固相有机合成中的连接基团

介绍了固相有机合成中的连接基团,特别是带有隔离单元的连接基团、无痕迹连接基团、安全拉手型连接基团和复合型连接基团的基本概念、发展近况以及它们的应用.     

医用聚烯烃材料的开发及应用进展

伴随着塑料工业、医学技术和生物技术的不断发展以及人们对健康的日益关注,医用塑料应用领域已变得越来越广泛。聚烯烃材料由于其安全无毒的特点,已经越来越多地应用在医用领域。迄今为止,聚氯乙烯在国内仍是广泛用作医用材料。基于人体健康和环境安全的考虑,采用更安全、环保的替代品是大势所趋。采用其它更安全环保的聚烯烃材料替代PVC材料的研究将是本领域的一个重要研究方向。本文综述了医用聚烯烃材料的开发和应用现状,阐述了各类聚烯烃材料的主要特点和用途,重点介绍了各类聚烯烃材料研究和开发进展,展望了医用聚烯烃材料的某些可能发展方向。     

固相合成及组合化学用的高聚物载体

综述了用于固相合成及组合化学的高聚物载体的制备方法、特征、应用和最新进展,重点介绍了目前广泛用作固相载体的交联聚苯乙烯树脂、聚酰胺树脂和TentaGel树脂,并对几类新型载体如聚乙二醇、聚四氢呋喃衍生物交联剂改性的聚苯乙烯树脂、非芳环体系的POEPOP,树脂和SPOCC树脂作了简要的概述。     

掺Er~(3+)硼硅酸盐玻璃的吸收光谱与J-O理论分析

采用高温熔融法制备了不同Er3+掺量的硼硅酸盐玻璃。测量和分析了玻璃样品的光密度和吸收光谱,并用最小二乘法拟合了实验与理论吸收谱线。应用Judd-Ofelt理论计算了光谱参数Ωλ(λ=2,4,6)和Er3+的振子强度,计算了拟合过程中的均方根偏差(δ),并讨论了Er3+浓度对对光密度和Ωλ参数的影响。分析结果表明:当Er2O3含量为21mol%时,玻璃在达到了较高的光密度(D0.53=4.0)的同时,Ω2亦达到最大值。此时玻璃中Er3+所处环境的对称性降低而共价性增强。     

CXN天然沸石的研究Ⅶ.骨架高硅超稳化改性

以高硅超稳化辉沸石(STI)为基底沸石,分别经盐酸脱铝或氟硅酸铵脱铝补硅处理后制备的改性H-STI沸石,其非骨架铝含量明显减少,而后者骨架硅铝比进一步提高.X射线荧光散射光谱(XRF),27Al高分辨率魔角旋转固体核磁共振(MAS NMR),红外(FT-IR)光谱等表征证明改性后的沸石骨架硅铝原子比分别为6.8和11.4.低温氮吸附表明,经盐酸处理的高硅STI沸石孔道开放完美,但经氟硅酸铵处理的样品孔道被部分堵塞.分段程序升温焙烧表明前者骨架热稳定性略差,1000℃焙烧后结构基本被破坏,而后者热稳定性较好,经相同温度段焙烧后仍保持较高的结晶度和热稳定性,其结构基本实现超稳化.     

分光光度法测定3-氟-4-吗啉硝基苯

用分光光度法测定利奈唑烷(linezolid)中间体3-氟-4-吗啉硝基苯。检测波长为357nm。在0.895-23.27mg/L范围内,3-氟-4-吗啉硝基苯的量(x)与吸光度(y)呈良好的线性关系(r=0.9994);回归方程为y=0.0587x-0.0025(n=7),平均加标回收率和相对标准偏差分别为99.3%、0.69%(n=6),方法简便、快速、准确的测定方法。     

CXN天然沸石的研究VII. 骨架高硅超稳化改性

以高硅超稳化辉沸石(STI)为基底沸石, 分别经盐酸脱铝或氟硅酸铵脱铝补硅处理后制备的改性H-STI沸石, 其非骨架铝含量明显减少, 而后者骨架硅铝比进一步提高. X射线荧光散射光谱(XRF), ²⁷Al高分辨率魔角旋转固体核磁共振(MAS NMR), 红外(FT-IR)光谱等表征证明改性后的沸石骨架硅铝原子比分别为6.8和11.4. 低温氮吸附表明, 经盐酸处理的高硅STI沸石孔道开放完美, 但经氟硅酸铵处理的样品孔道被部分堵塞. 分段程序升温焙烧表明前者骨架热稳定性略差, 1000 ℃焙烧后结构基本被破坏, 而后者热稳定性较好, 经相同温度段焙烧后仍保持较高的结晶度和热稳定性, 其结构基本实现超稳化.     

甲醇POSR制氢的反应网络热力学分析和有效因子的估算

在Cu/ZnO/Al2O3催化剂上对甲醇部分氧化蒸汽重整制备氢气反应的动力学过程进行了研究。在常压和473 K～1 073 K温度范围内对该反应网络中的甲醇部分氧化、甲醇蒸汽重整、甲醇分解和水煤气反应的化学平衡进行了分析。在对这些反应的催化剂Cu/ZnO/Al2O3动力学研究的基础上，根据有效因子的基本概念，考虑催化剂颗粒内的扩散限制，对每个反应沿反应器床层的有效因子进行了估算。     

Effects of Proton Irradiation on a CMOS Image Sensor

We perform 9 MeV proton irradiation of a complementary metal oxide semiconductor （CMOS） image sensor at doses from 1 × 10^9 to 4 × 10^10 cm^-2. In general, the average brightness of dark output images increases with an increasing dose, and reaches the maximum at 1 × 10^10 cm^-2. The captured colour images become very blurry at 4 × 10^10 cm^-2. These can be explained by change of concentrations of irradiation-induced electron-hole pairs and vacancies in the various layers of CMOS image sensor calculated by the TRIM simulation programme with dose.     

抛体运动的描述方法

质点运动学的任务在于描述质点空间位置的改变．本文通过对抛体运动的描述,总结出描述质点平面运动的一般方法及抛体运动在下面几种坐标系下的运动学方程、速度、加速度的不同形式．