应用BMC理论方法预测选择性钙通道阻断剂药理学参数

The usefulness of biopartitioning micellar chromatography （BMC） for predicting oral drug acute toxicity and apparent bioavailability was demonstrated. A logarithmic model （an LD50 model） and the second order polynomial models （apparent bioavailability model） have been obtained using the retention data of the selective calcium channel blockers to predict pharmacological properties of compounds. The use of BMC is simple, reproducible and can provide key information about the acute toxicity and transport properties of new compounds during the drug discovery process.     

用Mathematica作偏摩尔量关系式的证明

简述了溶液热力学中应用的 4维Jacobian的定义及主要运算规则 ,并给出例子说明在MathematicaNotebook界面中应用的方法     

微波促进的葡萄糖烯与硝酮的1,3-偶极环加成反应

在微波辐射下, 葡萄糖烯(1)与硝酮2环加成反应的效率大大提到, 在乙二醇二甲醚溶液中, 200 ℃封管反应2 min, 环加成反应产物的收率可高达96%, 而且反应的立体选择性无明显变化. 利用环加成产物可进一步合成各种含官能团的碳糖苷衍生物, 找到了一种合成碳糖苷衍生物中间体的简便有效方法.     

超光谱大气CO_2监测仪光谱定标误差修正

超光谱大气CO_2探测需对遥感器进行精确表征及定标,其中光谱定标工作最为基础。针对传统实验室定标方法获取的波长定标系数不确定度高等特点,开展基于气体吸收法原理的光谱定标误差修正研究,该方法与仪器使用状态一致,提高了定标系数实用性。首先利用辐射传输进行了理论光谱及误差因素模拟计算,并基于大气环境模拟定标仓开展了大气XO_2吸收光谱测量实验,最后采用LM算法进行光谱误差修正迭代优化。光谱定标误差修正结果表明:光谱偏差均值由修正前的0.03 cm~(-1)下降到修正后0.008 cm~(-1),且系统性与突变性误差得以剔除,大大提高了地面光谱定标精度,为后续温室气体反演奠定了基础。     

超声波分散法制备SnS纳米微粒及其光学性能

在有机介质液体石蜡中,以金属锡和硫粉为原料,通过超声波分散的方法快速地制备了SnS纳米微粒,并提出了可能的形成机理.采用透射电子显微镜、X射线粉末衍射仪和X射线光电子能谱仪对产品进行了形貌、组成和结构表征,并在室温下研究了其光致发光性能.     

一种制备镍纳米颗粒的新方法

通过超声照射使2-乙基己酸镍和金属钠在液体石蜡中发生置换反应, 成功地制备了具有六方晶型结构的表面修饰镍纳米颗粒, 并采用多种现代分析手段如TEM、ED、XRD、XPS和TG对所制备的产品进行结构、形貌和热稳定性能的表征. 结果表明, 所制得的镍纳米颗粒粒径较小, 分布范围在7～43 nm之间, 并有着良好的热稳定性能.     

Banach空间中非光滑指标奇异最优控制

本文对于Ｂａｎａｃｈ空间中分布参数系统讨论非光滑指标奇异最优控制问题，利用Ｍｏｏｒｓ－Ｐｅｎｒｏｓｅ广义逆与Ｃｌａｒｋｅ广义梯度证得奇异最优控制的存在性，并给出广义一阶必要条件，推广了Ｌｉｏｎｓ［３］的相应结果．     

HEYTING代数与FUZZY蕴函代数

Heyting代数是作为直觉主义命题逻辑的代数模型而引起的，Fuzzy蕴涵代数是[0,1]值逻辑的蕴涵联结词的一种代数抽象。本文给出Heyting代数的若干基本性质，并证明了Heyting代数是Fuzzy蕴涵代数，也是Heyting型Fuzzy蕴涵代数。     

物理化学教学中的非线性回归问题

在物化教学中经常运用一种数据处理方法,即是将二种测定值之间的非线性函数关系,通过恒等变形,变为二种中间变量之间的线性关系,然后用直线回归程序或图解法作直线,求出斜率与截距,来求解有关参数。然而,这个方法是近似的,有时会造成较大误差。例如,对兰格缪尔吸附等温式的计算,     

共轭低聚物中光生分子间电荷转移态的第一性原理研究

本文基于第一性原理中的Heyd-Scuseria-Ernzerh方法研究了单层In_1-xGa_xN的电子结构和光学性质.计算得到单层In_1-xGa_xN的能带结构和态密度（DOS）,发现随着掺杂比例的变化,体系带隙的变化范围是1.8~3.8 eV,表明通过Ga的掺杂可以实现体系带隙值的调节.并且还研究了单层In_1-xGa_xN的介电函数,折射率和吸收系数等光学性质,结果表明随着Ga掺杂浓度的增加,介电函数谱的主峰和吸收谱发生了显著的蓝移.此外,基于能带结构和态密度图谱,对单层In_1-xGa_xN的光学性质进行分析,预测这种材料独特的光学性质在纳米电子学和光学器件中会有广泛的应用.