光纤光栅温度与轴向应变响应机制分析

本文对温度和轴向应变对长周期光纤光栅和Bragg光纤光栅耦合波长的影响机制作出分析,通过有代表性的举例计算数值给出了各因素对耦合波长的影响,指出轴向应变对耦合波长的影响除了来自光弹性效应带来的光纤折射率的改变外,光纤半径的变化,特别是光栅周期的改变也起重要作用.对比分析找到了长周期光纤光栅与Bragg光纤光栅温度,应变响应系数数量级异同的原因.     

丰中子轻核新幻数N=16的解释(英文)

基于中子分离能的分析 ,Ozawa等提出丰中子轻核存在新幻数 N=1 6.对 N=1 6同中子素进行了形变和球形的相对论平均场计算 .相对论平均场的数值结果表明N=1 6同中子素有形状相变.这是一些丰中子核新幻数出现的可能原因. Based on the analysis of neutron-separation energies, Ozawa et al proposed a new magic number N =16 in light neutron-rich nuclei. The deformed and spherical relativistic mean-field(RMF) calculations have been carried out for N =16 isotones. The numerical relativistic mean-field results show there is a shape transition in N =16 isotones. This is the possible cause of the appearance of the new magic number in someneutron-rich nuclei.     

气相法CO与亚硝酸甲酯偶联合成草酸二甲酯用Pd/α-Al2O3催化剂的研究

 一氧化碳与亚硝酸甲酯(CH3ONO)在负载型Pd/α-Al2O3催化剂上合成草酸二甲酯(DMO)的反应,其催化剂活性与载体的性质及所添加的助剂密切相关. 载体的双峰孔分布是影响催化剂活性的关键因素; 在双峰孔的基础上,载体的比表面积、孔径及孔体积的增大使催化剂活性升高; 助剂的添加可有效地提高Pd的分散度,减小Pd的粒径,从而使CH3ONO转化率从57.1%升高到84.7%,DMO时空收率可达到898 g/(L·h). 助剂添加后,活性组分Pd的含量可以从1%降至0.3%,而DMO时空收率仍可达到745 g/(L·h).     

磁性高分子微球用于固定化酶的研究进展

磁性高分子微球是近20年来发展起来的一种新型功能高分子材料,并已在生物化工、细胞学、生物医学工程等领域得到了广泛应用.本文主要介绍磁性高分子微球的制备和性质以及在固定化酶中的应用.     

磁性高分子微球用于固定化酶的研究进展：生物材料结构及？…

磁性高分子微球是近２０年来发展起来的一种新型功能高分子材料,并已在生物化工、细胞学、生物医学工程等领域得到了广泛应用。本文主要介绍磁性高分子微球的制备和性质以及在固定化酶中的应用。     

云计算在RSA密码体制分析中的应用

RSA是著名的公钥密码体制之一,其安全性是基于大整数因子分解困难性假设的,求解RSA问题的最直接方法是分解RSA的模数.由于云计算的大规模分布式计算能力,一些使用分布式计算模型MapReduce的大整数分解手段已经实现,针对大整数因子分解的问题,提出了给定范围内搜索因子的新方法,并对相应的实验数据和结果进行了分析.结果表明,在云中的分布式计算的运行时间远小于单台机器.     

矩阵Hadamard积和Fan积的特征值界的一些新估计式（英文）

本文研究了非奇异M-矩阵A与B的Fan积的最小特征值下界和非负矩阵A与B的Hadamard积的谱半径上界的估计问题.利用Brauer定理,得到了一些只依赖于矩阵的元素且易于计算的新估计式,改进了文献[41现有的一些结果.     

图的伴随多项式的最小实根

本文讨论了含割点$u$的连通图G,其中$G-u$含路、圈或$D_{n}$分支时图$G$的伴随多项式的最小实根的变化情况.得到一些新的序关系,这推广了文[10-13]中有关图的伴随多项式最小根的一些结果.     

集值局部平方可积鞅

介绍集值类（D）过程和集值局部鞅的概念和有关性质，进而讨论了集值局部平方可积鞅的概念和性质。     

Ce-5%La合金表面氧化过程研究

采用拉曼光谱原位分析、扫描探针显微镜、扫描电镜和X射线能谱研究了Ce-5%（质量分数）La合金在空气中的氧化过程。结果表明,Ce-5%La合金在空气中极易氧化,氧化层由外及里存在氧浓度梯度,Ce^3＋和Ce^4＋所对应的拉曼谱峰强度变化情况反映了Ce-5%La合金在空气中的氧化过程具有两个显著阶段,表面剥离氧化物主要为CeO2。