Effects of Correlations Among Multiple Perturbations on Soliton Propagation

Correlations among multiple noise perturbations are considered in a sofiton system. It is found that these perturbations lead to disintegration of soliton, their correlations play important roles and reinforce their effects.Furthermore, there is a limiting case among the multiple noise perturbations in the system, here their effect is the largest. Finally, the nonlinear gain and the narrow band filter are introduced to suppress these effects effectively.     

四次C-曲线的性质及其应用

以1,t,t2,t3,…为基底的Bézier曲线和B样条曲线是构造自由曲线、曲面强有力的工具.但是它们不能精确地表示某些圆锥曲线如圆弧、椭圆等,也不能精确地表示正弦曲线.本文利用一组新的基底sint,cost,t2,t,1,构造了两条新的曲线,这两条曲线依赖于参数α>0.当α→0时极限分别是四次Bézier曲线和四次B样条曲线,称之为四次C-曲线:四次C-Bézier曲线和四次C-B样条曲线.它们具有一般Bézier曲线和B样条曲线的性质:如端点插值,凸包,离散等,还可以精确的表示圆弧、椭圆及正弦曲线.作为应用,文章最后给出了四次C-Bézier曲线表示正弦曲线的条件.     

高温超导体Jc（J,B,θ）特性及其维度效应

高温超导体的临界电流密度（Ｊｃ）的温度，磁场和取向关系特性Ｊｃ（Ｔ，Ｂ，θ）及其维度效应，是高温超导电性的中心课题。近几年取得了一系列重要结果。本文对此加以评述。     

增长曲线模型回归系数线性估计的可容许性

本文讨论增长曲线模型回归系数线性估计的可容许性，给出了常见的三种形式不同的可容许性定义．我们在较特殊的齐次（或非齐次）线性估计类中，证明了这三种容许性的一致性，并且得到了其共同的可容许估计的充要条件．     

用函数记录仪描绘LRC电路暂态过程

引言现有的普通物理实验教材中,对RC、RL和LRC电路暂态过程的描绘,多采取用方波发生器代替直流电源,用示波器观察或用照相法摄取暂态曲线,RC电路的暂态过程,也可以用电压表和秒表逐点测量来描绘曲线。这些方法或只能观察,定量分析不便,或虽能定量分析,但实验过程复杂,效果都不理想。本文介绍用函数记录仪直接描绘RC、RL和LRC电路的暂态过程曲线,实验方法简便,而且利用图象进行定量分析和计算都很方便。     

曲线造型设计的加密细分算法及其性质

In the application of CAD/CAM. the target form of a curve, which is used for plotting or as the data supplied for CAM, is s set of points on (or near by) the curve,Using the subdivision algorithm, the procedure of curve generation from Control points→Mathematical form of the curve→Points on(or near by) the curve which is used in most systems for curve design, is simplified in this paper to Control points→Points on(or near by) the curve. We also discuss the conditions of shape preserving, polynomial reproducing, continuity as well as the convergent properties of the target curve.     

对称半导体光放大器马赫—曾德尔干涉仪解复用器的开关特性分析

分析以以半导体光放大器（SOA）为基础的对称马赫－曾德尔干涉仪（MZI）解复用器在控制脉冲和信号脉冲反向传播（CPMZ）与同向传播（TPMZ）两种工作模式下的开关特性。研究表明：控制脉冲宽度、半导体光放大器的长度和非线性增益压缩影响着控制脉冲和信号脉冲反向传播开关窗口的大小，是限制控制脉冲和信号脉冲反向传播高速工作的主要因素。当控制脉冲宽度小于半导体光放大器的渡越时间时，如时延量小于于两位的半导体光放大器渡越时间，控制脉冲和信号脉冲以向传播的峰值开关比开始恶化；当控制脉冲宽度超过半导体光放大器的渡越时间时，即使时延量大于两倍的半导体光放大器滤越时间，峰值开关比也出现恶化。因此当控制脉冲和信号脉冲反向传播高速工作时，控制脉冲应尽可能窄，且时延量必须大于两倍的半导体光放大器渡越时间以确保有较高的峰值开关比，而半导体光放大器长度效应对控制脉冲和信号脉冲同向传播的影响甚微。     

规则结构多孔填料塔两相流动特性实验研究

本文以空气和水为工质,对规则结构多孔填料塔的气-液逆向流动特性进行了可视化实验,研究了填料塔内气一液两相流动规律.实验结果表明:当液体流量一定时,随着气体流量的增加,压力损失增大;当气体流量一定时,随着液体流量的增加,气相压力损失增加.根据实验结果提出了采用水力雷诺数、韦伯数和无量纲流动参数的填料塔内气-液两相流动阻力系数实验关联式.     

应变Si1-xGex层中p型杂质电离常温和低温特性

本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.     

Vlasov辐射器反射特性研究

 利用矩量法导出Vlasov辐射器端口处各种模式模系数（振幅）的计算方法，并利用此方法通过数值计算研究了斜切形Vlasov辐射器的反射特性，得到了辐射器端口反射系数和斜切角度及直径波长比之间的关系。结果表明斜切形辐射器具有很小的反射系数，并从反射特性上为辐射器结构参数的选择提供了依据。