Zn_(0.8)Cd_(0.2)S-乙二胺杂化固溶体光催化剂的制备及其催化制氢性能

采用溶剂热法制备了具有不同厚度和大小的Zn_(0.8)Cd_(0.2)S-乙二胺(En)杂化纳米片固溶体,考察了制备过程中S/(Zn+Cd)摩尔比对所制备光催化材料的组成与结构、光电性质以及亲水性能的影响。研究表明,随着制备体系中硫脲含量的增加,固溶体纳米片表面逐渐平整;合适的S/(Zn+Cd)摩尔比可以提高光催化材料光生电子和空穴的分离效率。光催化性能评价表明,制备过程中的S/(Zn+Cd)原子比对其制氢活性有明显影响,在可见光照射下,S/(Zn+Cd)为4.75时,合成的Zn_(0.8)Cd_(0.2)S-En样品表现出最高的H_2产率,可达12100μmol·h~(-1)·g~(-1)。光催化活性的提高与样品较少的表面缺陷、合适的形貌以及高光生电子和空穴分离效率有关。     

190─200Pt偶质量同位素低能激发态的微观研究

从壳模型组态､价核子间有效相互作用及费米子E2跃迁算子出发,利用一种以Dyson玻色子展开为基础的微观方案,给出了sdgIBM-1哈密顿量及玻色子E2跃迁算子,计算了^190─200Pt偶质量同位素的低激发态能谱及E2约化跃迁矩阵元.理论计算结果与实验值或唯象工作做了比较,符合较好.     

ZnS纳米微粒的形貌结构对其光学特性的影响

报道在聚乙烯醇（PVA）膜上采用离子络合法镶嵌的ZnS纳米微粒的形貌结构与光学特性。透射电子显微镜结果表明，在聚乙烯醇膜中的ZnS纳米微粒分布比较均匀，粒径可控制在2－7nm的范围内；电子衍射分析表明，ZnS纳米微粒具有类似于β－ZnS体材料的晶体结构。室温下的光发射峰的位置在414～440nm范围内。着重分析了ZnS纳米形貌结构与其发射波长和强度之间的关系，并探讨了其不同的发射机理。     

高分子软模板法自组装生长ZnO纳米线及其光学性能

采用自组装技术,利用均聚极性高分子(聚丙烯酰胺、聚乙烯醇等)长分子链作为自组装模板在半导体硅衬底上自组装生长出ZnO纳米线。采用扫描电镜(FE-SEM)和透射电镜(HRTEM)对样品的表面形貌和结构分析表征的结果表明,ZnO纳米线直径约50~80nm、长度大于4μm,具有六方纤锌矿单晶结构,且沿c轴方向择优取向生长。采用室温下光致发光(PL)谱和紫外吸收(UV)光谱对制得的ZnO纳米线的光学性能研究表明,其PL光谱上有较强的紫外发射和较弱的蓝光发射,UV吸收光谱表明样品在紫外区有强的宽带吸收,且随着纳米线粒径的减小,吸收峰出现了蓝移现象。研究探讨了高分子诱导ZnO纳米线自组装定向生长机制、发光机理及其与工艺条件的内在联系。     

偶偶核高自旋态的微观研究（III）对同位素~（126）Ba，~（128）Ba和~（130）Ba的应用

从壳模型组态及核子－核子有效相互作用出发，借助于一种描述偶偶核高自旋态的微观理论方案，对同位素１２６Ｂａ，１２８Ｂａ和１３０Ｂａ的低能态及质子拆对占据ｈ１１／２侵入轨道所出现的回夸现象作了研究．得到了与实验定性符合较好的结果．对Ｙｒａｓｔ带，进一步探讨了带间相互作用强度与耦合算子之间的关系．     

偶偶核高自旋态的微观研究(Ⅰ)理论方案

从壳模型组态及核子－核子有效相互作用出发，借助于广义的玻色子展开方法，建立了一种研究偶偶核高自旋态的微观理论方案．     

原位法MgB_2-B_4C复相超导体合成及相含量调控研究

以B4C和Mg为原料合成的MgB2-B4C复相超导体具有高的临界电流密度(Jc)和高的超导转变温度(Tc),是一种有潜力的实用MgB2超导材料,其成相机理对复相MgB2超导体的相含量调控和磁通钉扎研究具有重要意义。结合经典烧结理论,研究了B4C-Mg真空固相烧结制备MgB2-B4C复相超导体的超导相形成和晶粒生长过程,给出了B4C-Mg的金斯特林格扩散模型和MgB2晶粒生长过程。通过选择B4C原料粒径,MgB2-B4C复相超导体超导相体积相含量在18%-88%范围可控。相含量88%的MgB2-B4C复相超导体临界转变温度达33.5K,转变宽度1.5K。10 K环境6T外场下电流密度可以达到1×104A/cm2,表明MgB2-B4C复相超导体具有良好的磁通钉扎行为。     

K(m,n)方程与B(m,n)方程的无穷序列新精确解

进一步研究了辅助方程法,给出了几种常用辅助方程的新解、B(a|¨)cklund变换和解的非线性叠加公式.在此基础上,根据m和n的不同情况,利用变换和直接积分相结合的方法,获得了K(m,n)方程与B(m,n)方程的无穷序列新精确解.这里包括无穷序列光滑孤立子解、无穷序列尖峰孤立子解和无穷序列紧孤立子解.