基于多功能2,4-联吡啶型构筑块和各种二酸配体的Cd（Ⅱ）超分子配合物及其结构调控

利用一个延伸的2,4-联吡啶型构筑块tvans-1-（2-pyridyl）-2-（4-pyridyl）ethylene（bpe）与不同的二酸配体构筑了一系列Cd（Ⅱ）配合物．在这些化合物中，bpe通常采用单齿配位模式作为端基配体存在，而二酸配体则表现出各种不同的键合方式，将金属离子连接起来形成一维梳状、带状和鱼骨状排列以及二维44和4．82型网络．需要指出的是，在整个超分子结构中，bpe构筑块还同时参与了氢键和芳香堆积等次级弱相互作用．利用TG-DTA技术研究了这些配合物的热稳定性．     

高酸位多级孔超稳Y型沸石的制备及催化性能

以表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTABr)为模板剂,在水热体系对水蒸气处理后的超稳Y型(USY)沸石进行晶化处理,获得高酸量和高水热稳定性的USY-c-w样品。利用X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、固态核磁共振、N₂吸附-脱附、NH₃-程序升温脱附、傅里叶变换红外光谱及吡啶红外对所制备催化剂的物化性质进行详细表征。选用1,3,5-三异丙苯(TIPB)催化裂化作为探针反应,研究制备的催化剂的催化性能,并与工业USY沸石进行对比。结果表明,再次水热晶化后,样品的硅铝骨架局部重构,非骨架铝重新进入沸石骨架,合成样品的硅铝比(n_Si/n_Al)由10降至3.0;再晶化后的USY沸石,不仅具有丰富的介孔结构,并且具有更多的弱酸和中强酸位点。在TIPB裂解反应中,再晶化后的USY沸石表现出比原样品更优异的催化性能。     

高热稳定性高有序性中孔Zr-P-Al材料的合成

 以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂,采用水热法合成了中孔氧化锆,依次用磷酸和水合氯化铝溶液对其进行后处理,得到了具有高热稳定性、高有序性的中孔Zr-P-Al材料. 样品的XRD,TEM 和氮气物理吸附测试结果表明,反应凝胶中的水量和陈化条件对样品结构有很大影响. 当反应凝胶配比为Zr(SO4)2:CTAB:H2O＝1:0.27:240时,所得样品具有较规整的六方结构. 此样品经磷酸处理后,有序程度进一步提高. 将磷酸处理过的样品再用水合氯化铝溶液处理,得到的材料具有典型的中孔特征和很高的热稳定性. 最终产物经过700 ℃焙烧后具有416 m2/g 的比表面积,孔容积较大,孔径分布均匀,800 ℃焙烧后其比表面积仍可达到227 m2/g. 样品的高稳定性来源于锆、磷和铝之间的相互作用.     

TiO2/SiO2/γ-Fe2O3-SiO2磁性光催化剂的制备与表征

 A γ-Fe2O3-SiO2 composite was prepared by sol-gel method followed by calcination at 700 ℃ for 30 min starting from tetraethoxysilane and iron nitrate. Upon further coating with SiO2 and TiO2, a TiO2/SiO2/γ-Fe2O3-SiO2 magnetic photocatalyst was obtained. XRD results show that Fe in the composite converts to the γ-Fe2O3 phase up to a processing temperature of 700 ℃, and further increase in temperature results in the formation of the α-Fe2O3 phase. The TiO2/SiO2/γ-Fe2O3-SiO2 samples obtained are monodisperse spherical particles with 200～250 nm diameter, well coated firstly by an amorphous SiO2 layer and then by an anatase TiO2 layer. The TiO2/SiO2/γ-Fe2O3-SiO2 particles retain their magnetic property well and show high activity for the photocatalytic degradation of salicylhydroxamic acid.     

Current Density-Dependent Thermal Stability of ZnSe Nanowire in M-S-M NanostructureD

Due to semiconductor nanowire （NW） having a very tiny diameter, the electronic devices based on metal-semiconductor NW-metal （M-S-M） nanostruc- ture can carry a very large current density com- pared to electronics based on bulk semiconductors. A small mass of a NW also means a small heat capacitance. In this case, any small energy trans- fer from the current-carry electrons to local ionic or/and lattice vibrations in NWs may cause a sub- stantial self-heating of the NWs. Thus thermal insta- bility of NWs in M-S-M nanostructure due to Joule heating has become a fundamentally and technolog- ically important issue concerning the performance of semiconductor NW-based nanoelectronics and has at- tracted a lot of attention. The failure behaviors of various semiconductor and metallic NWs inves- tigated by in situ transmission electron microscopy （TEM） and confocal micro-Raman spectroscopy re- spectively have confirmed semiconductor NWs includ- ing Si, Ge, GaN, ZnO, Sn02, Ti02, ZnSe and ZnTe NWs electrically broken by thermal evaporation due to Joule heating and metallic NWs electrically de- stroyed by electromigration. Electron-phonon in- teraction that transfers energy from conduction elec- trons to the ions in the material causes Joule heating. Electromigration due to the transfer of the momentum of conduction electrons to the ions causes migration of atoms in the material when high current density flows through a circuit. The different failure mechanisms of these NWs are significantly materials-dependent due to the difference of their chemical and physical prop- erties and have a very close relation with the param- eters governing the electron transport mechanism at the metal-semiconductor （M-S） nanocontact such as Schottky barrier and bias polarity .     

$lt;i$gt;α$lt;/i$gt;-碳锗炔稳定性及性质模拟

采用以量子力学为基础的半经验计算方法–自洽和环境依赖的原子轨道线性理论,预测了类α-石墨炔的碳锗炔结构. 研究了α-碳锗炔的稳定结构、电子结构以及热力学稳定性,得到其最稳定的构型是Ge原子在六元环的六个顶角处,晶格常数为8.686 Å的六角原胞构成的单层平面蜂窝状结构. 该结构是带隙为1.078 eV的半导体. α-碳锗炔在很高的温度下都可以保持稳定,直到2280 K时其长程有序态才被破坏,当体系低于此温度时,可以通过降温使其恢复到零温时的稳定平面结构. 关键词： α-石墨炔')" href="#">α-石墨炔 α-碳锗炔')" href="#">α-碳锗炔 分子动力学模拟 热稳定性     

气相沉积法制备聚酰亚胺微球的均匀性及性能

为满足惯性约束聚变(ICF)对聚酰亚胺(PI)靶丸的要求,研究了气相沉积过程单体加热温度对PI薄膜厚度的影响并测试其均匀性,测试了脉冲敲击模式下复合微球的表面质量。研究了薄膜热环化过程中的结构变化,并对所得PI薄膜进行了热稳定性分析。研究结果表明:脉冲敲击下制备所得复合微球表面粗糙度均方根值波动在29~45nm之间,在相同时间内其薄膜厚度随单体加热温度的增加而增加,通过调节不同单体加热温度,可将薄膜厚度控制在一定范围;薄膜厚度测试发现其较为均匀,横向和纵向各点厚度相差不足1μm;热环化后聚酰胺酸转化为PI,CONH与COOH结合形成C-N键;热重分析数据显示PI薄膜热稳定性较好,600℃左右才开始大量分解。     

超空化条件下液体射流热稳定性研究

基于线性稳定性理论,建立了描述超空化条件下液体射流热稳定性的数学模型,并对数学模型及其求解方法进行了验证;在此基础上,对超空化条件下液体射流与周围气体间的温差对射流稳定性的影响进行了研究。研究结果表明,液体射流与周围气体间存在温差时,射流稳定性变差,扰动波波数范围拓宽,且拓宽的程度随温差的增加有明显加大的趋势;温度扰动对射流稳定性的影响与扰动模式关系不大;温度扰动会在一定程度上削弱超空化对射流稳定性的作用,并有可能完全抑制超空化对扰动波最大波数的作用,只有当超空化达到一定程度后,才能克服温度扰动的抑制作用,使扰动波最大波数变大。     

二硫代钼酸锌高温稳定性及其润滑性能的研究

在实验室中全成了二硫代钼酸锌粉,并考察了其作为固体润滑剂的高温摩擦学性能,同时采用热重分析对其热稳定性进行了评价,采用Ｘ射线光电子能谱分析了摩擦表面典型元素的化学状态。结果表明,二硫代钼酸锌在空气中的第一分解温度为２４９．８℃,摩擦磨损试验结果表明,二硫代钼酸锌作为固体润滑剂在室温到５００℃温度范围内具有较代的摩擦系数,但摩擦系数随温度的升高而增大。磨损表面Ｘ射线光电子能谱分析结果表明,该固体润滑     

非简谐振动对石墨烯量子电容和热稳定性的影响

采用固体物理理论和方法,研究了单层石墨烯的量子电容和它的温度稳定性随温度和电压的变化规律,探讨原子非简谐振动对它的影响.结果表明:(1)当电压一定时,单层石墨烯的量子电容和温度稳定性系数均随温度升高发生非线性变化,电压小于2.3 V时,量子电容随温度升高而增大,温度稳定性系数随温度升高由缓慢变化到很快增大,电压高于2.3 V时,量子电容随温度升高先增大后减小,而其温度稳定性系数随温度升高由缓慢变化到很快减小.温度一定时,量子电容只在电压值为0.4～2.8 V范围内才变化较小,而电压值大于2.8 V时,量子电容迅速减小并趋于0;(2)与简谐近似相比,非简谐项会使石墨烯量子电容有所增大,且温度愈高,两者的差愈大,非简谐效应愈显著,温度为300 K时,非简谐的量子电容要比简谐近似的值大0.33%,而温度为1 000 K时,差值增大到1.47%;(3)电压在1.5～1.8 V之间,而温度低于800 K时,石墨烯量子电容的温度稳定性系数最小且不随温度而变,储能性能的温度稳定性最好;(4)非简谐项会使它的量子电容热稳定性系数比简谐近似的值增大,且增大的情况与温度有关,当温度为400 K时量子电容热...