聚苯胺修饰的石英晶体微天平气体传感器

应用电化学方法在石英晶体微天平的金电极上修饰聚苯胺膜，用作一个气体传感器。该传感器对乙醇，苯和 氨等被测气体的频率响应表明，在含高氯酸钠的体型酸－醋酸钠缓冲中制得的聚苯胺膜，其结构有利于被测气体的响应。     

细胞色素C的薄层光谱电化学研究

细胞色素C(Cyt. C)在电极界面上的电子传递十分缓慢,只有在适当的电子迁移中介体(Mediator)或促进剂(Promoter)参与下才能以较快的速度进行反应,本文报道了以4,4′-二硫基联吡啶(PySSPy)作电极反应促进剂,用薄层光谱电化学技术研究细胞色素C在金微网栅薄层透光电极界面上的电化学过程,测定了电极反应的热力学参数E~(o′)及n,并与循环伏     

QuEChERS-超高效液相色谱-四极杆/静电场轨道阱高分辨质谱快速测定水产品中25种药物残留

采用了一种高效基质脂肪吸附剂（EMR-Lipid）去除水产品基质中的脂肪和磷脂等杂质,利用超高效液相色谱-四极杆/静电场轨道阱高分辨质谱法（UPLC-Q Orbitrap HRMS）的同时定性定量功能,建立了水产品中25种药物残留的检测方法。样品经乙腈提取,EMR-Lipid净化,同时加入3 g氯化钠和3 g无水硫酸钠进行盐析,采用ACQUITY UPLC BEH C18色谱柱（100 mm×2.1 mm,1.7 μm）分离,以含0.1%（v/v）甲酸的乙腈溶液和0.1%（v/v）甲酸水溶液为流动相进行梯度洗脱,在加热电喷雾离子（HESI）源、全扫描/实时二级质谱扫描（Full MS/dd-MS²）监测模式下进行检测。结果表明,25种目标化合物的质量浓度与母离子峰面积间的线性关系良好,相关系数（r）均大于0.997;25种目标化合物的检出限为0.1~1.0 μg/kg,其平均加标回收率为70.1%~108.9%,相对标准偏差为2.1%~13.8%。该法具有操作简单快捷、灵敏度高等优点。     

氯过氧化物酶-聚L-赖氨酸/GC电极的电化学特性

应用电化学方法在玻碳电极上修饰聚L-赖氨酸膜,以1-乙基-(3-二甲基氨基丙基)碳二亚胺盐酸盐做交联剂,固定氯过氧化物酶.修饰电极的循环伏安曲线呈现一对可逆的氧化还原峰,表明聚L-赖氨酸能够很好地促进氯过氧化物酶在电极表面的直接电子传递,这是一个受吸附控制并伴随有质子转移的准可逆电子传递过程.该电极有很好的稳定性,并能显著地电催化氧的电化学还原反应.     

血红蛋白在类生物膜修饰电极上的直接电化学

使用掺合单壁碳纳米管(SWCNT)的不溶性表面活性剂双十二烷基二甲基溴化铵(DDAB)修饰玻碳电极,并将血红蛋白(Hb)固定在修饰膜中制得了稳定的固载Hb的修饰电极.循环伏安和交流阻抗测试表明,固定在电极上的Hb是一个受吸附控制的可逆电子传递过程.该氧化还原过程的CV扫描峰电位与溶液pH值成良好的线性关系,斜率39 mV/pH,表明在发生Hb直接电子传递反应的同时伴随有质子参与反应.掺合SWCNT的类生物膜修饰电极较之不掺合SWCNT的修饰电极对氧气的还原具有更好的催化作用.并以SWCNT掺合量为1 mg.mL-1的DDAB修饰电极性能最佳.     

锆离子改善十烷基磷酸组装膜结构及性能研究

利用烷基磷酸、金属锆离子和不锈钢电极表面的相互作用,通过表面自组装,在304不锈钢电极表面分别修饰了单层和双层烷基磷酸自组装膜,采用接触角和极化曲线对修饰电极进行测量.实验表明,双层烷基磷酸修饰膜具有更佳的耐腐蚀性能.     

普鲁士蓝膜电化学行为的EQCM研究

应用循环伏安法于铂电极上电化学沉积PB膜,并由电化学石英晶体微天平技术(EQCM)原位测量了PB膜电沉积过程的频率响应.研究表明,沉积液中添加邻菲咯啉对PB膜结构有影响.有邻菲咯啉参与沉积的PB Pt/QCM电极对H2O2的电催化还原性能优于不含邻菲咯啉沉积液制备的PB Pt/QCM电极.     

代码组件重用支撑环境CCRSE的设计策略

介绍了基于代码组件库的代码组件动态组合重用的支撑环境CCRSE的设计策略,包括代码组件及其组合机制的设计、CCRSE体系结构及其功能的设计.通过集成支持各种重用活动的一系列工具,CCRSE能够为代码组件动态组合重用的全过程提供系统全面的技术支持.     

795 nm大功率外腔半导体激光器的研究

采用超极化惰性气体的磁共振成像技术可大大提高肺部影像成像质量，其中自旋交换光泵作为超极化惰性气体的关键，通常是对碱金属铷进行泵浦，为获得较好的泵浦效率，要求泵浦源具有窄光谱宽度和高功率的特点。针对这一需求，提出以体布拉格光栅（VBG）作为外腔反馈元件的795 nm窄谱宽外腔半导体激光器设计，并对VBG的外腔锁模稳定性进行了分析讨论，最终实现了功率为6.36 W，谱宽低至0.036 nm的795.245 nm单管外腔激光输出，为实现大功率的单管外腔半导体激光器奠定基础。