自负载吡啶双亚胺酸酯钒(Ⅲ)催化剂的合成及催化乙烯聚合

合成了一系列自负载吡啶双亚胺酸酯钒(Ⅲ)催化剂(V(Ⅲ)),并通过傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)、元素分析及核磁共振波谱仪(NMR)等技术手段对配合物进行了表征。 在倍半乙基氯化铝(EASC)活化下,V(Ⅲ)催化剂对乙烯聚合表现出很高的催化活性(7.2~12.1 g/(mol·h·Pa)),且自负载基团的链长对催化剂的活性及所得聚合物的性质影响较小。 同时,该类V催化剂催化乙烯与1-己烯共聚合性能良好,得到高相对分子质量(高达68.1×10³)的聚合物。 所得聚合物经扫描电子显微镜(SEM)表征,其微观结构为片层叠加结构。     

Poincare型胞映射分析方法及其应用

本文用Poincare型胞映射方法对平衡及不平．衡轴承转子非线性动力系统的全局特性进行了分析研究,同时求得了一定状态空间内系统存在的周期解及其在各不同Poincare截面上的吸引域,得到了一些新的现象和规律,并通过对平衡及不平衡轴承转子系统的全局特性异同的比较,说明了要建立既适用于平衡轴承转子系统又适用于不平衡轴承转子系统的非线性稳定性准则应注意的几个问题     

前驱体配料温度对水热法制备LiFePO4的影响

研究了配料温度对水热法制备磷酸铁锂的影响.通过X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、循环伏安（CV）以及元素分析等手段分析了不同温度下制备的前驱体和最终的LiFePO₄样品,其结果表明配料温度对磷酸铁锂前驱体颜色和特性有明显影响.通过仔细控制该温度可以制得高纯Li₃PO₄中间体并抑制前驱体中Fe（OH）₃的形成.有利于进一步获得结晶良好不含Fe³⁺的LiFePO₄样品,显著提高了LiFePO₄材料的放电比容量.当配料温度为30℃时获得的样品,0.1C倍率下放电比容量达到156 mAh·g^-1,0.5C倍率下放电比容量为151 mAh·g^-1,10C倍率下放电比容量为127 mAh·g^-1,循环20次容量保持率达99%.     

流体动压滑动轴承-转子系统非线性动力特性及稳定性

根据油膜的物理特性,在动力积分、迭代过程中实时修正具有下游Reynolds边界条件的轴承流体润滑椭圆型变分方程,使其等价为变分不等式.运用八节点等参有限元方法,同时完成非线性油膜力及其Jacobian矩阵的计算.运用Newton-Raphson方法求得转子平衡点时,同时求得了作为副产品的轴承的刚度和阻尼系数.将预估-校正机理和Newton-Raphson方法相结合,提出了计算轴承-转子系统Hopf分岔点(对应于线性失稳转速)的方法.将预估-校正机理与Poincaré-Newton-Floquet方法相结合,分析了T周期运动的局部稳定性和分岔现象.结果表明,采用八节点等参有限元方法同时完成非线性油膜力及其Jacobian矩阵的计算时,同传统方法相比计算量减少,且精度协调一致;将预估-校正机理和Newton-Raphson方法相结合,可以方便地计算轴承-转子系统Hopf分岔点;将预估-校正机理与Poincaré-Newton-Floquet方法相结合,可以避免初值选取困难,快速求得系统周期解及其分岔点.所建立的计算方法具有省时、精度高等优点,可用于指导滑动轴承-转子系统设计.     

基于电压约束的微机械谐振器幅-频耦合抑制方法

针对微机械谐振器中存在的幅度-频率耦合带来振动稳定性变差的问题，提出了一种闭环自激控制的直流参考电压约束方法来抑制谐振器振幅。首先，从理论上分析了决定谐振器临界振幅的因素，利用计算机视觉辅助测量方法和高频方波调制方法获得相关尺寸参数及品质因数计算得到微机械谐振器的临界振幅。然后，提出频谱边带比的振动幅度测试方法实现封装后的振动幅度测试。最后，构建了自激振荡闭环测控电路分析模型，根据临界振幅计算得相应的临界直流参考电压为0.866V。恒温实验测试表明：直流参考电压为0.4 V（小于临界参考电压）时，谐振器能够稳定地保持恒定幅度振动；直流参考电压为1.0 V（大于临界参考电压）时，谐振器振动幅度不恒定，谐振器稳定性变差，所提方法通过确定临界参考电压值，并将直流参考电压约束在临界参考电压以内能有效抑制幅度-频率的耦合。     

GaN基半导体在改变钙钛矿太阳能电池性能方面的理论分析

GaN基半导体在光电子、电子器件已具有重要应用,如何结合其良好的电学特性进行其他应用方面的理论或实验探索,是当前新的研究课题.本文利用SCAPS-1D软件从理论上计算了GaN在FTO/GaN/(FAPbI₃)_0.85(MAPbBr₃)_0.15/HTL电池结构中电子传输的理论机制.结果表明,引入GaN后,电池的开路电压,转换效率明显提高.通过进一步分析准费米能级分裂、界面电场、界面复合率、耗尽层厚度等因素的变化规律,分析了GaN的厚度和掺杂浓度对电池开路电压等器件参数的影响,并从GaN作为电子传输层的物理机制方面进行了讨论.