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81.
光电编码器温度漂移与补偿方法 总被引:1,自引:0,他引:1
本文对光电编码器的温度漂移与补偿问题进行了讨论.在理论分析与实验的基础上,提出了一种理想的温度补偿方法. 相似文献
82.
83.
本文用超声相比较方法测定了高Tc超导体La1.85Sr0.15CuO4,La2CuO4和YBa2Cu3O7的纵波和横波声速,进而导出了它们的纵向模量、切变模量、杨氏模量、泊松比、德拜温度及定体比热。在La1.85Sr0.15CuO4样品上,还进行了压力实验,发现所有弹性模量都是随压强增加而增加。定体比热cV和泊松比σ在高压下则略有下降。德拜温度是随压强增加而增加的。 相似文献
84.
新型金属间化合物R_2Fe_(17)N_(2.4)的结构与磁性 总被引:2,自引:0,他引:2
本文采用适当的热处理,使氮原子进入到R_2Fe_(17)的结构中去.利用X射线衍射、磁测量和中子衍射技术研究了R_2Fe_(17)N_(24)的晶体结构和内禀磁性及其之间的联系.中子衍射研究结果表明,氮原子在Th_2Zn_(17)型菱方结构中,占据9e间隙位置.氮的加入使晶胞体积增大、Curie温度升高;使铁原子3d电子正负能带电子数目差额扩大、饱和磁矩增强;并且氮原子对稀土晶位的晶场效应有重大影响,导致Sm_2Fe_(17)N_(24)具有易磁化轴.所有这些效应使得Sm_2Fe_(17)N_(24)具备了研制高矫顽力永磁体的内禀性能. 相似文献
85.
田兴 《新疆大学学报(理工版)》1991,8(1):53-55
本文分析计算了荧光光纤温度传感器的温敏元件——GsAlAs/GaAs双异质结半导体材料的荧光辐射效率与激励光波长的关系。讨论了温度测量范围及温敏元件GaAlAs层铝含量对激励光源的限制,在0~200℃测温范围内,若采用LED作激励光源,其峰值波长应在0.70~0.76μm之间选择。 相似文献
86.
利用变温X射线衍射技术,在预烧过程中分析了Nd掺杂Bi4Ti3O12后生成Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNT)相的形成过程以及微结构的变化.实验观察到以30℃/min的升温速率,BNT相在700℃时开始形成,其衍射峰强度随温度的继续升高而增强,衍射峰半高宽随烧结时间延长而减小.X射线衍射分析结果表明,在900℃恒温条件下,烧结约2h,可形成单一的BNT相. 相似文献
87.
88.
研究了HfN/HfO2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO2高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm,内含原生缺陷密度较低.研究表明,由于所制备的HfN/HfO2 高K栅结构具有低的原生缺陷密度,因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征,而非工艺缺陷引起的;进一步研究表明,该HfN/HfO2高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO2基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征,可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征: HfN/HfO2 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理,即在负 偏置和温度应力作用下,从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生,并由此产生了Si+陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ,这种Si+陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生.
关键词:
高K栅介质
负偏置-温度不稳定性(NBTI)
反应-扩散(R-D)模型 相似文献
89.
90.
本文报道了BR水溶性Raman光谱的温度相关性及吸收光谱变化。讨论了导致光谱变化的热诱导引起的结构变化。 相似文献