Bi-2212超导圆筒初始粉制备

为了提高应用于感应屏蔽型限流器的超导圆筒性能,也为了了解初始粉对部分熔融工艺参数,最终块材性能以及微观结构的影响.本文采用不同的初始粉制备工艺制备了Bi-2212初始粉,分析了初始粉的物相组成,碳含量,并应用部分熔融工艺烧制成超导块材.用扫描电镜观察了最终超导块材中的相和微观结构.标准的四引线法测得77K下自场的临界电流密度可超过1,000A/cm2.超导圆筒的临界电流达到200A.     

感应屏蔽型高温超导故障电流限制器测试系统

根据感应屏蔽型高温超导故障电流限制器的基本原理 ,研制了一套限流器动态性能测试系统 ,用于实时检测在额定状态和故障状态下限流器的电流、电压。详细地阐述了该测试系统的基本原理 ,给出了系统的软、硬件组成及实验结果     

Eu0.5La0.5（TTA）3/PMMA温敏漆的制备及性能研究

以氯化铕、氯化镧、噻吩甲酰基三氟丙酮(TTA)为原料合成了Eu0.5La0.5(TTA)3探针分子,将探针分子与甲基丙烯酸甲酯(MMA)混合后聚合,获得Eu0.5La0.5(TTA)3/PMMA温敏漆。采用红外光谱、扫描电镜、紫外吸收光谱及荧光光谱对探针分子及温敏漆性能进行了表征。红外光谱表明,Eu(La)与TTA形成配位键,且镧的掺入并未改变Eu(TTA)3结构;SEM照片显示探针分子为片状晶体;紫外吸收光谱表明,探针分子的最佳吸收波段位于226～381 nm处。340 nm激发下,发现温敏漆在613 nm处具有最强荧光发射峰,且镧的掺杂对Eu(TTA)3发光存在增益作用;不同温度下荧光光谱表明,随着温度的升高,温敏漆荧光发射强度逐渐减弱,说明温敏漆具有良好的温度猝灭特性。     

以不同铕配合物为探针分子的温敏漆制备及性能

以氧化铕（Eu₂O₃）、甲基丙烯酸（MAA）、水杨酸（HSal）、肉桂酸（HCA）和菲咯啉（Phen）为原料制备了Eu（MAA）₃Phen、Eu（Sal）₃Phen和Eu（CA）₃Phen探针分子,并将不同探针分子分别加到甲基丙烯酸甲酯（MMA）中,在过氧化苯甲酰（BPO）引发下聚合,制得一系列温敏漆样品。采用红外光谱仪、荧光光谱仪和扫描电子显微镜对探针分子的结构、发光性能、形貌和温敏漆的温度猝灭性能进行了表征,研究了不同配体对探针分子发光性能和温敏漆温度猝灭性能的影响。结果表明,探针分子Eu（MAA）₃Phen的荧光强度明显高于Eu（Sal）₃Phen和Eu（CA）₃Phen,相应的3种温敏漆Eu（MAA）₃Phen/PMMA、Eu（CA）₃Phen/PMMA和Eu（Sal）₃Phen/PMMA均有良好的温度猝灭特性,但是对比发现在55~65℃范围内Eu（MAA）₃Phen/PMMA和Eu（CA）₃Phen/PMMA温敏漆的灵敏度较高,而在35~45℃范围内Eu（Sal）₃Phen/PMMA温敏漆的灵敏度较高,可见不同的温敏漆适用于不同的温度范围。     

([Ru(bpy)_3]~(2+)-Eu(TTA)_3Phen)/PMMA温敏漆的制备及性能研究

合成了[Ru(bpy)3]2+和Eu(TTA)3Phen两种探针分子,并将两者与甲基丙烯酸甲酯(MMA)混合,在引发剂BPO作用下进行聚合,获得具有温度响应性能的([Ru(bpy)3]2+-Eu(TTA)3Phen)/PMMA温敏漆。采用IR、紫外吸收光谱和荧光光谱对探针分子的结构及温敏漆的荧光特性进行了表征。红外光谱和紫外吸收光谱表明:Ru与2,2'-联吡啶分子通过双氮配位,有O→Eu配位键形成。荧光光谱表明:温敏漆样品的温度猝灭性能较好,并且在不同温度范围内测温灵敏度不同,由452 nm激发时,温敏漆样品在25~45℃范围内测温灵敏度高,最强的荧光发射峰位于584 nm;由342 nm激发时,在45~65℃范围内测温灵敏度高,最强的荧光发射峰位于612 nm。     

纳米CeO2/PMMA杂化材料的制备与表征

采用在位分散聚合法制备了纳米CeO2/PMMA杂化材料。XRD分析表明，杂化材料 是无定形的。SEM分析表明，杂化材料中CeO2含量不同，材料的断面形貌明显不同 ，随CeO2含量的增加，杂化材料由韧性断裂向脆性断裂转变。EDS面分析表明，Ce 在杂化材料中分布均匀。实验表明，随CeO2含量的增加，杂化材料的透过率与溶解 性降低。     

Er3+, Yb3+:Y2O3激光陶瓷粉体制备与性能研究

以Y2O3,Yb2O3和Er2O3为原料,控制溶液的pH值为3-4左右,采用柠檬酸溶胶-凝胶法制备出Er,Yb∶Y2O3倍半氧化物激光陶瓷前驱粉体。对所得到的粉体进行XRD测试,结果表明最佳煅烧温度为1000℃,并且晶化完全。经过差热-热重分析表明,粉体在1000℃煅烧后不再失重。荧光光谱分析发现,荧光发射的最强峰位于1530 nm处,是Er^3＋的4^I13/2-4^I15/2谱相导致的荧光发射。     

掺钕钆镓石榴石晶体生长及完整性研究

本文采用提拉法生长了Nd:GGG晶体,并对晶体缺陷进行了系统分析,对晶体组分过冷分析结果发现,组分过冷在晶体中产生了空洞,对空洞中的物质进行了扫描电镜及能谱分析,发现组分过冷产生了第二相,用化学侵蚀法显示侵蚀坑的形貌基本呈三角形,并且位错产生了滑移现象,滑移原因是晶体切片时的外力造成的.     

Li2B4O7晶体在SAW技术中的应用研究

采用CZ法生长了30×30mm3的Li2B4O7单晶体.对晶体的压电性能进行了研究,弹性系数的交叉分量少,数值相对较小;在(001)面内有较高的声波传播速度,其变化范围为6500～7080m/s,在[001]方向有较低的声波传播速度,大约为5160m/s;而压电性能表明在不同方向的机电耦合系数均比石英晶体相应参数大得多.对晶体谐振器和压控震荡器的性能进行了研究,发现其机电耦合系数近似石英的十倍,很适合用来制作宽频器件.晶体谐振器的频率温度特性为抛物线型,其转变温度在室温,在-10℃～55℃温度范围内频率变化为3×10-4,具有良好的频谱响应,其寄生频率高出主振180kHz,衰减大于30dB,完全能满足器件使用要求.晶体滤波器3dB带宽的相对宽为1;,而石英仅为0.4;.