首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   439篇
  免费   98篇
  国内免费   163篇
化学   276篇
晶体学   5篇
力学   95篇
综合类   11篇
数学   97篇
物理学   216篇
  2023年   13篇
  2022年   17篇
  2021年   8篇
  2020年   7篇
  2019年   17篇
  2018年   14篇
  2017年   20篇
  2016年   16篇
  2015年   16篇
  2014年   24篇
  2013年   33篇
  2012年   21篇
  2011年   16篇
  2010年   20篇
  2009年   24篇
  2008年   31篇
  2007年   21篇
  2006年   19篇
  2005年   15篇
  2004年   25篇
  2003年   28篇
  2002年   15篇
  2001年   16篇
  2000年   26篇
  1999年   15篇
  1998年   31篇
  1997年   19篇
  1996年   13篇
  1995年   17篇
  1994年   12篇
  1993年   9篇
  1992年   12篇
  1991年   18篇
  1990年   16篇
  1989年   15篇
  1988年   3篇
  1987年   7篇
  1986年   5篇
  1985年   6篇
  1984年   8篇
  1983年   5篇
  1982年   3篇
  1981年   4篇
  1977年   3篇
  1965年   2篇
  1963年   2篇
  1962年   1篇
  1961年   1篇
  1958年   2篇
  1955年   3篇
排序方式: 共有700条查询结果,搜索用时 15 毫秒
81.
只在右半平面收敛的指数级数的增长性及值的分布(英文)   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文研究只在右半平面内收敛的指数级数,引进了(R-H)级概念;推广了Anderson,J. M. 及Binmore K. G. 的一个不等式,并且利用所得结果研究了上述级数在某些水平半带形上的增长性以及在虚轴上的Picard点及Borel点,  相似文献   
82.
§1 状态分类 定义1.1 设I是非负整数集,P={P_(ij)(s,t)|i,j∈I,α≤s≤t≤b}是转移函数矩阵。称P对i在t右标准,若limp_(ii)(t,t+h)=1;称P对i在t左标准,若limP_(ii)(t-h,t)=1.若P对i在t同时为右标准的和左标准的,则称P对i在t标准。若P对i在每个t标准,则称P对i标准。P对i右标准或左标准与此类似。若P对每个i标准,则称P标准。P右标准或左标准与此类似(参看[5]、[6])。  相似文献   
83.
该闪烁计数器阵列定位系统,即闪烁计数器描迹仪,不但可以确定带电粒子通过的位置,还可以用做触发计数器。在用做触发计数器时,它还具有选择落入该阵列的带电粒子数目的能力。该描迹仪为8×8闪烁计数器阵列,每条闪烁体(ST401型)为40×5×0.6cm3。配用GDB50光电倍增管。阵列面积为40×40cm2。我们自制了快电子学系统和数据读取系统,在与微处理机联试过程中,工作稳定可靠。造价低廉。  相似文献   
84.
本文介绍了北京正负电子对撞机(BEPC)上的试验束的初级束的研制;报道了次级束的产生和次级束中正电荷粒子的鉴别与测量;简单介绍了利用试验束进行的量能器模块的辐照损伤研究.  相似文献   
85.
为研究卷烟纸、成型纸、接装纸及嘴棒组合搭配对"中式卷烟"焦油量、烟气烟碱量、烟气水分、烟气一氧化碳量及过滤效率的影响,尝试采用L_(27)(3~(13))裂区正交设计方法对RR卷烟进行在线试验和取样.检测结果经过直观分析、方差分析及贡献率分析,结果表明:嘴棒长度、吸阻及接装纸透气度是影响试验指标的高度显著因素及重要因素.所以重点对嘴棒长度、吸阻及接装纸透气度进行调整和控制,可以很好地实现卷烟产品的质量控制,减少产品质量波动,降低产品成本.使用该方法可快捷、高效、经济、准确地寻找并确定卷烟材料多因素对卷烟主流烟气量及过滤效率的影响规律及卷烟产品的材料搭配优化方案.从而实现卷烟产品材料搭配精益化,满足烟草企业的实际需求.  相似文献   
86.
运用体积排阻高效液相色谱-电感耦合等离子体质谱联用技术(SEC-HPLC-ICP-MS)分析了高镉积累扇贝和低镉积累菲律宾蛤仔中镉的存在形态,并结合体外全仿生消化技术,研究了在唾液、胃、肠无机物和有机物(含消化酶)作用下,扇贝和菲律宾蛤仔中镉的主要存在形态.结果发现:扇贝中Cd总量约为菲律宾蛤仔的10倍;在扇贝中检测到3种Cd形态:金属硫蛋白(MT)-Cd、谷胱甘肽(GSH) Cd和半胱氨酸(Cys)-Cd;在菲律宾蛤仔中检测到2种Cd形态:MT-Cd和GSH-Cd;以峰面积作参考进行比较,扇贝中MT-Cd和GSH-Cd含量分别约为菲律宾蛤仔的5 6和2.0倍.结合体外全仿生模型发现,在扇贝胃全仿生提取液中,检测到1种未知小分子有机镉形态(Cd-X),在扇贝肠全仿生提取液中检测到4种Cd形态,其中MT-Cd是主要形态;而在菲律宾蛤仔胃、肠全仿生提取液中均仅检测到1种未知小分子有机态镉(Cd-X).本实验证明贝类中的MT-Cd,GSH-Cd,Cys-Cd中络合的Cd在生物体胃肠消化液作用下会发生解离.  相似文献   
87.
众所周知, 双极型晶体管的设计主要是基区的设计. 一般而言, 基区的杂质分布是非均匀的. 本文首先研究了非均匀的杂质高斯分布对器件温度分布、增益和截止频率的温度特性的影响, 发现增益和截止频率具有正温度系数, 体内温度较高. 随后研究了基区Ge组分分布对这些器件参数的影响. 均匀Ge组分分布和梯形Ge组分分布的SiGe 异质结双极型晶体管增益和截止频率具有负温度系数, 具有较好的体内温度分布. 进一步的研究表明, 具有梯形Ge组分分布的SiGe 异质结双极型晶体管, 由于Ge组分缓变引入了少子加速电场, 不但使它的增益和截止频率具有较高的值, 而且保持了较弱的温度敏感性, 在增益、特征频率大小及其温度敏感性、体内温度分布达到了很好的折中.  相似文献   
88.
波利亚说:“掌握数学意味着什么?这就是说善于解题,不仅善于解一些标准的题,而且善于解一些要求独立思考,思路合理,见解独到和有发现创造的题.”他认为中学数学教学的首要任务就是“加强解题的训练”,使“解题”成为培养学生的数学才能和学会思考的一种手段和途径.他指出:解题的价值不是答案的本身,而在于弄清“是怎样想到这个解法的”、  相似文献   
89.
具有非均匀渐变界面DBR的光学特性分析   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
应用特征矩阵法研究了非均匀渐变界面Al0.9Ga0.1As/AlyGa1-yAs/GaAs/AlxGa1-xAs DBR的光学特性.建立了非均匀渐变界面AlyGa1-yAs的折射率模型,并得到了渐变界面特征矩阵的解析解,通过特征矩阵法分别计算了突变GaAs/Al0.9Ga0.1As DBR和渐变DBR的反射谱和反射相移,分析了非均匀渐变层对DBR光学特性的影响,对渐变DBR,需要在DBR前面再增加一定厚度的非均匀渐变相位匹配层才能使整个DBR满足中心波长相位匹配条件,并通过光学厚度近似方法求出相位匹配层厚度. 关键词: DBR 反射谱 反射相移 特征矩阵法  相似文献   
90.
The transport properties and fatigue effect of Ag/Bi0.9La0.lFeO3/La0.7Sr0.3MnO3 heterostructures are described. By examining the I-V curves, an anomalous fatigue effect was found and its influences on resistive states were studied. I-V curves combined with C-f spectra were used to directly analyze the transport properties and fatigue effect. Compared to the first I-V cycle state, this structure shows more than one order increase of resistance after 100 cycles of "I-V curve training". The redistribution of oxygen vacancies in the depletion layer of Ag/Bi0.9La0.lFeO3 is believed to be responsible for the different resistance mechanisms and tenfold magnitude drop in resistance. The resistive switching is understood to be caused by electric field-induced carrier trapping and detrapping, which changes the depletion layer thickness at the Ag/Bi0.9La0.lFeO3 interface.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号