端粒酶活性检测研究进展

端粒酶活性检测方法经过近30年的不断改革与发展,取得了巨大突破。该文重点综述了近3年的端粒酶活性检测方法,其中包括化学反应发光法、电化学法、荧光分析法、比色法等,旨在更加全面地了解目前端粒酶活性检测的研究进展,为设计新的端粒酶活性检测方法和克服端粒酶活性检测方法在临床试验中的挑战提供思路。     

金纳米粒子组装体系中偶联单分子层膜结构的SERS光谱表征与分析

通过分子自组装方法制备4,4′-二硫联吡啶(PySSPy)单分子膜修饰的金电极. 利用所形成的对巯基吡啶自组装单分子膜(SAMs)作为偶联层进行金纳米粒子有序膜的组装. 对该纳米粒子组装体系进行Raman光谱测定, 得到了具有良好信噪比的对巯基吡啶单分子膜的表面增强拉曼散射(SERS)光谱. 在此基础上, 进一步采用电化学现场SERS光谱技术研究了该纳米粒子组装体系的SERS光谱随电位变化的规律. 在该体系稳定的电位范围内表征对巯基吡啶单分子膜的特征谱峰1011与1093 cm^-1、1575与1610 cm^-1以及1206与1215 cm^-1这三对谱峰其强度随着所施加电位的改变呈现出明显的规律性. 分析表明, 偶联单分子层中吡啶环芳香性随着所施加电位的改变而有规律地变化是SERS光谱特征改变的内在原因.     

花样滑冰跳跃动作中的力学原理

本文根据冬奥花样滑冰比赛项目跳跃动作的特点,对其蕴含的动量定理、动量矩定理和动量矩守恒定律等力学原理进行了解读。     

光谱法研究α-萘乙酸与核酸的相互作用

利用荧光光谱法研究了α-萘乙酸（NAA）与DNA之间的相互作用。结果表明,DNA能使NAA的荧光强度猝灭,根据荧光强度变化和荧光猝灭公式求得NAA与DNA的荧光猝灭常数。荧光寿命实验结果表明,荧光猝灭是由形成复合物的静态猝灭过程所致。黏度实验、离子强度实验等多种实验结果表明,NAA与DNA间的结合作用为部分插入式和沟槽式相结合。     

共振光散射方法研究钙存在下十二烷基苯磺酸钠的聚集行为

利用共振光散射技术在不引入探针的条件下,建立了室温下直接测定十二烷基苯磺酸钠(SDBS)的临界胶束浓度(CMC)的方法.研究发现:在室温下,SDBS水溶液的共振光散射强度(RLS)随SDBS浓度的增加而增强;且当SDBS接近其临界胶束浓度时,RLS强度增强显著,共振光散射峰分别位于330和396 nm.396 nm处的RLS强度与SDBS浓度关系曲线呈S型曲线,本文将曲线突升起点处两条切线的交点对应的SDBS浓度,确定为SDBS的临界胶束浓度(CMC),这与荧光芘探针和电导率等方法测定结果基本一致.并利用此方法分别研究了Ca2+浓度对SDBS及其SDBS-聚乙二醇辛基苯基醚(OP)复配体系聚集行为的影响.结果表明,SDBS与OP以1∶ 3复配时,增强了体系的抗钙能力.     

基于STC单片机的紫外火焰探测器设计

介绍了一种基于STC单片机的紫外线火焰探测器。紫外传感器采用OSRAM公司的SFH530-R,设计了传感器信号处理电路获取火焰信号的闪烁频率及其辐射的紫外线强度,通过判断传感器输出交流量的频率及幅值来识别火焰,将直流量转换成0~5V电压信号输出指示火焰强度。     

基于普鲁士蓝(PB)膜修饰铂电极的葡萄糖传感器的研究

在制备PB膜修饰铂盘电极的基础上,利用修饰电极对过氧化氢的电催化还原特性,得到了性能优良的葡萄糖传感器。作者系统地考察了有关修饰膜制备和测试实验条件对传感器性能的影响,结果表明传感器的最佳工作电位是0．05V,测试溶液的最适PH值为6．5,在选定的工作条件下,传感器的检测灵敏度为80nA/mmol.L^-1,线性范围为0．1－5mmol.L^-1,响应时间为1．5min,寿命在1个月以上,表观米氏常数为21mmol.L^-1。本方法制得的传感器能有效消除抗坏血酸,尿酸的干扰,有望用于血液中葡萄糖的直接测定。     

生物活性分子的拉曼光谱电化学研究

本文概述了采用电化学现场拉曼光谱技术研究氧化物歧化酶在L－半胱氨酸修饰金电极表面的电子迁移反应以及腺嘌呤共存条件下超氧化物歧化酶在金电极表面的电子迁移反应和不同电位下银电极表面烟酰胺嘌呤二核苷酸的吸附等体系的反应吸附特性,所得结果对于分析和研究生物活性分子电化学过程机理具有重要意义。     

掺杂稀土元素对细晶BaTiO3系统耐压及介电性能的影响

研究了稀土元素Ho2O3和Er2O3掺杂BaTiO2基瓷料，其在BaTiO2系品粒中可抑制晶粒生长，使晶粒尺寸变小，体密度增高，呈现细晶效应，ε峰在整个温区范围内弥散，提高室温下介电常数，减小容量变化率。本系统中三价稀土氧化物Ho2O3和Er2O3等物质同时加入到BaTiO2陶瓷中后，稀土氧化物没有全部进入晶格内部发生取代，其中的一部分与其他添加剂形成一些非铁电相，提高耐压；另一部分留在晶界处，成为晶粒抑制剂，使得晶粒细小，瓷体致密，提高陶瓷的耐压。     

电化学氧化增强金属钴卟啉的自组装研究

应用电化学方法将钴(Ⅱ)卟啉氧化成钴(Ⅲ)卟啉以增强它与4-巯基吡啶(MP)自组装膜的轴向配位作用,从而快速制备了有序钴卟啉自组装修饰电极CoTMPP/MP/Au(E).电化学石英晶体微天平(EQCM)测试证实电化学氧化对钴卟啉膜生长过程的增强作用.Ram an光谱及修饰电极电催化还原氧研究显示,该修饰电极与经过长时间浸渍法得到的CoTMPP/MP/Au(I)修饰电极具有完全相似的有序结构和性质.与直接将钴卟啉吸附在电极表面的CoTMPP/Au修饰电极相比,以巯基吡啶为桥键得到的钴卟啉修饰电极具有更好的电催化活性和稳定性.