群落有序样本的一种聚类分析方法

目前，适用于群落聚类分析中有序样本的聚类方法主要是“最优分割法”。本文提出了一种新的适用于群落有序样本的聚类方法，该法较最优分割法计算简便。     

上下解方法给出具有时滞随机泛函微分方程解的存在性(英文)

讨论了具有不连续飘逸系数具有时滞的随机泛函微分方程,通过上下解方法和序拓扑空间中不动点原理给出了其解的存在性定理.     

强光一号兆安电流钨丝X箍缩实验研究

为了获得更高亮度的X射线点源,在"强光一号"装置上开展钨丝X箍缩实验研究.基于能量平衡方程,估算了1 MA电流热斑等离子体平衡半径为1—10μm.实验中,测试钨丝直径为25—100μm,丝根数为2—48,负载线质量为0.18—6.9 mg/cm;负载电流峰值为1—1.4 MA,10%—90%前沿为60—70 ns."强光一号"装置上匹配的X箍缩负载为30或32根25μm钨丝X箍缩,这种负载一定概率产生单个脉冲X射线辐射,辐射时刻位于电流峰值附近,典型参数为keV X射线脉宽1 ns,辐射功率35 GW,产额40 J,热斑尺寸～30μm.然而,兆安电流X箍缩通常产生多个热斑及多个脉冲X射线辐射.keV能段首个脉冲X射线辐射时刻与负载线质量正相关,并受到负载丝直径的影响.多个X射线脉冲可能由二次箍缩和局部箍缩产生,多个热斑可能由交叉点处微Z箍缩的长波长扰动和短波长扰动引起.与百千安电流X箍缩相比,兆安电流X箍缩热斑亮度更高,但X射线辐射脉冲的单一稳定性还有待于进一步改善.     

An efficient approach to characterizing and calculating carrier loss due to heating and barrier height variation invertical-cavity surface-emitting lasers

It is important to determine quantitatively the internal carrier loss arising from heating and barrier height variation in a vertical-cavity surface-emitting quantum well laser (VCSEL). However, it is generally difficult to realize this goal using purely theoretical formulas due to difficulty in deriving the parameters relating to the quantum well structure. In this paper, we describe an efficient approach to characterizing and calculating the carrier loss due to the heating and the barrier height change in the VCSEL. In the method, the thermal carrier loss mechanism is combined with gain measurement and calculation. The carrier loss is re-characterized in a calculable form by constructing the threshold current and gain detuning-related loss current using the measured gain data and then substituting them for the quantum well-related parameters in the formula. The result can be expressed as a product of an exponential weight factor linked to the barrier height change and the difference between the threshold current and gain detuning-related loss current. The gain variation at cavity frequency due to thermal carrier loss and gain detuning processes is measured by using an AlInGaAs--AlGaAs VCSEL structure. This work provides a useful approach to analysing threshold and loss properties of the VCSEL, particularly, gain offset design for high temperature operation of VCSELs.     

一种有效解决离轴数字全息相图倾斜畸变的数字参考平面方法

离轴数字全息中使用倾斜的平面参考波以消除成像中的零级衍射和共轭像是一种简捷和常用的方法,然而该方法遇到的一个困扰是,由于倾斜参考波引入了附加的载波频率并很难通过实验测量准确地获得附加的载波频率值或倾角,因此会导致重建的相图出现一定的倾斜畸变而无法完全修正.本文提出了一种数字参考平面算法以解决这一问题.该算法利用重建相图的平坦区域选点构建一个能准确表征相图倾斜的数字参考平面,并建立该平面参量与参考波载波频率的数学关系和作为随后相图畸变修正迭代计算的判据.该算法简单有效,不仅能实现对倾斜相位畸变的准确修正,而且能准确地获得倾斜平面参考波的附加载波频率.由于在相位解包裹重建中结合了抑噪处理,因此该方法在环境和系统噪声的影响下仍然有效,实验结果验证了理论设计的有效性.     

环境和介质对测温结果的影响

建立了一种理论模型和实验方法, 可以有效地修正来自于环境和介质对测温结果的影响。这种修正方法通过计入测温环境对辐射体的衰减系数,可以显著改善以灰体辐射为基础的测温技术的精度和普适性。首先,利用多通道CCD图像光谱仪快速准确地获得给定辐射体在空气中的指纹光谱,并将其等效为一个标准的灰体模型;其次,将该辐射体放入未知的环境和介质中,重复测量该辐射体的辐射光谱,并建立包含待测介质对辐射体的衰减特征的灰体模型。最后,通过对比上述两种情况下的灰体模型,便可精确确定该辐射体在该环境和介质下的温度。通过对处于不同环境和介质下的相同辐射体的系统实验,检验了该测温技术和修正方法的普适性和准确性。     

InGaAs自适应阱簇复合结构的偏振双峰辐射机制及能带特征

研究一种基于富铟团簇(IRC)效应的新型高应变InGaAs/GaAs自适应阱簇复合(WCC)量子结构，该结构具有比较灵活的能带调控能力，可产生一种特殊的偏振双峰光谱。为探究该WCC结构的偏振双峰辐射机制及能带特征，利用IRC效应生长获得了自适应WCC结构，并测量了该新型结构的偏振光致发光(PL)光谱，在横向电场(TE)和横向磁场(TM)模式下，PL光谱皆显示出特殊的双峰结构。这主要是铟原子的自适应迁移导致有源层同时存在铟组分正常和铟组分降低的In_xGa_1-xAs材料所致。根据半导体激光器的跃迁矩阵元理论和PL光谱的双峰能量间距，阐明不同偏振模式下的光谱双峰与多组分In_xGa_1-xAs材料的对应辐射机制，同时确定该WCC结构的混合能带特征。该研究内容对IRC效应和新型WCC发光结构的发展和应用具有重要研究意义。     

微波消解-电感耦合等离子体质谱法测定三苯基膦中痕量钠、镁、铁的含量北大核心CSCD

三苯基膦为铑膦络合催化剂的基础原料,是石油化工、精细化工生产中均相催化剂的重要配体[1-2],也可作为染料工艺的增光剂,高分子聚合、彩色胶卷显像剂的抗氧化剂,聚环氧化的稳定剂,广泛应用于医药工业、有机合成、分析检测等领域。三苯基膦作为配体与过渡金属形成金属催化剂;是其重要应用之一,在其与过渡金属络合时,还会与钠、镁、铁等杂质金属络合,影响催化剂催化性能。