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82.
The synthesis and characterization of novel Schiff base liquid crystalline crown ethers prepared from the intermediates 4-(4‘-alkoxylbiphenyl-4-carbonyl)benzaldehyde, cis- and trans-4,4‘-diaminodibenzo-18-crown-6 are described. The structure of these compounds have been well characterized by elemental analysis, IR, ^1H NMR and MS spectroscopy. The liquid-crystalline behavior of these compounds was also inverstigated by differential scanning calorimetry (DSC), polarizing optical microscopy (POM) with a heating stage and polarimetric analysis. 相似文献
83.
氯化钆与L-酪氨酸和甘氨酸三元固态配合物的热化学及热分解动力学研究 总被引:6,自引:0,他引:6
合成表征了氯化钆与L 酪氨酸和甘氨酸形成的三元固态配合物Gd(Tyr) (Gly) 3 Cl3 ·3H2 O .用具有恒温环境的溶解 -反应热量计 ,测定了配位反应GdCl3 ·6H2 O (s) +Tyr (s) +3Gly (s) =Gd(Tyr) (Gly) 3 Cl3 ·3H2 O (s) +3H2 O (l)在 2 98.15K时的反应焓为 ( 9.45 1± 0 .468)kJ·mol-1 .计算得配合物Gd(Tyr) (Gly) 3 Cl3 ·3H2 O (s)在 2 98.15K时的标准摩尔生成焓为ΔfH m =-( 4 2 69.7± 2 .3 )kJ·mol-1 .并用热分析手段对配合物进行了非等温热分解动力学研究 ,推断配合物第二步热分解反应机理为二级化学反应 ,其动力学方程为 :dα/dT =(A/β)exp( -E/RT) ( 1-α) 2 ,求得分解反应的表观活化能为E =2 15 .17kJ·mol-1 ,指前因子为 10 1 8.71 s-1 . 相似文献
84.
InAs/GaAs量子点的生长形貌和特性受不同生长环境和生长条件影响.本文借助光致发光光谱(PL)特性表征方法,通过实验生长,对比研究不同生长温度下获得的量子点性能,结合当前三结叠层GaInP/GaAs/C-e(2-terminal)电池存在的问题,以及该电池的设计、制作要求,分析了InAs量子点的不同生长温度对于具有量子点结构的中电池吸收的影响. 相似文献
85.
采用MPCVD法,以氢气和四甲基硅烷为先驱气体,YG6硬质合金刀片为基体材料,在不同沉积温度下制备了SiC涂层;并选用致密连续且附着性能优良的SiC涂层作为过渡层制备金刚石涂层.使用场发射扫描电镜、能谱仪和掠X射线衍射仪对SiC涂层和金刚石涂层的形貌和组成进行了分析,并对SiC涂层和金刚石涂层的附着力进行测试.结果表明,随着沉积温度升高,SiC涂层先由团聚在一起的β-SiC微晶相先转变为颗粒状和片状β-SiC,进而转变为团聚在一起的非晶态的SiC晶须;SiC涂层的厚度呈递增、致密度呈现先增强后减弱、表面粗糙度整体呈现先减小后增大、附着力呈先升高后降低的趋势.沉积温度为800℃时制备的片状SiC涂层与硬质合金基体有着良好的结合强度,将其作为过渡层时,能够在硬质合金表面制备出均匀、连续、致密的且附着力良好的金刚石涂层. 相似文献
86.
87.
为了进一步揭示空心阴极放电中放电模式的转换机制,特别是空心阴极放电过程中自脉冲的形成机理,利用柱型空心阴极放电结构,在空气环境下研究了放电处于不同模式时的发光特性。测量得到了不同放电模式下的伏安特性曲线、放电发光图像、自脉冲阶段的脉冲波形等。实验结果表明随着放电电流的增加放电分为汤生放电模式、自脉冲放电模式、正常辉光放电模式和反常辉光放电模式。虽然所用电源为直流电源,但在自脉冲放电阶段电流和电压随时间呈周期性变化。实验结果表明在不同的放电模式下具有不同的发光特性。在由汤生放电转换为自脉冲放电模式和由自脉冲模式转换为正常辉光放电模式过程中,放电腔的径向中心处和轴向孔口附近均存在光强的突变。实验同时在200~700 nm范围内测量得到了不同电流时的发射光谱。结果表明发射光谱主要集中在330~450 nm,主要包括氮分子的第二正带系(C3Πu→B3Πg )和氮分子离子的第一负带系(B2Σ+u→X2Σ+g)。其中氮分子离子第一负带系具有较强的发射光谱。由于B2Σ+u激发电位较高,因此该谱带较强发射光谱的存在表明空心阴极放电较其他放电形式更容易获得高激发态粒子和高能量电子。在650~700 nm附近存在一弱的发光谱带,主要为氮分子的第一正带发射谱(B3Πg→A3Σ+u)。在此基础上根据双原子光谱发射理论,结合氮分子第二正带系的三组顺序组带:Δν=-1,-2和-3,利用玻尔兹曼斜率法计算得到了不同放电模式下氮气的分子振动温度。结果表明在实验电流范围内分子振动温度在3 300 K左右,随着电流的增加而升高,并且在自脉冲消失时存在一突变迅速增强。由于电子能量、电子密度与分子振动温度密切相关,因此该结果也表明随着放电电流的增加电子平均能量和电子密度不断增加,当脉冲消失时,电子平均能量和电子密度出现跃变升高。最后,对空心阴极放电中自脉冲的形成机理进行了讨论,结果表明自脉冲放电源于放电模式的转换。 相似文献
88.
半透射高光谱结合流形学习算法同时识别马铃薯内外部缺陷多项指标 总被引:2,自引:0,他引:2
针对马铃薯内外部缺陷多项指标难以同时识别的问题,提出了一种半透射高光谱成像技术采用流形学习降维算法与最小二乘支持向量机(LSSVM)相结合的方法,该方法可同时识别马铃薯内外部缺陷的多项指标。试验以315个马铃薯样本为研究对象,分别采集合格、外部缺陷(发芽和绿皮)和内部缺陷(空心)马铃薯样本的半透射高光谱图像,同时为了符合生产实际,将外部缺陷马铃薯的缺陷部位以正对、侧对和背对采集探头的随机放置方式进行高光谱图像采集。提取马铃薯样本高光谱图像的平均光谱(390~1 040 nm)进行光谱预处理,然后分别采用有监督局部线性嵌入(SLLE)、局部线性嵌入(LLE)和等距映射(Isomap)三种流形学习算法对预处理光谱进行降维,并分别建立基于纠错输出编码的最小二乘支持向量机(ECOC-LSSVM)多分类模型。通过分析和比较建模结果,确定SLLE为最优降维算法,SLLE-LSSVM为最优马铃薯内外部缺陷识别模型,该方法对测试集合格、发芽、绿皮和空心马铃薯样本的识别率分别达到96.83%,86.96%,86.96%和95%,混合识别率达到93.02%。试验结果表明:基于半透射高光谱成像技术结合SLLE-LSSVM的定性分析方法能够同时识别马铃薯内外部缺陷的多项指标,为马铃薯内外部缺陷的快速在线无损检测提供了技术参考。 相似文献
89.
为了解MBT鞋对足弓部位的功效, 用Novel Pedar-X鞋垫式足底压力测试系统对穿MBT鞋正常行走时足弓进行测量, 以峰值压力、峰值压强、接触面积来反映MBT对足弓的压力特征. 在正常速度步行时, 穿着MBT鞋、运动鞋、帆布鞋足弓内侧与足弓外侧区域峰值压力、峰值压强、接触面积依次减少, 且MBT鞋与运动鞋、帆布鞋在足弓内侧峰值压力存在非常显著的差异性, 足弓外侧只有MBT鞋与运动鞋有差异. MBT鞋与运动鞋、帆布鞋在足弓内侧的峰值压强都有差异; 足弓内侧与足弓外侧的接触面积是MBT与帆布鞋有差异. 结果显示, 穿MBT鞋步行时能对足弓起到支撑作用, 减少足底肌肉损伤, 防止筋膜炎的产生. 相似文献
90.
本文考虑带点电荷的Vlasov-Poisson系统,其主要结果去掉文[9]中矩指标的限制m7,证明了该系统所有高阶矩的传播性. 相似文献