2杂化组成的二维π共轭体系.当g-C3N4结构偏离二维平面时,共轭体系的π电子由凹面迁移到凸面,促使凹、凸面形成表观电势差,有利于电子的定向传输.本文通过卷曲sp2杂化离域均三嗪体系偏离二维平面,得到空心凹面g-C3N4结构,便捷地优化了半导体的电子结构.将CuInS2嵌入生长于空心g-C3N4的凹面,所构成的半导体光催化材料CuInS2@C3N4展现了增强的光捕获能力,以及电子定向传输转移能力.结合XPS、光电流测试、电化学阻抗谱、稳态及瞬态荧光等表征手段揭示空心g-C3N4凹、凸面表观电势差驱动光生电子以S-型光催化作用机制从CuInS2的Cu 2p向g-C3N4的N 1s的路径转移.因而,所构建的CuInS2@C3N4在可见光激发下产氢效率提高到373μmol·h^?1·g^?1,其产氢效率分别是二维平面g-C3N4负载1 wt%Pt和3 wt%Pd效率的1.57倍和1.35倍,表明空心g-C3N4凹、凸面电势差可以显著地促进光生电子分离和利用率,从而提高光催化解离水制氢效率.本文可增强g-C3N4的可持续太阳能转换性能,也适用于其他半导体材料以替代贵金属光催化体系,降低光催化产氢技术成本,促进光催化技术的应用.  相似文献   
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